這一節繼續對共射放大電路進行總結分析，確定基極偏置電路和耦合電容！

關鍵：共射放大器電路；

表1-1 共射放大電路的設計規格

01確定基極偏置電路的設計

設發射極電阻RE的壓降為發射極電位，為VE=2V，由于VBE=0.6V，所以基極電位VB必須是2.6V（2V+0.6V）。由于基極電位是由R1和R2對電源電壓進行分壓之后的電位，所以，如果設R2的壓降為2.6V，R1的壓降為12.4V（15V-2。6V）即可。另外，在晶體管的基極流動的基極電流為集電極電流的1/hFE，假設hFE=200，則流動的基極電流為0.005mA。

因此，有必要在R1與R2流過比基極電流大得多的電流，使得基極電流能夠忽略。在這里，在R1與R2上流動的電流取為0.1mA（認為“大得多”=10倍以上就可以了）。

即R1和R2電阻值為：

但是，這個R1與R2的值在E24系統數列的電阻中是沒有的，所以不改變R1與R2的比值（比值一改變，VB的值就變了），在E24系統的電阻值中來挑選，取為R1=100KΩ，R2=22kΩ。如圖1-1，表示至此所求的常數以及其他部分的直流電位電路圖：

圖1-1 共發射極電路的DC電位

02確定耦合電容C1與C2的方法

C1與C2是將基極或集電極的直流電壓截去僅讓交流成分進行輸入輸出的耦合電容，但是如圖2-1所示:

圖2-1 共發射極放大電路的高通濾波器

圖2-1中，C1與輸入阻抗、C2與連接在輸出端的負載電阻分別形成高通濾波器——僅讓高頻通過的濾波器。當C1與C2取小值時，在濾波效果上難于通過低頻，頻率特性下降，在此取C1=C2=10uF。關于圖2-1中電路的交流輸入阻抗，如設晶體管的輸入阻抗為無限大，則電源的阻抗在交流上是與GND相同的阻抗（即為0Ω），所以輸入阻抗為R1與R2的并聯連接的值R1//R2（晶體管的基極電流極小，所以晶體管本身的輸入阻抗可以看成非常大）。

因此，由C1形成的高通濾波器的截止頻率fc（振幅特性下3dB—即下降到1/1.414）為：

要注意，由該C2形成的高通濾波器fc，會因輸出端接有不同的負載電阻而發生變化。