色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SiC開發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開關(guān)速率測試

李平 ? 來源:lining870815844 ? 作者:lining870815844 ? 2023-02-27 10:27 ? 次閱讀

這篇文章來源于電子發(fā)燒友網(wǎng) 網(wǎng)友李**

羅姆這回提供的電路非常豐富,按由主及次的評測思路,我們需要對電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計電路實驗,特整理了電路分析的內(nèi)容。

整個評估板提供的主要電路如下,圖中電路主要意思是這樣,評估板提供了由兩個SiC Mosfet管組成上下橋臂電路,整個評估板提供了一個半橋電路,可以支持Buck,Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?/p>

SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成,上下橋臂各有一塊電路,同時上下橋臂還是用了以BD7F200組成的反擊式開關(guān)電源為為驅(qū)動電路提供電源,評估用戶只需要給BM6101驅(qū)動電路提供控制電平再通過外部拓?fù)浯罱ň涂梢詫崿F(xiàn)各種小型電源的拓?fù)鋵崿F(xiàn)。

poYBAGPzJEuAJxpwAAClL0xRnYw616.jpg

圖1 評估板主要電路

接下來就需要仔細(xì)查看下反激式開關(guān)電源電路的設(shè)計,其電路結(jié)構(gòu)如下,

poYBAGPzJEyAacLMAAHzG5aHcd4454.jpg

以上橋臂為例,BD7F200EF是開關(guān)電源的控制芯片,控制電壓Vcc為12V,輸入電壓是Vcc通過變壓器TX1的結(jié)構(gòu)構(gòu)成反激式開關(guān)電源,變壓器次級有兩個線圈,在這個電路中主要用于調(diào)節(jié)電壓輸出,簡要介紹電路提供的手動可調(diào)節(jié)器件有如下:

JP51:這是一個接插件,將其短接1腳VEE輸出0V,短接至2腳輸出-2V;

RV51:這是一個可調(diào)電阻,可以調(diào)節(jié)輸出電壓Vcc2,S-19700A00A是一個線性電源芯片,1腳的輸入電壓親測為23.1V,默認(rèn)JP51是置于1腳,VCC輸出18.5V。

下橋臂電路也是一樣的原理,測得變壓輸出23.1V,輸出18.5V電壓

驅(qū)動電路的前端會進(jìn)行邏輯電平的轉(zhuǎn)換,我是用一塊開發(fā)板輸出3.3V,2KHz開關(guān)頻率,通過評估板的邏輯電平轉(zhuǎn)換為5V的電平,這樣既可以共BM6101電路使用,BM6101是一款電流隔離芯片,通過它進(jìn)行兩級驅(qū)動Mosfet管。而驅(qū)動的電壓就是通過開關(guān)電源調(diào)整得到的電壓,驅(qū)動電路還如下圖黃框區(qū)提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)

poYBAGPzJE-AB8-7AAERjyZbB44323.jpg

利用示波器在在這時對柵極源極電壓,以及源漏電壓進(jìn)行采集,由于使用的非隔離示波器,就在單管上進(jìn)行了對兩個波形進(jìn)行了記錄:

綠色:柵極源極間電壓;

黃色:源極漏極間電壓;

poYBAGPzJFGAEUdAAAKjjhp2eLo445.png

由于Mosfet使用的SiC材料,通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時間可以判斷出這是一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,示波器的采樣率達(dá)到4GSa/S,在這種情況下測試,源極和漏極動作時間在nS級以內(nèi),所以在元器件材料這個地方就支撐了500KHz的開關(guān)頻率。

poYBAGPzJFOAXnISAAKNrOwPn0U001.png



審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7203

    瀏覽量

    213661
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2841

    瀏覽量

    62740
  • 開發(fā)板
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    5084

    瀏覽量

    97733
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    為何使用 SiC MOSFET

    °C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時,SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理,從而減小了印刷
    發(fā)表于 12-18 13:58

    SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

    和設(shè)計案例主要元器件的選型輸入電容器C1與VCC用電容器C2主要部件的選型電感 L1電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對策 實裝PCB布局與總結(jié)使用SiC-MOS
    發(fā)表于 11-27 16:38

    SiC-MOSFET體二極管特性

    SiC-MOSFET-溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC(碳化硅)?何謂碳化硅SiC功率元器件的
    發(fā)表于 11-27 16:40

    SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

    Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時,還需要探討柵極驅(qū)動器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別:內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET
    發(fā)表于 11-30 11:34

    溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品

    本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFETSiC-MOSFET
    發(fā)表于 12-05 10:04

    搭載SiC-MOSFETSiC-SBD的功率模塊

    1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFETSiC-SBD的功率模塊。
    發(fā)表于 03-12 03:43

    SiC-MOSFET有什么優(yōu)點

    電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
    發(fā)表于 04-09 04:58

    SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

    電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
    發(fā)表于 05-07 06:21

    淺析SiC-MOSFET

    SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
    發(fā)表于 09-17 09:05

    【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器

    項目名稱:基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃:申請理由本人在電力電子領(lǐng)域(數(shù)字電源)有五年多的開發(fā)經(jīng)驗,熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路
    發(fā)表于 04-24 18:08

    【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC MOSFET元器件性能研究

    項目名稱:SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃:申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗,熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用,掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效
    發(fā)表于 04-24 18:09

    【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】開箱報告

    電壓尖峰,開通關(guān)斷時間等。同樣也給出了同步整流BUCK的連接示意,我這邊打算后續(xù)先進(jìn)行計算和仿真,得到電路的一些參數(shù),然后先搭建開環(huán)BUCK測試電路測試靜態(tài)特性,再采用stm32
    發(fā)表于 05-19 16:03

    【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC開發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開關(guān)速率測試

    SiC Mosfet管組成上下橋臂電路,整個評估提供了一個半橋電路,可以支持Buck,Boost和半橋
    發(fā)表于 06-07 15:46

    【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC開發(fā)板搭建簡易Buck電路拓?fù)?/a>

    `今天主要對評估進(jìn)行了Buck拓?fù)涞膶崿F(xiàn),通過評估半橋的結(jié)構(gòu),搭建Buck降壓電路。Buck電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下。Buck
    發(fā)表于 06-07 19:19

    SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢

    éveloppement2016年報告,展示了SiC模塊開發(fā)活動的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點仍然存在,因為控制和電源
    發(fā)表于 02-27 13:48
    主站蜘蛛池模板: 亚洲乱码国产乱码精品精98| 国内精品自产拍在线少密芽| 精品AV无码一二三区视频| 高跟丝袜岳第一次| 国产精品乱码色情一区二区视频| 欧美末成年videos丨| 在线视频网站www色| 精品无码国产污污污免费网站2| 丝袜诱惑qvod| 囯产少妇BBBBBB高潮喷水一 | 亚洲国产夜色在线观看| 久爱在线中文在观看| 国产精品爆乳尤物99精品| 欧洲内射XXX高清| 扒开屁股眼往里面夹东西| 芳草地在线观看免费观看| 青草在线观看视频| 国产亚洲精品久久久久久久| 10分钟免费观看视频| 手机国产视频福利| 领导边摸边吃奶边做爽在线观看| 俄罗斯XBXBXB兽交| 中国老太太xxx| 天龙八部慕容属性加点| 久久综久久美利坚合众国| 国产黄片毛片| 99热久久久无码国产精品性麻豆| 亚洲AV色香蕉一区二区三区| 女人高潮时一吸一夹| 好男人社区| 大学生第一次破女在线观看 | 在线视频免费观看| 十七岁日本免费完整版BD| 乱辈通奷XXXXXHD猛交| 国产精品久久久久久久久久影院| 91青青草原| 亚洲看片网站| 少妇系列之白嫩人妻| 暖暖日本在线手机免费完整版| 好大好爽CAO死我了BL| 第一怡春院|