一、DDR3簡介

DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態隨機存儲器。所謂同步，是指DDR3數據的讀取寫入是按時鐘同步的;所謂動態，是指DDR3中的數據掉電無法保存，且需要周期性的刷新，才能保持數據;所謂隨機存取，即可以隨機操作任一地址的數據;所謂double-data-rate，即時鐘的上升沿和下降沿都發生數據傳輸。

圖1. DDR3結構

二、地址的概念及容量計算

2.1地址的概念

DDR3的內部是一個存儲陣列，將數據“填”進去，你可以它想象成一張表格。和表格的檢索原理一樣，先指定一個行(Row)，再指定一個列(Column)，我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是內存芯片尋址的基本原理。對于內存，這個單元格可稱為存儲單元,那么這個表格(存儲陣列)就是邏輯 Bank(Logical Bank，下面簡稱Bank)。

DDR3內部Bank示意圖，這是一個MXN的陣列，B代表Bank地址編號，C代表列地址編號，R代表行地址編號。如果尋址命令是B1、R3、C4，就能確定地址是圖中紅格的位置目前DDR3內存芯片基本上都是8個Bank設計，也就是說一共有8個這樣的“表格”。尋址的流程也就是先指定Bank地址，再指定行地址，然后指列地址最終的確尋址單元。

圖2. DDR3地址

目前DDR3系統而言，還存在物理Bank的概念，這是對內存子系統的一個相關術語，并不針對內存芯片。內存為了保證CPU正常工作，必須一次傳輸完CPU 在一個傳輸周期內所需要的數據。而CPU在一個傳輸周期能接受的數據容量就是CPU數據總線的位寬，單位是bit(位)。控制內存與CPU之間數據交換的北橋芯片也因此將內存總線的數據位寬等同于CPU數據總線的位寬，這個位寬就稱為物理Bank(Physical Bank，有的資料稱之為Rank)的位寬。目前這個位寬基本為64bit。

2.2 DDR3容量計算

上一節我們已經說過bank、row、column的概念，容量就要據此來計算：

假設：

bank地址線位寬為3，及bank數目為 2^3=8;

行地址線位寬位13，及A0…A12;

列地址線位寬為10，及A0…A9;

有 2^3 * 2^13 * 2^10 = 2^26 =67108864b= 64Mb

再加上數據線，則容量為 64Mb x 16 = 128M Byte = =1G bit

三、重要給概念理解

3.1 行選通周期

在實際工作中，Bank地址與相應的行地址是同時發出的，此時這個命令稱之為“行激活”(Row Active)。在此之后，將發送列地址尋址命令與具體的操作命令(是讀還是寫)，這兩個命令也是同時發出的，所以一般都會以“讀/寫命令”來表示列尋址。根據相關的標準，從行有效到讀/寫命令發出之間的間隔被定義為tRCD，即RAS to CAS Delay(RAS至CAS延遲，RAS就是行地址選通脈沖，CAS就是列地址選通脈沖)，我們可以理解為行選通周期。tRCD是DDR的一個重要時序參數，廣義的tRCD以時鐘周期(tCK，Clock Time)數為單位，比如tRCD=3，就代表延遲周期為兩個時鐘周期，具體到確切的時間，則要根據時鐘頻率而定，時鐘頻率100M,tRCD=3，代表30ns的延遲。

圖3. 行選通周期tRCD

3.2 列地址脈沖選通潛伏期

相關的列地址被選中之后，將會觸發數據傳輸，但從存儲單元中輸出到真正出現在內存芯片的 I/O 接口之間還需要一定的時間(數據觸發本身就有延遲，而且還需要進行信號放大)，這段時間就是非常著名的 CL(CAS Latency，列地址脈沖選通潛伏期)。CL 的數值與 tRCD 一樣，以時鐘周期數表示。如 DDR3-800，時鐘頻率為 100MHz，時鐘周期為 10ns，如果 CL=2 就意味著 20ns 的潛伏期。

注：CL只是針對讀取操作。

圖4. CL的概念(CL=2，tAC=1)

注意：delay與Latency雖然都有“延遲”的意思，但本質上是不同的

Delay ：事情要在這個時間之后開始

Latency：事情已經發生，但是還不夠穩定需要一個穩定時間

3.3 突發傳輸的概念

目前內存的讀寫基本都是連續的，因為與CPU交換的數據量以一個Cache Line(即CPU內Cache的存儲單位)的容量為準，一般為64字節。而現有的Rank位寬為8字節(64bit)，那么就要一次連續傳輸8次，這就涉及到我們也經常能遇到的突發傳輸的概念。突發(Burst)是指在同一行中相鄰的存儲單元連續進行數據傳輸的方式，連續傳輸的周期數就是突發長度(Burst Lengths，簡稱BL)。

在進行突發傳輸時，只要指定起始列地址與突發長度，內存就會依次地自動對后面相應數量的存儲單元進行讀/寫操作而不再需要控制器連續地提供列地址。這樣，除了第一筆數據的傳輸需要若干個周期(主要是之前的延遲，一般的是tRCD+CL)外，其后每個數據只需一個周期的即可獲得。

連續讀取模式：只要指定起始列地址與突發長度，后續的尋址與數據的讀取自動進行，而只要控制好兩段突發讀取命令的間隔周期(與BL相同)即可做到連續的突發傳輸。

在 DDR SDRAM 中，突發長度只有 2、4、8 三種選擇，沒有了隨機存取的操作(突發長度為 1)和全頁式突發。這是為什么呢?因為 L-Bank一次就存取兩倍于芯片 位寬的數據，所以芯片至少也要進行兩次傳輸才可以，否則內部多出來的數據怎么處理?但是，突發長度的定義也與 SDRAM 的不一樣了，它不再指所連續尋址的存儲單元數量，而是指連續的傳輸周期數，每次是一個芯片位寬的數據。

上面是別人的解釋，筆者結合自己的理解和代碼實現中再解釋一下：

突發傳輸是為了提高傳輸效率，這涉及到預取的概念;DDR3突發長度BL=8，在t1時刻我們發起讀命令，給出地址addr1，那么因為是突發傳輸，所以實際我們將讀出addr1以及它之后地址，總共8個地址，也就讀出了8個數據;那么t2時刻，我們繼續讀數，給出的地址addr=addr1+8;結合下圖更容易理解：

圖5. 突發傳輸

注：

t1 ,t2 / t3，t4時刻不一定連續;要看ddr是否準備好，具體到代碼就是app_rdy 并不是一直為高;

3.4 掩碼

掩碼簡單解釋下，就是屏蔽掉我們傳輸不需要的數據;掩碼每一位bit對應ddr數據的1個字節;當掩碼為0，數據有效;當掩碼為1，數據屏蔽;

一般不使用，傳輸數據全部有效，掩碼直接置0：(掩碼位寬根據數據位寬而定)

assign app_wdf_mask = 64'b0;

3.5 數據選取脈沖(DQS)

DQS 是DDR中的重要功能，它的功能主要用來在一個時鐘周期內準確的區分出每個傳輸周期，并便于接收方準確接收數據。每一顆芯片都有一個DQS信號線，它是雙向的，在寫入時它用來傳送由北橋發來的DQS信號，讀取時，則由芯片生成DQS向北橋發送。完全可以說，它就是數據的同步信號。

在讀取時，DQS與數據信號同時生成(也是在CK與CK#的交叉點)。而DDR內存中的CL也就是從CAS發出到DQS生成的間隔，DQS生成時，芯片內部的預取已經完畢了，由于預取的原因，實際的數據傳出可能會提前于DQS發生(數據提前于DQS傳出)。由于是并行傳輸，DDR內存對tAC也有一定的要求，對于DDR266，tAC的允許范圍是±0.75ns，對于DDR333，則是±0.7ns，有關它們的時序圖示見前文，其中CL里包含了一段DQS 的導入期。

DQS 在讀取時與數據同步傳輸，那么接收時也是以DQS的上下沿為準嗎?不，如果以DQS的上下沿區分數據周期的危險很大。由于芯片有預取的操作，所以輸出時的同步很難控制，只能限制在一定的時間范圍內，數據在各I/O端口的出現時間可能有快有慢，會與DQS有一定的間隔，這也就是為什么要有一個tAC規定的原因。而在接收方，一切必須保證同步接收，不能有tAC之類的偏差。這樣在寫入時，芯片不再自己生成DQS，而以發送方傳來的DQS為基準，并相應延后一定的時間，在DQS的中部為數據周期的選取分割點(在讀取時分割點就是上下沿)，從這里分隔開兩個傳輸周期。這樣做的好處是，由于各數據信號都會有一個邏輯電平保持周期，即使發送時不同步，在DQS上下沿時都處于保持周期中，此時數據接收觸發的準確性無疑是最高的。

在寫入時，以DQS的高/低電平期中部為數據周期分割點，而不是上/下沿，但數據的接收觸發仍為DQS的上/下沿。

四、參考資料

如果我們只是拿來用ddr搬磚，那么它就簡單，知道IP怎么使用就好，但是要想知其所以然，理論知識是必備的，這也是我們初學者所欠缺的東西，慢慢修煉吧!

參考資料①，里面所有信號都有解釋，感興趣的和想提升的可以仔細研究：

DDR基礎詳解

參考資料②，超詳細DDR3底層原理介紹，大佬首選

深入淺出DDR系列(一)--DDR原理篇

審核編輯：湯梓紅