Part 2

主要半導體設備及所用材料

01

氧化爐

設備功能：為半導體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現半導體預期設計的氧化處理過程，是半導體加工過程的不可缺少的一個環節。

所用材料：硅片、氧氣、惰性氣體等。

國外主要廠商：英國Thermco公司、德國Centrothermthermal Solutions GmbH Co.KG公司等。

國內主要廠商：七星電子、青島福潤德、中國電子科技集團第四十八所、中國電子科技集團第四十五所等。

02

PVD（物理氣相沉積）

設備功能：通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，實現高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。

所用材料：靶材、惰性氣體等。

國外主要廠商：美國應用材料公司、美國PVD公司、美國Vaportech公司、英國Teer公司、瑞士Platit公司、德國Cemecon公司等。

國內主要廠商：北方微電子、北京儀器廠、沈陽中科儀器、中國電子科技集團第四十八所、科睿設備有限公司等。

03

PECVD

設備功能：在沉積室利用輝光放電，使反應氣體電離后在襯底上進行化學反應，沉積半導體薄膜材料。

所用材料：特種氣體（前驅物、惰性氣體等）。

國外主要廠商：美國Proto Flex公司、日本Tokki公司、日本島津公司、美國泛林半導體（Lam Research）公司、荷蘭ASM國際公司等。

國內主要廠商：北方微電子、中國電子科技集團第四十五所、北京儀器廠等。

04

MOCVD

設備功能：以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

所用材料：特種氣體（MO源、惰性氣體等）。

國外主要廠商：德國Aixtron愛思強公司、美國Veeco公司等。

國內主要廠商：中微半導體、中晟光電、理想能源設備等。

05

***

設備功能：將掩膜版上的圖形轉移到涂有光刻膠的襯底（硅片）上，致使光刻發生反應，為下一步加工（刻蝕或離子注入）做準備。

所需材料：光刻膠等

國外主要公司：荷蘭阿斯麥（ASML）公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美國ABM公司、德國SUSS公司、美國Ultratech公司、奧地利EVG公司等。

國內主要公司：上海微電裝備（SMEE）、中國電子科技集團第四十八所、中國電子科技集團第四十五所、成都光機所等。

06

涂膠顯影機

設備功能：與***聯合作業，首先將光刻膠均勻地涂到晶圓上，滿足***的工作要求；然后，處理***曝光后的晶圓，將曝光后的光刻膠中與紫外光發生化學反應的部分除去或保留下來。

所用材料：光刻膠、顯影液等。

國外主要廠商：日本TEL、德國SUSS、奧地利EVG等。

國內主要廠商：沈陽芯源等。

07

檢測設備

檢測設備包括CDSEM、OVL、AOI、膜厚等。

設備功能：通過表征半導體加工中的形貌與結構、檢測缺陷，以達到監控半導體加工過程，提高生產良率的目的。

所用材料：特種氣體等。

國外主要廠商：美國的KLA-Tencor、美國應用材料、日本Hitachi、美國Rudolph公司、以色列Camtek公司等。

國內主要公司：上海睿勵科學儀器等。

審核編輯 ：李倩