分析好整個(gè)電路原理以后，就可以開始對整個(gè)電路進(jìn)行布局布線。下面，給大家介紹一下布局的思路和原則。

1、首先，我們會(huì)對結(jié)構(gòu)有要求的器件進(jìn)行擺放，擺放的時(shí)候根據(jù)導(dǎo)入的結(jié)構(gòu)，連接器得注意1腳的擺放位置。

2、布局時(shí)要注意結(jié)構(gòu)中的限高要求。

3、如果要布局美觀，一般按元件外框或者中線坐標(biāo)來定位(居中對齊)。

4、整體布局要考慮散熱。

5、布局的時(shí)候需要考慮好布線通道評估、考慮好等長需要的空間。

6、布局時(shí)需要考慮好電源流向，評估好電源通道。

7、高速、中速、低速電路要分開。

8、強(qiáng)電流、高電壓、強(qiáng)輻射元器件遠(yuǎn)離弱電流、低電壓、敏感元器件。

9、模擬、數(shù)字、電源、保護(hù)電路要分開。

10、接口保護(hù)器件應(yīng)盡量靠近接口放置。

11、接口保護(hù)器件擺放順序要求：

一般電源防雷保護(hù)器件的順序是：壓敏電阻、保險(xiǎn)絲、抑制二極管、EMI濾波器、電感或者共模電感，對于原理圖 缺失上面任意器件順延布局。

接口信號的保護(hù)器件的順序是：ESD(TVS管)、隔離變壓器、共模電感、電容、電阻，對于原理圖缺失上面任意器件順延布局，嚴(yán)格按照原理圖的順序(要有判斷原理圖是否正確的能力)進(jìn)行“一字型”布局。

12、電平變換芯片靠近連接器(如串口)放置。

13、易受ESD干擾的器件，如NMOS及CMOS等器件，盡量遠(yuǎn)離易受ESD干擾的區(qū)域(如單板的邊緣區(qū)域)。

14、時(shí)鐘器件布局：

晶體、晶振和時(shí)鐘分配器與相關(guān)的IC器件要盡量靠近;

時(shí)鐘電路的濾波器(盡量采用“∏”型濾波)要靠近時(shí)鐘 電路的電源輸入管腳;

晶振和時(shí)鐘分配器的輸出是否串接一個(gè)22歐姆的電阻;

時(shí)鐘分配器沒用的輸出管腳是否通過電阻接地;

晶體、晶振和時(shí)鐘分配器的布局要注意遠(yuǎn)離大功率的元器件、散熱器等發(fā)熱的器件;

晶振距離板邊和接口器件是否大于1inch。

15、開關(guān)電源是否遠(yuǎn)離ADDA轉(zhuǎn)換器、模擬器件、敏感器件、時(shí)鐘器件。

16、開關(guān)電源布局要緊湊，輸入輸出要分開，嚴(yán)格按照原理圖的要求進(jìn)行布局，不要將開關(guān)電源的電容隨意放置。

17、電容和濾波器件 ：

電容務(wù)必要靠近電源管腳放置，而且容值越小的電容要越靠近電源管腳；

EMI濾波器要靠近芯片電源的輸入口;

原則上每個(gè)電源管腳一個(gè)0.1uf的小電容、一個(gè)集成電路一個(gè)或多個(gè)10uf大電容，可以根據(jù)具體情況進(jìn)行增減。