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QR-Lock技術(shù)爆紅是偶然還是必然呢?

芯朋微電子 ? 來源:芯朋微電子 ? 2023-03-09 18:09 ? 次閱讀

反激變換器廣泛應(yīng)用于150W以內(nèi)的開關(guān)電源,隨著寬禁帶半導(dǎo)體的快速發(fā)展,涌現(xiàn)出QR、QR-Lock、ACF、AHB等高頻控制技術(shù)!其中,QR-Lock控制技術(shù)因電源方案性價比高,廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源輔源(xxx2QR2280)和快充(xxx1342)。QR-Lock技術(shù)爆紅是偶然還是必然呢?

四種反激控制技術(shù)簡介

01

PWM控制

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b112837a-be5e-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

優(yōu)點(diǎn):定頻控制,控制簡單;

缺點(diǎn):開通損耗大,存在整流管反向恢復(fù)問題,增加EMC同步整流技術(shù)難度,開關(guān)頻率fs一般受限在100kHz以內(nèi)。

02

QR控制技術(shù)

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優(yōu)點(diǎn):開關(guān)管開通損耗小且整流管無反向恢復(fù)問題,fs推進(jìn)至100kHz以上,廣泛應(yīng)用于高功率密度快充;

缺點(diǎn):

a.工作頻率受谷底數(shù)和反饋電壓兩個量影響,頻率變化顯著,環(huán)路穩(wěn)定性差,可能引起聲音;

b. 受最高開關(guān)頻率限制,整體工作頻率不高;

c. Q1開通損耗隨輸入電壓升高而升高。

03

ACF控制

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優(yōu)點(diǎn):開關(guān)管實現(xiàn)軟開關(guān),漏感能量實現(xiàn)回收;

缺點(diǎn):

a. 為了讓勵磁電感參與零電壓開通(ZVS),一般工作在臨界模式,開關(guān)頻率變化范圍太寬,需要引入降頻控制;

b. Q2驅(qū)動復(fù)雜,增加成本。

04

AHB

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優(yōu)點(diǎn):開關(guān)管實現(xiàn)軟開關(guān),漏感能量實現(xiàn)回收,適合寬輸出(相比LLC);

缺點(diǎn):

a. 屬于Buck型變換器,不適合寬輸入,需要配合PFC級(輸入功率>75W);

b. 為了讓勵磁電感參與ZVS,一般工作在臨界模式,開關(guān)頻率變化顯著,需引入降頻控制;

c. Q1驅(qū)動復(fù)雜,增加成本。

QR-Lock與QR控制的差異

b1abac30-be5e-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

如上圖所示,開關(guān)周期Ts由導(dǎo)通時間Ton、消磁時間Tdmg、振蕩時間Tosc組成,其表達(dá)式如下:

b1d05486-be5e-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

QR-Lock:在一個負(fù)載點(diǎn),決定開關(guān)周期的變量只有反饋電壓VFB,谷底數(shù)N是常數(shù)。

傳統(tǒng)QR:在一個負(fù)載點(diǎn),決定開關(guān)周期的變量有VFB和谷底數(shù)N兩個變量。

QR-Lock為什么會走紅?

1. 因谷底鎖定,開關(guān)頻率fs受VFB電壓線性調(diào)節(jié),從根源上解決了傳統(tǒng)QR可能存在的噪音問題及對觸摸屏的干擾問題;

2. 因谷底鎖定,寬負(fù)載段開關(guān)頻率變高且可工作在限定的最高開關(guān)頻率附近,充分發(fā)揮GaN器件優(yōu)勢,利于開關(guān)電源的小型化;

3. 因谷底鎖定,小信號模型等價為PWM定頻控制,從根源上解決了不同輸出電壓下壓控振蕩器斜率不同的問題,寬輸出電壓下,環(huán)路更容易穩(wěn)定;

b1e12162-be5e-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

4. QR模式屬于零電流開通,開通速度放慢不影響效率,適合GaN器件,通過降低dV/dt改善SR尖峰及EMC特性,無CCM模式反向恢復(fù)時間引起的電壓尖峰問題;

5. 外圍精簡,和傳統(tǒng)反激對比無外圍增加,僅通過控制技術(shù)革新,可顯著改善反激電源多方面性能,超高性價比;

三大網(wǎng)紅快充方案

65W PN8783快充方案

輸入規(guī)格90Vac~264Vac

輸出規(guī)格:5V3A,9V3A,15V3A,20V3.25A

高效率:滿載效率93.7%(230Vac),滿足CoC V5 Tier2能效規(guī)范

低待機(jī)功耗:小于75mW

供電范圍:支持PD3.0協(xié)議

控制芯片PN8783+PN8307P+AP2080

b1f7aeb4-be5e-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

65W PN8213快充方案

輸入規(guī)格:90Vac~264Vac

輸出規(guī)格:5V3A,9V3A,15V3A,20V3.25A

高效率:滿載效率93.2%(230Vac),滿足CoC V5 Tier2能效規(guī)范

低待機(jī)功耗:小于75mW

寬供電范圍:支持PD3.0協(xié)議

控制芯片:PN8213+PN8307P+AP2080

b2ad988c-be5e-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

100W PN8213多口充方案

輸入規(guī)格:90Vac~264Vac

輸出規(guī)格:5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V5A

高效率:滿載效率94.0%(230Vac),滿足CoC V5 Tier2能效規(guī)范

低待機(jī)功耗:小于75mW

寬供電范圍:支持PD3.0協(xié)議

控制芯片:PN8280+PN8213+PN8601+AP2968






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:65-100W快充QR-LOCK控制技術(shù)揭秘

文章出處:【微信號:chipown,微信公眾號:芯朋微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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