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Nanodcal如何搭建Al-C9H5NS2-Al 輸運體系

鴻之微 ? 來源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-10-12 17:19 ? 次閱讀

Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過程,是目前國內(nèi)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運軟件。可預測材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運性質(zhì)。

迄今為止,Nanodcal 已成功應(yīng)用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導體電子器件設(shè)計等重要研究課題中,并將逐步推廣到更廣闊的電子輸運性質(zhì)研究的領(lǐng)域。

本期將給大家介紹Nanodcal分子電子學3.2.2-3.2.2.3的內(nèi)容。

3.2.2 搭建Al-C9H5NS2-Al 輸運體系

(1)將固定Al電極只馳豫分子的結(jié)構(gòu)導入到DeviceStudio中,點擊Convert to Device,由于輸運方向是Y,所以我們選中Bottom和Top電極;

c30d09c0-4946-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

圖 3-40:

(2)生成Nanodcal的輸入文件:Simulator—Nanodcal—SCF Calculation;

c35a9c6c-4946-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

圖3-41:

(3)根據(jù)自己需要選擇參數(shù)設(shè)置,點擊Generate files生成相應(yīng)文件夾,該文件夾包含2個電極和器件的子目錄(其中input文件包含自洽參數(shù)和原子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù));c3732c96-4946-11ed-a3b6-dac502259ad0.png圖 3-42:

3.2.2.1. 計算模型

用戶可參考第一部分Device Studio建模的過程自行搭建結(jié)構(gòu)。圖2-5給出的是本章將要計算的模型,即Al-C9H5NS2-Al分子輸運體系,這種結(jié)構(gòu)是一個由左電極、中心區(qū)和右電極三個部分組成的雙電極體系。其輸運方向為y方向,左右電極都是Al納米線,中心散射區(qū)包含緩沖層和C9H5NS2分子或者 C9H5NS2-H+/ C9H5NS2-K+。Al-C9H5NS2-Al體系中C9H5NS2分子以及C9H5NS2-H+/ C9H5NS2-K+的結(jié)構(gòu)馳豫在這里不詳細展開,有興趣的用戶可以自行進行計算,下文中所進行的計算使用的都是馳豫之后的原子位置(馳豫之后的原子信息見附錄8,9,10)。

c3c2e86c-4946-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

圖 3-43 (a)、(b)、(c)分別為control體系(只包含C9H5NS2),C9H5NS2-H+體系,C9H5NS2-K+體系的結(jié)構(gòu)示意圖

3.2.2.2. 自洽計算

A.電極的自洽計算

(1)準備輸入文件:參數(shù)文件scf.input;基組文件Al_LDA-DZP.nad。

c3e41f1e-4946-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

(2)自洽計算:連接服務(wù)器(請參見Device Studio的工具欄中help→help Topic→7.應(yīng)用實例→7.1Nanodcal實例)在選擇服務(wù)器后,選中scf.input右擊run。等待計算完畢后點擊JobManager所示界面中的Action下的下載按鈕下載NanodcalObject.mat文件。

B. 中心區(qū)的自洽計算 (1)準備輸入文件:參數(shù)文件scf.input;基組文件Al_LDA-DZP.nad、C_LDA-DZP.nad、H_LDA-DZP.nad、S_LDA-DZP.nad和N_LDA-DZP.nad。

c45c44c6-4946-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

(2)自洽計算:連接服務(wù)器(請參見Device Studio的工具欄中help→help Topic→7.應(yīng)用實例→7.1Nanodcal實例)在選擇服務(wù)器后,選中scf.input右擊run。等待計算完畢后點擊JobManager所示界面中的Action下的下載按鈕下載NanodcalObject.mat文件。

3.2.2.3. 勢分布計算

(1)準備輸入文件potential.input

c5f4f012-4946-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

(2)勢分布計算:見本節(jié)自洽計算

(3)查看屏蔽效應(yīng)

在計算輸運體系的時候,delta hartree potential的勢函數(shù)是我們用來判斷緩沖層是否足夠的標準,只需將calculation.potential.whatPotential參數(shù)設(shè)置為’Vdh’,計算結(jié)束后,會產(chǎn)生以下輸出文件:CoulombPotential.mat。在potential文件夾下,運行plot_potential.m,命令窗口輸入:

c634811e-4946-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

腳本內(nèi)容為:

c6514286-4946-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

運行之后會產(chǎn)生勢函數(shù)沿輸運方向分布的圖,如圖 3-44所示,沿著輸運方向左右兩邊的勢較為平坦,這說明體系的緩沖層是足夠的。在輸運計算中緩沖層的測試是很重要的一個環(huán)節(jié)。

c69e2c86-4946-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

圖 3-44 勢函數(shù)沿輸運方向y分布的圖

審核編輯:彭靜
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原文標題:產(chǎn)品教程|Nanodcal分子電子學(Al-C9H5NS2-Al分子器件輸運03)

文章出處:【微信號:hzwtech,微信公眾號:鴻之微】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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