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深入LDO學(xué)習(xí)

番茄炒蛋蛋蛋 ? 來源:番茄炒蛋蛋蛋 ? 作者:番茄炒蛋蛋蛋 ? 2022-06-29 14:53 ? 次閱讀

目錄

工程問題

1 LDO 輸出電源電平低于設(shè)置值

2 電源芯片欠壓保護(hù)電路導(dǎo)致上電時(shí)序不滿足設(shè)計(jì)的要求

原理/layout圖

優(yōu)點(diǎn)

缺點(diǎn)

原理

選型

熱計(jì)算

計(jì)算 LDO 工作時(shí)的結(jié)溫

工程問題

1 LDO 輸出電源電平低于設(shè)置值

某款LDO芯片在3.3V轉(zhuǎn)2.5時(shí),輸出了2.3v,忽略了Dropout(壓差的要求),此款為1v壓差

應(yīng)選取低壓差的LDO器件。

2 電源芯片欠壓保護(hù)電路導(dǎo) 致上電時(shí)序不滿足設(shè)計(jì)的要求

雖然1.8V先于1.2V上電,但1.2V卻延時(shí)了將近2s才上電。由于1.8V導(dǎo)通后,電壓被容性負(fù)載拉低,1.8V-S的電壓被迅速拉低,使得流向LDO的電壓變得很小, 觸發(fā)了欠壓保護(hù),直到充電完畢,LDO才開啟。

需要在1.8V的MOS的柵極加個(gè)電容,減緩MOS導(dǎo)通速度。

原理/layout圖

可以看出,左邊的電容正極緊挨vin,且形成的地環(huán)路明顯小于右邊。同時(shí)注意,ldo和電容的地要在同一層。

有些LDO是6腳,多了SENSE過流感應(yīng)腳,僅在大電流場(chǎng)合下使用,大于5A,一般小電流

不用。

但SENSE 功能會(huì)導(dǎo)致電源芯片輸出電壓不穩(wěn)定

(由于相鄰層高速信號(hào)高速翻轉(zhuǎn)導(dǎo)致耦合進(jìn)去,紋波大,數(shù)據(jù)傳輸時(shí)出現(xiàn)誤碼)

PCB:由于回流路徑經(jīng)過,所以R5與R6也需要粗印制線連接。

SENSE只是提供電流感應(yīng)的功能,只需要考慮低噪聲。

不需要考慮大電流問題,因此用普通信號(hào)線連接,且遠(yuǎn)離干擾源。

優(yōu)點(diǎn)

對(duì)低頻噪聲的抑制效果明顯,高速瞬態(tài)響應(yīng)。

能夠衰減開關(guān)模式電源產(chǎn)生的電壓紋波。

電壓輸入與輸出無延時(shí)。

沒有電感。

缺點(diǎn)

輸入與輸出壓差過大不適用。

壓差!負(fù)載電流越大,壓差越大,工作溫度越高,壓差越大。

散熱功耗(功率損耗):(輸入-輸出電壓)乘電流。

故只能輸出小功率,工作效率低, 能耗消耗大,電流輸出小。

最大功耗不能超過3W,否則散熱有問題,且LDO可能會(huì)損壞。

ldo的輸出電容的ESR不能過小,不然負(fù)反饋很難工作。

原理

差分放大器與工作在線性區(qū)的三極管組成。一般雙極穩(wěn)壓器耐壓高且消耗電流偏大,

CMOS穩(wěn)壓器耐壓偏低但消耗電流低,工作在線性區(qū),當(dāng)輸出電壓變小,反饋電壓也變小

差值變大,輸出電壓隨之變大。

想要更改啟動(dòng)時(shí)間,變更FB的分壓電阻?

1. 并聯(lián)了前饋電容CFF,降低了誤差放大器的噪聲增益。

負(fù)反饋使得LDO的輸出噪聲不隨輸出電壓上升而大幅增加。

負(fù)反饋分析:

內(nèi)部零點(diǎn)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò):CFF和R1

形成了一個(gè)零點(diǎn):ZFF=1/(2π×R1×CFF),該零點(diǎn)增加了正相移

也形成了一個(gè)極點(diǎn):PFF=1/(2π×R1//R2×CFF)

傳統(tǒng)LDO的反饋回路的環(huán)路增益曲線由于輸出電阻較大,與負(fù)載電容作用后會(huì)產(chǎn)生

一個(gè)低頻極點(diǎn)P1,這個(gè)低頻極點(diǎn)帶來的附加相移使得反饋回路不穩(wěn)定

用外部鉭電容(100mΩ量級(jí))補(bǔ)償后,由于鉭電容擁有較高的ESR(如1ohm)

使得環(huán)路曲線中出現(xiàn)一個(gè)零點(diǎn),高ESR將零點(diǎn)移至一個(gè)較低的頻率

這個(gè)零點(diǎn)帶來的反相相移的環(huán)路增益將為1

抵消掉之前低頻極點(diǎn)帶來的附加相移,使得反饋回路穩(wěn)定

但ESR不能過大,不利于瞬態(tài)特性

2.并聯(lián)了輸出電容COUT,ESR補(bǔ)償

因?yàn)長(zhǎng)DO屬于晶體管型,輸出阻抗高,所以需要并聯(lián)減小阻抗

利用坦電容特定的ESR和電容值可以為L(zhǎng)DO進(jìn)行補(bǔ)償。

采用MOS管后,將不需要特定的ESR來中和附加相移。

選型

壓差

ldo顧名思義,要求壓差要低

Vout≈vin-vdrop

功耗

(輸出電壓-輸入電壓)*電流

最大輸出效率

輸入電流等于輸出電流加上靜態(tài)功耗Iq*vin

電源紋波抑制比(PSRR)

越大越好,代表抑制輸入紋波的能力越強(qiáng),一般給出的是1KHz下的值。

熱計(jì)算

計(jì)算 LDO 工作時(shí)的結(jié)溫

輸出電壓:1.8V,輸入電壓:3.15與3.45V

電流變化從0-500mA,環(huán)境溫度50℃,熱阻28℃/W,求其結(jié)溫?

1 求出動(dòng)態(tài)功耗與靜態(tài)功耗

靜態(tài):(漏電流*輸入電壓)=15ma*3.45V

動(dòng)態(tài):(3.45-3.15)*500ma

2 結(jié)溫=總功耗*熱阻系數(shù)+環(huán)境溫度

=(輸入電壓-輸出電壓)*電流*熱阻+環(huán)境溫度


?

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