WD5030

操作方式

WD5030是高效，單片，同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。利用抖動(dòng)頻率，平均電流模式控制架構(gòu)。平均電流模式控制可以實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電流的快速精確控制。它可以在很寬的VIN范圍內(nèi)（7V-30V）工作，并以低靜態(tài)電流進(jìn)行調(diào)節(jié)。誤差放大器將輸出電壓與1.0V的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，并調(diào)整峰值電感器電流相應(yīng)地。過(guò)壓和欠壓比較器將關(guān)閉穩(wěn)壓器。

低電流操作

間斷傳導(dǎo)模式（DCMs）可用于控制WD5030在低電流下的運(yùn)行，當(dāng)負(fù)載電流較低時(shí)，自動(dòng)從連續(xù)運(yùn)行切換到突發(fā)運(yùn)行。

VIN過(guò)電壓保護(hù)

為了保護(hù)內(nèi)部功率MOSFET器件免受瞬態(tài)電壓尖峰的影響，該器件不斷監(jiān)視VIN引腳是否存在過(guò)壓情況，當(dāng)VIN升至38V以上時(shí)，穩(wěn)壓器會(huì)通過(guò)關(guān)閉兩個(gè)功率MOSFET來(lái)暫停工作，一旦VIN降至37V以下時(shí)，穩(wěn)壓器會(huì)馬上恢復(fù)正常工作。退出過(guò)壓狀態(tài)時(shí)，穩(wěn)壓器執(zhí)行其軟啟動(dòng)功能。

頻率選擇和關(guān)閉

WD5030的開(kāi)關(guān)頻率可通過(guò)外部電阻在85KHz至300KHz之間進(jìn)行編程，通過(guò)將此引腳浮動(dòng)，可將開(kāi)關(guān)頻率設(shè)置為130K，外部電阻可將頻率設(shè)置為300KHz，使用FS引腳將開(kāi)關(guān)頻率設(shè)置為以下值

V：442472221

當(dāng)FS引腳小于0.6V時(shí)，該器件進(jìn)入小電流關(guān)機(jī)狀態(tài)。直流供電電流減小到1.3mA。

輸出電容器選擇

COUT的選擇取決于有效串聯(lián)電阻（ESR），該串聯(lián)電阻的最大程度地減小電壓波紋和負(fù)載階躍瞬變，以及確保控制環(huán)路穩(wěn)定所需的大容量電容。回路穩(wěn)定性可以通過(guò)查看負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)進(jìn)行檢查。輸出波紋VOUT由以下公式?jīng)Q定

電感的選擇

給定所需的輸入輸出電壓，電感值和工作頻率決定波紋電流：

較低的波紋電流降低了電感器的功率損失、輸出電容的ESR損失和輸出電壓波紋。在低頻率、小波紋電流的情況下，可獲得最高的運(yùn)行效率，然而，實(shí)現(xiàn)這一需要一個(gè)大電感，在組件大小、效率和操作之間有一個(gè)權(quán)衡頻率，合理的起始點(diǎn)是選擇大約40%IOUT（極值）的波紋電流。以保證波紋電流不超過(guò)規(guī)定的最大電感值時(shí)，應(yīng)按：

一旦L的值已知，必須選擇電感的類(lèi)型。對(duì)于一個(gè)固定的電感值，實(shí)際的磁芯損耗與磁芯尺寸無(wú)關(guān)，但非常依賴(lài)于選擇的電感，當(dāng)電感或頻率增加時(shí)，磁芯損耗減小。不幸的是，增加的電感需要更多的線圈，因此銅損失將增加。隨著頻率的增加，銅損耗也會(huì)增加。鐵氧體設(shè)計(jì)具有非常低的核心損耗，在高開(kāi)關(guān)頻率下更受青睞。因此設(shè)計(jì)目標(biāo)可以集中在銅損耗和防止飽和上。鐵氧體鐵芯材料“硬”飽和，這意味著當(dāng)超過(guò)設(shè)計(jì)電流峰值時(shí)，電感突然崩潰。這導(dǎo)致電感波紋電流和輸出電壓波紋的突然增加。不要讓核心飽和！

不同的芯材和形狀會(huì)改變感應(yīng)器的尺寸/電流和價(jià)格/電流的關(guān)系。鐵氧體或坡莫合金材料的環(huán)形或屏蔽坩堝型磁芯體積小，輻射能量小，但一般比具有相似特性的粉狀鐵心電感成本高。

雙路并聯(lián)應(yīng)用電路設(shè)計(jì)