NP2016 20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET概述
描述
NP2016使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門和收費(fèi)操作門電壓2.5 v。Thisdevice適合作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID R = 16
DS(上)(Typ) = 11.5 m?@VGS R= 2.5 v
DS(上)(Typ) = 9 m?@VGS = 4.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
?負(fù)荷開(kāi)關(guān)包
? DFN2*2-6L-B
原理圖
標(biāo)記和引腳分配
DFN2 * 2-6L-B
(厚度0.55毫米)
訂購(gòu)信息
典型的性能特征
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7234瀏覽量
214071 -
PWM
+關(guān)注
關(guān)注
114文章
5197瀏覽量
214691 -
RDS
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
103瀏覽量
16884
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
AP2222D 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET
銓力授權(quán)一級(jí)代理商 AP2222D 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET
描述：
AP2222D采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)
可提供出色的RDS（ON）
發(fā)表于 10-08 11:34
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管有哪些特點(diǎn)
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱P-MOSFET）是一種基于
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱P-MOSFET（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
N溝道增強(qiáng)型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電子技術(shù)中的關(guān)鍵元件
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
N溝道增強(qiáng)型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為半導(dǎo)體器件的重要組成部分
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)是什么
N溝道增強(qiáng)型MOSFET（N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Fiel
mos管增強(qiáng)型與耗盡型的區(qū)別是什么
MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率和良好的線性特性等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)導(dǎo)電溝道的形成方式，MOSFET可以分為增強(qiáng)型
N型溝道MOSFET 60N10數(shù)據(jù)手冊(cè)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N型溝道MOSFET 60N10數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 05-30 14:24
?0次下載
雙通道N溝道20V（D-S）MOSFET 9926產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙通道N溝道20V（D-S）MOSFET 9926產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 04-01 17:59
?0次下載
–20V P溝道FemtoFET? MOSFET CSD25501F3數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《–20V P溝道FemtoFET? MOSFET CSD25501F3數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-26 14:32
?0次下載
雙P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1120數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1120數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-19 09:19
?0次下載
單P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1100數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1100數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-19 09:13
?1次下載
場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道（MOS管導(dǎo)通條件）
按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強(qiáng)型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡(jiǎn)稱M
20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊(cè)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-20 10:03
?5次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論