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旁路電容與去耦電容的定義與比較

中科院半導體所 ? 來源:慧智微電子 ? 作者:Gareth ? 2022-07-11 16:25 ? 次閱讀

射頻電路工作頻率高,與數字、模擬電路相比,射頻電路非理想特性眾多,寄生效應復雜。實際應用中,需要對射頻信號串擾、不同器件間隔離等做良好處理,稍有不慎,便會出現干擾、震蕩等問題。在射頻電路的測試中,實測結果與仿真結果不一致是家常便飯,實測被仿真完美預測的情況寥寥無幾。

“旁路(Bypass)”與“去耦(Decoupling)”處理不好是造成射頻實測異常的重要原因之一。雖然對于這兩個問題在設計時有一些經驗可循,但如果對問題成因理解不深,很有可能造成問題無法本質解決,嚴重時還會引起其他更嚴重的后果。

而且“Bypass”和“Decoupling”很多時候結構類似,很多人也將“Bypass電容”與“Decoupling電容”用做同義詞,不過二者的使用目的和設計考慮是不同的。

本文嘗試對“Bypass”和“Decoupling”的概念做一個討論,理解二者設計的基本理念,同時給出二者設計時注意的要點。

一、Bypass”與"Decoupling"的定義

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圖:Bypass與Decoupling

Bypass

Bypass(旁路)是指為射頻信號提供一個低阻通路(通常使用電容,如上圖中的19f37e64-ec94-11ec-ba43-dac502259ad0.png),使射頻信號沿此低阻通路流動,減少射頻信號向其他高阻路徑的流動。

Decoupling

目的是將共用連接線上的不同電路做隔離,一般由低通網絡構成。隔離的目標是不讓電路間的噪聲互相傳播干擾。在上圖中Decoupling電路設計中,Bypass電容19f37e64-ec94-11ec-ba43-dac502259ad0.png和Decoupling電路1a0c4304-ec94-11ec-ba43-dac502259ad0.png1a1958d2-ec94-11ec-ba43-dac502259ad0.png

共同完成Decoupling,這種設計方法在射頻電路實現中經常使用。 以下將對Bypass和Decoupling電路做詳細討論。

二、Bypass電路

理想情況下,電壓源提供低阻阻抗,但實際應用并非如此。電壓源的阻抗隨著頻率的升高而升高;另外由于電源走線的寄生電感效應,以及電源上連接其他器件的寄生效應,射頻芯片端口的射頻阻抗已經不再保證是低阻,這個時候,就需要用Bypass電容來提供低阻路徑。

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圖:射頻芯片應用中,需要片外Bypass電容提供低阻路徑

在Bypass電容設計中,需要注意的是,由于寄生電感的存在電容無法在全頻段內保持低阻。隨著頻率升高,寄生電感與電容諧振,超過諧振頻率之后,電容表現為感性,頻率繼續升高阻抗增大。

一般MLCC電容寄生電感為0.3nH,可以以此來計算不同容值電容的諧振頻率。下圖為Murata不同容值電容串聯阻抗的測試值[1],可以看到,1000pF電容低阻區域(<3 Ohm)在1GHz以下,而10pF所覆蓋的范圍在2~3.5GHz附近。

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圖:MLCC阻抗隨頻率的變化及其等效電路

為了使全頻段得到較低的阻抗,需要并聯多個電容,容值從小到大排列。在4G/5G PA設計和應用中,一般采用100pF、100nF及1uF的Bypass電容,分別覆蓋GHz、幾十MHz及十MHz以下頻率。其中第一個100pF量級電容大多在芯片內部實現,100nF及1uF級別電容需要在芯片外部實現。下圖為慧智微5G L-PAMiF產品S55255-12應用手冊中的Vcc Bypass電容設計建議[2],片外建議就近放置100nF及1uF兩顆Bypass電容。

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圖:慧智微5G L-PAMiF S55255-12產品Bypass電容應用建議

除了在電源提供低阻路徑外,Bypass電容還可以在其他射頻通路提供低阻路徑。例如下圖分別為在發射極提供射頻旁路路徑,減少發射極負反饋電阻1a5d2f62-ec94-11ec-ba43-dac502259ad0.png對射頻增益的影響;以及利用電容Bypass特性,將直流路徑與射頻路徑分開,在一路直流供電的Casecode連接疊管中,實現兩級共源放大器[3]。 ?

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圖:射極電阻Bypass及采用Bypass電容電流復用放大器

三、Decoupling電路

如果需要將不同的電路模塊做隔離,防止他們之間的相互干擾,那么最好的方法是減少電路模塊之間的線路的共用。不過,這通常在設計中是不現實的。不僅如此,在一些復雜電路設計中,甚至一些共用走線時的準則,如“電源要星型走線”等也無法實施,這時,就要設計好Decoupling電路,完成各電路模塊間的Decoupling。下圖為Decoupling電路在系統中的框圖。

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圖:Decoupling電路在系統中的位置

典型的電源/射頻Decoupling電路[4]如下圖所示。在電路中,串聯通路上采用了串聯電感使串聯通路在高頻時表現出高阻,這可以幫助Bypass電容發揮旁路特性,確保高頻噪聲可以充分的旁路到地。其次,電路傳輸特性表現為低通特性,這樣流經網絡時高頻電流將被抑制,只有低頻電流可以流過,保持了供電的穩定。

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圖:典型Decoupling電路中的電流路徑

如果說Bypass電路提供的低阻通路是為自身電路服務,那Decoupling電路就是為整體系統設計的去耦網絡,需要將整個系統聯合考慮。在Decoupling電路設計中,核心是要找到耦合線路以及信號環路,并采用有效的措施切斷耦合線路,最小化信號的干擾環路。

在Decoupling電路設計中,有以下要點需要注意:

定位干擾源,并識別耦合環路。如果存在多個環路,則每個環路都需要做Decoupling處理。例如有些電路需要正壓、負壓及數字電路控制,在這些pin腳連接上都需要做去耦處理。

在Layout時,將Decoupling電路盡量靠近干擾源放置,以防止過長走線時走線上產生互感效應。例如芯片電源、數字控制端口的Decoupling電路應該靠近芯片端口就近放置。

Decoupling電路必要的時候需要加入損耗型元件,如電阻等。

Decoupling電路中所使用的器件在關心的頻率有良好的射頻特性,例如Bypass電容必須在所關心的頻率呈現低阻(如Bypass章節分析),串聯電感要注意其諧振頻率。一般Decoupling電路使用的是貼片陶瓷電容,而不用長引出腳的陶瓷電容、電解電容。如下圖所示。

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圖:(a)適合做高頻Decoupling的貼片電容;(b)不適合做高頻Decoupling的長引出腳電容

在Decoupling電路設計中,需要特別注意的是Decoupling電路接地點的選取。一定要識別并選取有效的Decoupling節點。下圖針對高速運算放大器展示了兩種負電源V-的Decoupling的設計方式[5]。

在第一種Decoupling中,選取節點在V-電源的某個位置中,這樣選擇之后,高頻信號環路需要經過V-電源以及較長的地線才連接到Decoupling電容,電源及地線上接收到了大量的高頻干擾,不是有效Decoupling。

第二種Decoupling中,將Decoupling電容直接跨接在在芯片V-電源出口及信號參考地上,高頻信號保持在較少環路,對電源線及地線的低頻影響小,是有效Decoupling。

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圖:非有效的Decoupling及有效的Decoupling

討論了這么多decoupling的設計,那么在實際電路中decoupling到底有什么影響呢?我們以ADI高速低噪聲運放AD9631為例進行說明。下圖是AD9631驅動100Ω負載時的輸出頻譜(輸出信號20MHz,1ac5c5a4-ec94-11ec-ba43-dac502259ad0.png)[6]。左圖采用了合適的decoupling,頻譜很干凈,在2次諧波40MHz處諧波失真為-70dBc左右;右圖是去掉decoupling后的頻譜,可以看到明顯的噪聲。因此合適的decoupling電路十分重要。 ?

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圖:Decoupling對AD9631性能的影響

四、Depass與Decoupling的比較

通過以上比較,可以看到因為設計目標的不同,Bypass與Decoupling在設計方法和注意事項中有所不同。二者對比總結如下表:

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審核編輯:湯梓紅

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原文標題:射頻中的“Bypass”與“Decoupling”

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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