NP2312MR n溝道增強(qiáng)型MOSFET概述
描述
NP2312使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門和收費(fèi)操作門電壓2.5 v。這 設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID = 6
DS(上)(Typ) = 13.5 m? @VGS = 4.5 v
R DS(上)(Typ) = 17 m? @VGS= 2.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
? Load 開關(guān)
封裝
? SOT-23-3L
原理圖
標(biāo)記和引腳分配
訂購信息
典型的性能特征
審核編輯：湯梓紅
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