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MOSFET驅(qū)動(dòng)電路小結(jié)

冬至配餃子 ? 來源:射頻工程師的日常 ? 作者:CC ? 2022-08-10 11:09 ? 次閱讀

這幾天準(zhǔn)備測試DCDC電源的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)沒有負(fù)載,想著要不買一個(gè)看看,淘寶搜了一下,看到網(wǎng)上好多都是給電池放電,測試放電曲線用的,價(jià)格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程電源大師課中有設(shè)計(jì)好的負(fù)載demo板,立即便下載下來準(zhǔn)備打樣,自己做一個(gè)動(dòng)態(tài)負(fù)載切換的PCBA。

負(fù)載切換的原理很簡單,主要通過PWM控制MOS管導(dǎo)通截止來使下圖右側(cè)的電阻R5短路和斷路,其中TP2為DCDC輸出電壓。

① Q1截止時(shí),負(fù)載為R6=25Ω;

② Q1導(dǎo)通時(shí),負(fù)載為R5//R6=25Ω//3Ω=2.68Ω。

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由于以前沒有MOS管驅(qū)動(dòng)的經(jīng)驗(yàn),估計(jì)我自己設(shè)計(jì)的話,直接就用一個(gè)555定時(shí)器驅(qū)動(dòng)如上圖所示的Q1,結(jié)果可想而知,肯定達(dá)不到理想的狀態(tài)。

那什么地方出問題了呢?MOSFET的驅(qū)動(dòng)難道不是VGS大于開啟電壓就可以了嗎?為什么要在前級(jí)放一個(gè)專用MOS管驅(qū)動(dòng)芯片呢?

這時(shí)候就要說到MOS管的寄生電容了,下圖是CSD17303Q5 MOS管的寄生電容參數(shù)和充電的電量。由于Q=Ig*t,Q不變的情況下,如果驅(qū)動(dòng)MOS管柵極的電流小,那么時(shí)間t就會(huì)很長,驅(qū)動(dòng)級(jí)就變成了電容的充放電波形。。。所以像前面提到的555電路直接驅(qū)動(dòng)功率MOS,是得不到一個(gè)漂亮的方波的,很容易就會(huì)生成一個(gè)三角波,從而達(dá)不到想到的效果了。

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審核編輯:劉清

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