模擬集成在應(yīng)對(duì)LTE-Advanced無線電工程師面臨的新挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著重要作用。第三代合作伙伴計(jì)劃（3GPP）正在開發(fā)LTE-Advanced標(biāo)準(zhǔn)的第3版（Rel-12）。12GPP Rel-3 包括對(duì) 12G 無線接入技術(shù)的許多增強(qiáng)功能，包括寬帶載波聚合、多層空間復(fù)用和高級(jí)天線配置。Rel-4增強(qiáng)功能將挑戰(zhàn)無線電設(shè)計(jì)人員集成更多的RF發(fā)射器通道，從而實(shí)現(xiàn)更小，更低功耗和更高性能的eNodeB基站。射頻模擬集成和顛覆性無線電架構(gòu)的進(jìn)步可以幫助工程師成功克服集成挑戰(zhàn)。

介紹

本應(yīng)用筆記系列分為兩部分，回顧了第四代長(zhǎng)期演進(jìn)（4G-LTE）蜂窩標(biāo)準(zhǔn)的新發(fā)展。該系列探討了LTE-Advanced （LTE-A） Release-12 （Rel-12）功能以及對(duì)eNodeB射頻（RF）發(fā)射器的影響。應(yīng)用筆記揭示了模擬集成如何克服最新4G開發(fā)帶來的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。每個(gè)應(yīng)用筆記的末尾都附有技術(shù)術(shù)語表。

關(guān)于技術(shù)演進(jìn)的第1部分應(yīng)用說明探討了推動(dòng)全球采用LTE標(biāo)準(zhǔn)的市場(chǎng)力量以及第四代（4G）無線接入技術(shù)的趨勢(shì)。讀者將了解第三代合作伙伴計(jì)劃 （3GPP） Rel-3 規(guī)范中概述的工作項(xiàng)。主題包括載波聚合 （CA）、下行鏈路空間復(fù)用和有源天線系統(tǒng) （AAS）。

本應(yīng)用筆記第2部分探討了4G基站中的模擬集成挑戰(zhàn)。Rel-12 特性，如寬帶下行鏈路載波聚合、下行鏈路多輸入多輸出 （MIMO） 空間復(fù)用和帶嵌入式射頻的 AAS，為下一代 eNodeB 無線電帶來了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。引入了一種顛覆性的比特到RF解決方案，可以幫助工程師塑造替代無線電發(fā)射器架構(gòu)。討論的重點(diǎn)是新型RF數(shù)模轉(zhuǎn)換器（RF-DAC）技術(shù)，該技術(shù)可產(chǎn)生單芯片寬帶RF發(fā)射器解決方案。讀者將了解RF-DAC的系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用及其為eNodeB無線電設(shè)計(jì)帶來的集成優(yōu)勢(shì)。

概述

關(guān)于LTE和LTE-A Rel-12背景的一些要點(diǎn)必須從第1部分應(yīng)用筆記中總結(jié)出來。這個(gè)簡(jiǎn)短的題外話將是引導(dǎo)讀者應(yīng)對(duì)最新4G發(fā)展帶來的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的最佳方式。

LTE被公認(rèn)為發(fā)展最快的移動(dòng)寬帶技術(shù)，并成為全球采用最廣泛的蜂窩標(biāo)準(zhǔn)。無線服務(wù)提供商在全球范圍內(nèi)采用LTE的速度已經(jīng)超過了之前的2G和3G部署。LTE的普及主要是由于其高頻譜效率和高峰值數(shù)據(jù)速率，基于IP的低延遲網(wǎng)絡(luò)和演進(jìn)路線圖。但LTE不是“真正的4G”服務(wù)，從技術(shù)上講仍被認(rèn)為是3.9G。

被稱為國(guó)際移動(dòng)通信高級(jí)（IMT-Advanced）的“真正的4G”無線電通信標(biāo)準(zhǔn)必須滿足國(guó)際電信聯(lián)盟無線電部門（ITU-R）規(guī)定的要求。IMT-Advanced將4G定義為一種服務(wù)，可為高移動(dòng)性用戶提供100Mbps峰值數(shù)據(jù)速率，為低移動(dòng)性客戶端提供1Gbps峰值數(shù)據(jù)速率。為了符合IMT-Advanced的愿景，自3年發(fā)布最初的LTE Rel-8標(biāo)準(zhǔn)以來，2008GPP已經(jīng)開發(fā)了許多增強(qiáng)功能。

在Rel-10中，3GPP將LTE-Advanced作為“真正的4G”服務(wù)引入，以滿足或超過IMT-Advanced的要求。目前，Rel-12已接近推出，計(jì)劃于2015年1月進(jìn)行功能凍結(jié)。圖10顯示了LTE開發(fā)時(shí)間表，可以看出理論上的峰值下行鏈路（DL）和上行鏈路（UL）數(shù)據(jù)速率分別提高了約20倍和300倍，從Rel-75中的DL = 8Mbps / UL = 3Mbps增加到Rel-1中的DL = 5Gbps / UL = 10.10Gbps。峰值數(shù)據(jù)速率的顯著提高部分是由于寬帶CA與Rel-12中引入的多層空間復(fù)用相輔相成，現(xiàn)在是Rel-<>增強(qiáng)功能的重要組成部分。

圖1.LTE發(fā)布時(shí)間表顯示了無線接入技術(shù)的演進(jìn)進(jìn)步。

Rel-12增強(qiáng)功能將顯著影響演進(jìn)的NodeB（eNodeB）無線電的設(shè)計(jì)方式。一些重要的 Rel-12 項(xiàng)目包括載波聚合的新組合、下行鏈路 MIMO 的空間多路復(fù)用增強(qiáng)以及 AAS 所需的射頻要求。圖 2 總結(jié)了 Rel-12 的一些項(xiàng)目及其各自的功能和優(yōu)點(diǎn)。Rel-12 功能增強(qiáng)為 LTE 生態(tài)系統(tǒng)帶來了許多好處，同時(shí)也帶來了新的無線電設(shè)計(jì)和無線電架構(gòu)挑戰(zhàn)。

圖2.發(fā)行版 12 工作項(xiàng)的功能和優(yōu)點(diǎn)。

宏基站中的射頻發(fā)射器集成挑戰(zhàn)

在4G宏蜂窩基站中，與2G/3G基站相比，采用具有多層空間復(fù)用的下行鏈路MIMO或部署具有嵌入式RF的AAS可以將發(fā)射器信道密度分別提高3倍或32倍。在不久的將來，使用多列450D天線陣列，每個(gè)扇區(qū)的無線電信道數(shù)可能會(huì)增加到2個(gè)或更多。使eNodeB信道密度趨勢(shì)更加復(fù)雜的是對(duì)寬帶頻率捷變發(fā)射機(jī)的要求。通用硬件 eNodeB 無線電平臺(tái)必須支持 2MHz 至 7.41GHz 的 LTE 頻段覆蓋，并具有 Band-100/Band-<> 覆蓋路線圖，并支持高達(dá) <>MHz 的 CA 帶寬。顯然，需要技術(shù)顛覆，以促進(jìn)多通道、高性能無線電發(fā)射器集成到空間受限、功率受限和成本敏感的應(yīng)用中，如遠(yuǎn)程無線電單元、集成天線無線電、AAS 和傳統(tǒng)基站收發(fā)器 （BTS） 線卡。

射頻 DAC 發(fā)射器解決方案

使用高速RF DAC進(jìn)行直接比特到RF轉(zhuǎn)換是eNode發(fā)射器的技術(shù)顛覆。RF-DAC 分區(qū)使用直接數(shù)字頻率合成 （DDS） 將正交調(diào)制器、捷變本振和信號(hào)濾波模擬功能移入數(shù)字域（圖 3）。帶DDS分區(qū)的RF DAC利用摩爾定律。它利用了這樣一個(gè)事實(shí)，即數(shù)字工藝在功耗更低、速度更快、芯片面積更小、成本更低方面比模擬工藝擴(kuò)展得更好。然而，只有實(shí)現(xiàn)從數(shù)字域到模擬域的直接信號(hào)轉(zhuǎn)換，才能實(shí)現(xiàn)摩爾定律的好處。RF DAC是使之成為可能的技術(shù)，因?yàn)樗鼧蚪恿藬?shù)模域。RF DAC通常被描述為一種混合信號(hào)器件，在多個(gè)奈奎斯特區(qū)工作，轉(zhuǎn)換速率高于1.5Gsps，以執(zhí)行直接位到RF信號(hào)合成。RF DAC在500.2GHz或更高的載波頻率下合成至少0MHz信號(hào)帶寬的輸出信號(hào)。

圖3.圖中顯示了RF發(fā)送器架構(gòu)從傳統(tǒng)的復(fù)中頻產(chǎn)品陣容（頂部）轉(zhuǎn)向單芯片RF DAC方案（MAX5868，底部）。

射頻 DAC 發(fā)射器的優(yōu)勢(shì)

與傳統(tǒng)的RF發(fā)射器架構(gòu)（圖4）相比，如零中頻（Zero-IF）、復(fù)中頻和實(shí)中頻，RF-DAC架構(gòu)解決方案占用的印刷電路板（PCB）面積更小，物料清單（BOM）元件更少。它以較低的功耗運(yùn)行，并提供出色的動(dòng)態(tài)性能。

圖4.射頻發(fā)射器架構(gòu)選項(xiàng)。

在RF性能方面，RF DAC與其他拓?fù)湎啾染哂酗@著優(yōu)勢(shì)。在DDS中實(shí)現(xiàn)的數(shù)字上變頻（DUC）消除了增益相位誤差，并在無LO泄漏的情況下實(shí)現(xiàn)了完美的載波抑制。結(jié)果是在傳輸高階調(diào)制（如 QAM64）時(shí)具有出色的 EVM 性能。正交NCO使RF DAC成為能夠在整個(gè)LTE頻段頻譜上進(jìn)行調(diào)諧的敏捷發(fā)射器。由于RF DAC具有寬帶和頻率捷變性，具有高動(dòng)態(tài)范圍，因此單個(gè)器件可以合成多載波、多頻段和多標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)，包括GSM、WDMA和LTE。現(xiàn)在，設(shè)計(jì)人員可以實(shí)現(xiàn)全數(shù)字軟件定義無線電，并在多個(gè)eNodeB無線電平臺(tái)上使用通用硬件。

直接變頻RF-DAC技術(shù)的另一個(gè)好處是，它允許工程師使用成本較低的數(shù)字預(yù)失真（DPD）觀測(cè)接收器。宏蜂窩基站使用 DPD 技術(shù)進(jìn)行射頻功率放大器 （PA） 線性化。這需要一個(gè)PA觀察接收器通道，如圖3所示，來監(jiān)控PA輸出。觀察接收器檢測(cè)PA失真產(chǎn)物，并與預(yù)失真器配合使用，以補(bǔ)償互調(diào)和相鄰?fù)ǖ缆╇姽β省Ｍǔ＃珼PD帶寬擴(kuò)展要求DPD觀測(cè)接收器帶寬是數(shù)據(jù)帶寬的五倍。在100MHz CA應(yīng)用中，這意味著DPD帶寬必須至少為500MHz。此外，觀測(cè)接收器無法向觀測(cè)信號(hào)添加損傷，因?yàn)樗鼈儫o法從主TX路徑損傷中辨別出來。因此，DPD觀察路徑必須具有出色的線性度，這會(huì)增加成本和電路復(fù)雜性。相反，如果主TX路徑的損傷可以忽略不計(jì)，則可以糾正DPD路徑損傷。

回想一下，RF-DAC不會(huì)引入增益或相位誤差，因此TX路徑損傷可以忽略不計(jì)。因此，可以采用低成本和低性能的DPD接收器，如零中頻（ZIF）接收器。與高中頻或直接RF采樣相比，ZIF架構(gòu)成本更低有三個(gè)原因：（1）正交解調(diào)可實(shí)現(xiàn)較低的轉(zhuǎn)換速率、基帶采樣、雙通道高速ADC，因?yàn)樗恍枰炕疍PD擴(kuò)展帶寬的一半;（2）ADC采樣基帶信號(hào)，而不是高中頻或直接RF，這意味著ADC不需要皮微或毫微秒孔徑抖動(dòng);（3）與IF或RF濾波器相比，基帶I/Q抗混疊濾波器成本更低，設(shè)計(jì)更易于設(shè)計(jì)。總之，RF-DAC發(fā)射器放寬了DPD接收器的信號(hào)路徑性能要求;從而進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。

MIMO 應(yīng)用中的 RF-DAC

LTE Rel-8 在用戶設(shè)備 （UE） 類別 2 至 2 中建立了對(duì) 2x4 MIMO 的支持。UE類別表示用戶設(shè)備可實(shí)現(xiàn)的數(shù)據(jù)速率的能力。Rel-8還引入了4x4 MIMO，以實(shí)現(xiàn)15位/秒/赫茲的下行頻譜效率，并提供300Mbps的峰值數(shù)據(jù)速率。Rel-10 通過 8x8 MIMO 對(duì)此進(jìn)行了擴(kuò)展，以實(shí)現(xiàn) 30 位/秒/Hz 效率和 3Gbps 下行鏈路數(shù)據(jù)速率。Rel-12 為 MIMO 天線方案引入了進(jìn)一步的增強(qiáng)功能。

MIMO 的采用可以被視為 eNodeB 無線電發(fā)射機(jī)信道倍增器。請(qǐng)注意，8x8 MIMO 的無線電信道密度是 4x4 MIMO 的兩倍，是 2x2 MIMO 密度的四倍。這可以稱為“MIMO乘法效應(yīng)”。隨著 4G 網(wǎng)絡(luò)發(fā)展到支持多種天線配置，MIMO 發(fā)射器通道的數(shù)量將成倍增加。MIMO 倍增效應(yīng)使電路尺寸成為 eNodeB 發(fā)射器的關(guān)鍵設(shè)計(jì)因素。

圖5比較了2X2 MIMO應(yīng)用中典型零中頻發(fā)射器與RF DAC發(fā)射器的PCB面積。RF DAC系列是一個(gè)明顯更小的解決方案;它通常占用的PCB面積減少60%，元件數(shù)量減少75%。RF DAC使設(shè)計(jì)人員能夠在不增加PCB面積的情況下提高無線電發(fā)射器通道密度。通過集成，它降低了BOM成本并減少了庫(kù)存。此外，這種低元件數(shù)解決方案最大限度地減少了IC互連的數(shù)量，從而降低了走線布線的復(fù)雜性并放寬了元件放置要求。設(shè)計(jì)人員將獲得PCB布局靈活性，提高首次設(shè)計(jì)成功的可能性，縮短上市時(shí)間縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，并通過更少的潛在故障點(diǎn)獲得更高的可靠性。

圖5.2x MIMO零中頻發(fā)送器和MAX5868 RF DAC發(fā)送器之間的PCB面積比較注意：AQM = 模擬正交調(diào)制器;LO = 本振（PLL/VCO 頻率合成器）;VGA = 可變?cè)鲆娣糯笃?/u>;I/Q濾波器=多極，差分。圖表不是按比例縮放的。