來源：半導體芯科技SiSC

自電子設(shè)備誕生的那一刻起，儲存芯片就作為數(shù)據(jù)保存的載體。隨著大數(shù)據(jù)時代來臨，AI與IoT的融合發(fā)展，數(shù)據(jù)量快速增加，存儲需求相應(yīng)急增。目前在集成電路市場上，獨立存儲芯片占集成電路總數(shù)量的約1/4。存儲芯片作為數(shù)據(jù)存儲物理介質(zhì)，其可靠性、安全性尤為重要。它是各類電子設(shè)備實現(xiàn)存儲功能的主要部件，也是應(yīng)用最廣泛的基礎(chǔ)性通用芯片之一。同時，云計算的開放性使得用戶數(shù)據(jù)安全性面臨較大挑戰(zhàn)。

DRAM、NAND FLASH等半導體存儲技術(shù)，我國從無到有。存儲芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、模組應(yīng)用等一系列存儲產(chǎn)業(yè)集群日漸成形。存儲芯片作為半導體產(chǎn)業(yè)的一個部分，國內(nèi)存儲芯產(chǎn)業(yè)的廠商期待與世界快速接軌。

2022年10月13日14:00-16:00第十四屆晶芯在線研討會之“大數(shù)據(jù)時代的半導體存儲與數(shù)據(jù)安全”，由雅時國際商訊主辦、大會媒體《半導體芯科技》雜志社協(xié)辦、CHIP China晶芯研討會承辦的主題會議上，我社邀請到垂直存儲產(chǎn)業(yè)鏈重量級企業(yè)，分別從各自領(lǐng)域深度剖析半導體以及存儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)、市場與應(yīng)用等趨勢。

ACT雅時商訊總裁、《半導體芯科技》出版總監(jiān)麥協(xié)林先生在致辭中，向所有上線嘉賓表示歡迎和感謝，期待通過本次會議促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展與企業(yè)間的聯(lián)動。在這半天的直播時間里，共有近900名觀眾報名參加、近700人上線參與、近千條評論區(qū)實時互動留言，3852次點贊鼓掌，高頻互動問答給大家更是留下了深刻的印象，反響熱烈。

第一位演講嘉賓，華潤微電子新型半導體器件首席專家 李少平。李博士一直在國際著名研究機構(gòu)與國際高科技芯片和MEMS傳感器企業(yè)，從事非易失性存儲器芯片與MEMS芯片的開發(fā)。李博士為我們分享了《新型非易失性存儲芯片技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進展》。其中具體闡述了新興非易失性存儲芯片的特點、產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀，MRAM與鐵電非易失性存儲技術(shù)的現(xiàn)狀和進展。以及非易失性存儲的應(yīng)用場景。

李博士在MRAM，F(xiàn)eRAM和ReRAM等新型非易失性存儲芯片領(lǐng)域均有建樹。2011年與團隊一起在國際上最早提出采用Ta、W等非磁性重金屬薄膜并利用 Edelstein效應(yīng)制造垂直磁化SOT（自旋軌道轉(zhuǎn)矩）MRAM存儲器芯片。李博士認為，開發(fā)領(lǐng)先的非易失性存儲器芯片的技術(shù)，目標在于發(fā)展下一代高密度, 高性能, 高可靠性芯片。短期目標市場可替代部分NOR Flash；我們應(yīng)抓住全球非易失性存儲芯片技術(shù)開發(fā)調(diào)整的機遇，填補原創(chuàng)新型非易失性存儲芯片的技術(shù)空白(SOT與FTJ)，為存儲芯片產(chǎn)業(yè)崛起打下基礎(chǔ)。

第二位演講嘉賓，深圳大學微電子研究院封測中心主任 黃雙武。黃教授獲得新加坡國立大學博士后，已在新加坡和美國工作18年，先后服務(wù)于日立化成（HCAP）、美光科技（Micron）、星科金朋（StatschipPAC）、新加坡微電子研究所（IME）、瑞士SFS集團旗下Unisteel公司技術(shù)總監(jiān)。2014回國加入碩貝德無線科技（SPEED）負責TSV制造和指紋模組封裝技術(shù)開發(fā)。

黃教授深入淺出地為我們分享了《先進封裝在存儲器件中的應(yīng)用》，詳細介紹了存儲芯片50年的技術(shù)發(fā)展歷程，講解了倒裝焊接（Flip Chip-BGA）、3D封裝扇出型晶圓級別封裝（FOWLP）、 SoC&SiP、3D IC、硅通孔等先進封裝技術(shù)，并探討了未來50年存儲芯片封裝技術(shù)的發(fā)展方向，就異質(zhì)異構(gòu)集成電路發(fā)展趨勢與面臨挑戰(zhàn)、大灣區(qū)的需求情況等進行總結(jié)報告。

第三位演講嘉賓，沛頓科技（深圳）有限公司首席技術(shù)官 何洪文。何博士給我們分享了半導體發(fā)展的驅(qū)動力，先進封裝的市場和技術(shù)趨勢、先進封裝面臨的挑戰(zhàn)，以及存儲封裝的解決方案。

據(jù)預估，2030年全球半導體銷售額達萬億，相比2021年復合增長率6~7%。高端產(chǎn)品封裝市場增長迅速; 國內(nèi)存儲芯片需求龐大、自給率低，新興應(yīng)用及政策推動助力國產(chǎn)存儲芯片快速發(fā)展。由于半導體工藝越來越接近極限，每一代工藝帶來的性能增益越來越小，先進封裝將成為芯片性能提升的主要推動力。先進工藝的紅利逐漸減少，不斷縮減晶體管尺寸的技術(shù)路徑開始放緩，先進工藝節(jié)點研發(fā)遭遇技術(shù)瓶頸。同時，隨著高端存儲芯片的演進，先進封裝技術(shù)會更多地被應(yīng)用。對于半導體封測領(lǐng)域的企業(yè)來說，先進封裝被稱為實現(xiàn)超越摩爾定律的有效途徑， HB/TSV等先進封裝技術(shù)的發(fā)展推動高端產(chǎn)品廣泛應(yīng)用， Chiplet異構(gòu)集成提供低成本、高集成度的解決方案。本演講中何博士主要重點介紹了POPt、3D TSV、Hybrid Bonding等先進封裝技術(shù)的挑戰(zhàn)，并闡述了沛頓科技在存儲芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域的整體解決方案及技術(shù)規(guī)劃。

第四位演講嘉賓，東芯半導體股份有限公司副總經(jīng)理 陳磊。陳總向我們分享了國內(nèi)存儲市場的現(xiàn)狀及分析，東芯半導體作為本土存儲Fabless芯片設(shè)計公司的自主創(chuàng)芯之路。

隨著大數(shù)據(jù)時代來臨，存儲芯片市場需求巨大，汽車、新基建等產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，對存儲芯片性能提出了更高的要求。國內(nèi)存儲企業(yè)迎頭追趕。截至2021年，我國IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模達到4519億元，同比增長19.6%。其在國內(nèi)集成電路全產(chǎn)業(yè)規(guī)模占比43%。東芯半導體專注于存儲IC設(shè)計，提供小容量NAND、NOR、DRAM存儲芯片的設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案。其中，DS35X4GM-IB，是2021年推出的4Gb SPI NAND Flash，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，是國內(nèi)第一顆2xnm的SPI NAND Flash產(chǎn)品，提供3.3V/1.8V兩種電壓，被廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，5G通訊、企業(yè)級網(wǎng)關(guān)、網(wǎng)絡(luò)智能監(jiān)控、數(shù)字錄像機、數(shù)字機頂盒和智能手環(huán)等終端產(chǎn)品。該品一經(jīng)推出就獲得廣泛關(guān)注。

直播間內(nèi)聽眾們紛紛提出了他們對于半導體存儲技術(shù)的一系列問題，經(jīng)四位專家答疑后，集中問答反饋將在后續(xù)公眾號推出，敬請期待。

審核編輯 黃昊宇