電子發燒友網報道（文/李誠）自Type-C 2.1與PD 3.1新的標準協議發布之后，氮化鎵再次被推上風口。氮化鎵以低損耗、高效率、高功率密度的自身優勢，迅速占領快充市場。隨著硅基氮化鎵成本的下降，氮化鎵材料或將發展成為快充行業的主流。國產內的氮化鎵廠商也陸續推出了多款氮化鎵產品，并在芯片的功率、驅動、封裝方面均有不小的突破。

封裝工藝升級、雙面散熱的650V GaN FET

據介紹，氮矽科技現已發布多款基于氮化鎵的產品，同時還推出了多個可直接量產的氮化鎵快充解決方案。

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據氮矽科技銷售總監伍陸軍介紹，氮矽科技目前已推出一款面積超小的650V氮化鎵功率器件DX6510D。該器件的封裝規格為PDDFN 4*4mm，面積僅為16mm2，與DFN5*6封裝的產品相比面積減少了一半，進一步減小了充電器的體積，同時還對芯片的封裝工藝進行了升級。

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在通常情況下芯片面積減小，芯片的散熱性能也會減弱。氮矽科技為解決DX6510D的散熱問題，這枚芯片采用了Chip Face Down封裝工藝，和RDL取代傳統打線工藝，以及雙面散熱的設計，提高芯片的散熱能力，降低熱量對系統效率的影響，保證系統長時間運行的穩定性。

Chip Face Down封裝工藝是為了讓電流溝道更接近PCB板面，加速芯片底部散熱，并通過RDL工藝重布線的方式加快芯片內部散熱。RDL工藝的應用還大幅降低了芯片的寄生電感和電阻等寄生參數，減小寄生參數對于氮化鎵來說是非常重要的。因為氮化鎵柵極的閾值很低，對工作電壓的精度要求很高，如果寄生電感或寄生電阻太大，會導致氮化鎵MOS管存在誤開啟、關斷的現象，甚至是在正常工作中出現跳壓，隨著時間的累積，電壓慢慢提高，這不僅會嚴重影響氮化鎵MOS管的使用壽命，還可能會因電壓升高而導致氮化鎵MOS管炸斷。

同時為提高小面積芯片的散熱能力，氮矽科技還在芯片的頂部添置了散熱模塊，增大了散熱面積，氮化鎵MOS管內部的熱量可由頂部的散熱模塊進行釋放。與傳統增大PCB增大敷銅面積的方式相比，氮矽科技通過自研板級封裝與雙面散熱結合的方式的散熱效果更好。

圖源：氮矽科技

上圖為氮矽科技采用雙面散熱的PDDF4*4封裝芯片與TO252傳統封裝芯片進行的溫升實驗，通過上圖可看出兩者的溫度變化差距不大，但從面積上來看，PDDF4*4封裝芯片的面積僅為TO252封裝的1/4。據氮矽科技介紹，即使芯片的面積減小了3/4，DX6510D的功率因數與系統效率也不會因此受到影響。

合封驅動的氮化鎵芯片

氮化鎵之所以在電源領域被廣泛應用，是因為氮化鎵的開關頻率更高，與硅基產品相比，在同等輸出功率下，基于氮化鎵的電路更為精簡、元器件使用數量更少、設備體積更小，功率密度更高。

合封氮化鎵芯片是通過內部走線的方式，將氮化鎵功率芯片與驅動器、控制器或其它控制芯片連接起來，在很大程度上縮短了導線的長度，大大地降低了寄生參數的值，尤其是寄生電感。寄生電感對氮化鎵功率芯片的影響很大，當氮化鎵功率芯片工作在高頻狀態下時，會增加系統的開關損耗、提高幅值、降低系統效率，同時還會增加開發工程師的調試難度。通過將多種控制器、驅動器合封起來的方式恰好能解決這一問題，因此將氮化鎵驅動合封在功率器件中具有重大意義，并且已成為電源領域的主要發展趨勢。

據官網顯示，東科半導體目前已將開發出多款合封氮化鎵驅動器、邏輯控制器的氮化鎵合封芯片，這些芯片多采用QR的電源架構，工作頻率均在200kHz左右。據介紹，現階段有一款65W采用有源鉗位反激式電源架構的合封芯片目前已進入調試階段，該芯片的最高工作頻率達500kHz，應用于電源系統中能夠明顯的降低開關損耗并提高系統效率。

DK051QF是東科半導體的一款合封氮化鎵芯片，該芯片采用的是QR的電源架構 ，設計輸出功率為65W，工作最高頻率可達200kHz，芯片合封了邏輯控制器，驅動器和高壓啟動管。在電路調試方面，由于該芯片采用的是多種控制器合封的方式，寄生參數影響較少。同時還采用了較為簡單的QR電路拓撲，減少了元器件的使用數量，并將系統電路簡化到了最低，大幅的降低了系統的調試難度，縮短了產品的開發周期。

SC3050 Demo 圖源：南芯半導體

同時，南芯半導體也推出合封了氮化鎵驅動與控制器的氮化鎵功率芯片SC3050。這款芯片采用了獨特的EPAD設計，優化了在大電流工作狀態下的電氣特性，并得到了很好的熱體驗。通過合封的方式，將控制器與氮化鎵功率器件結合，充分地發揮了低寄生參數下，氮化鎵低開關損耗、高功率密度的性能。

不同工作狀態下的效率變化曲線 圖源：南芯半導體

上圖為SC3050在滿載情況下不同的工作狀態的變化曲線。該芯片在QR模式下，開關頻率為170kHz。當工作電壓在100V~220V時，系統的轉換效率都能穩定在93%以上。當系統處于空載狀態或輕載狀態時，芯片會自動切換到突發模式，以降低系統功耗。據南芯半導體介紹，該方案現已被廣泛應用于高能效、小體積的快充解決方案中。

結語

隨著制造工藝的升級，目前市場上的氮化鎵產品現已向著小型化、高度集成化發展。氮矽科技的雙面散熱技術在產品面積縮小的情況下，還保證了產品的工作性能，與相同面積的芯片相比，工作溫度更低，該技術的應用將會推動快充充電器向更高功率密度方向的發展。