為實現具有高擊穿電壓和優異正向特性的第三代半導體功率器件，天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊依托先進的半導體TCAD仿真平臺，優化設計了一種具有p-NiO插入終端的混合式肖特基勢壘二極管結構（Hybrid SBD）。近日，該團隊又制備出擊穿電壓高達1.1 kV級的Hybrid SBD芯片，實驗趨勢復現了前期的仿真設計結果。

Hybrid SBD的結構

如圖1（a）所示，Hybrid SBD結構采用MOCVD技術生長在[0001]晶相的藍寶石襯底上。Hybrid SBD結構主要包括2μm厚的GaN電流擴展層、8μm厚的漂移層、p-NiO場環和SiO2絕緣層，該結構的設計是為了利用p-NiO場環結合MIS場板結構形成混合式肖特基勢壘二極管結構。圖1（a1）是混合邊緣終端的TEM圖。

圖1. GaN基混合式肖特基勢壘二極管的（a）器件結構示意圖和（a1）混合邊緣終端的TEM圖。

Hybrid SBD的特性

如圖2（a）所示，當器件外加反向偏置時，Hybrid SBD結構能實現更高的擊穿電壓，其中，實驗制備與仿真設計的結構均實現了1.1 kV級的擊穿電壓。這是由于當器件處于反向偏置時，p-NiO/n-GaN形成反偏PN結，可以有效地減小金半接觸界面的電場分布，從而降低由鏡像力效應引起的漏電流。此外，當器件在正向偏置條件下時，仿真結果和實驗結果均展示出Hybrid SBD結構具有更高的電流密度，這主要歸功于引入的p-NiO插入終端可以增強器件的電流擴展能力，從而減小導通電阻和減弱電流擁擠引起的強的非輻射復合，進而減小Hybrid SBD結構的理想因子，如圖2（b）和（c）所示。

圖2.（a）平面Ref SBD和Hybrid SBD器件的仿真和實驗測試的反向I-V曲線與仿真擬合曲線；（b）實驗測試的正向I-V曲線與仿真擬合曲線；（c）實驗測試的semi-log形式的正向I-V曲線與理想離子。

審核編輯：湯梓紅