一直以來(lái)，設(shè)計(jì)中的電磁干擾（EMI）問(wèn)題十分令人頭疼，尤其是在汽車(chē)領(lǐng)域。為了盡可能的減小電磁干擾，設(shè)計(jì)人員通常會(huì)在設(shè)計(jì)原理圖和繪制布局時(shí)，通過(guò)降低高di / dt的環(huán)路面積以及開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速率來(lái)減小噪聲源。

但是，有時(shí)無(wú)論布局和原理圖的設(shè)計(jì)多么謹(jǐn)慎，仍然無(wú)法將傳導(dǎo)EMI降低到所需的水平。這是因?yàn)樵肼暡粌H取決于電路寄生參數(shù)，還與電流強(qiáng)度有關(guān)。另外，開(kāi)關(guān)打開(kāi)和關(guān)閉的動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生不連續(xù)的電流，這些不連續(xù)電流會(huì)在輸入電容上產(chǎn)生電壓紋波，從而增加EMI。

因此，有必要采用一些其他方法來(lái)提高傳導(dǎo)EMI的性能。本文主要討論的是引入輸入濾波器來(lái)濾除噪聲，或增加屏蔽罩來(lái)鎖住噪聲。

圖1 EMI濾波器示意簡(jiǎn)圖

圖1是一個(gè)簡(jiǎn)化的EMI濾波器，包括共模（CM）濾波器和差模（DM）濾波器。 通常，DM濾波器主要用于濾除小于30MHz的噪聲（DM噪聲），CM濾波器主要用于濾除30MHz至100MHz的噪聲（CM噪聲）。 但其實(shí)這兩個(gè)濾波器對(duì)于整個(gè)頻段的EMI噪聲都有一定的抑制作用。

圖2顯示了一個(gè)不帶濾波器的輸入引線(xiàn)噪聲，包括正向噪聲和負(fù)向噪聲，并標(biāo)注了這些噪聲的峰值水平和平均水平。 其中，該被測(cè)系統(tǒng)主要采用芯片LMR14050SSQDDARQ1輸出5V/5A，并給后續(xù)芯片TPS65263QRHBRQ1供電，同時(shí)輸出1.5V/3A，3.3V/2A以及1.8V/2A。 這兩個(gè)芯片都工作在2.2MHz的開(kāi)關(guān)頻率下。 另外，圖中顯示的傳導(dǎo)EMI標(biāo)準(zhǔn)是CISPR25 Class 5（C5）。有關(guān)該系統(tǒng)的更多信息，請(qǐng)查閱應(yīng)用筆記SNVA810。

圖2 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（無(wú)濾波器）

圖3顯示了增加一個(gè)DM濾波器后的EMI結(jié)果。 從圖中可以看出，DM濾波器衰減了中頻段DM噪聲（2MHz至30MHz）近35dBμV/ m。此外高頻段噪聲（30MHz至100MHz）也有所降低，但仍超過(guò)限制水平。這主要是因?yàn)镈M濾波器對(duì)于高頻段CM噪聲的濾除能力有限。

圖3 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（帶DM濾波器）

圖4顯示了增加CM和DM濾波器后的噪聲特性。 與圖3相比，CM濾波器的增加降低了近20dBμV/ m的CM噪聲。 并且EMI性能也通過(guò)了CISPR25 C5標(biāo)準(zhǔn)。

圖4 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（帶CM和DM濾波器）

圖5顯示了不同布局下帶CM和DM濾波器的噪聲特性，其中濾波器與圖4相同。但與圖4相比，整個(gè)頻段的噪聲增加了大約10dBμV/ m，高頻噪聲甚至還超出CISPR25 C5標(biāo)準(zhǔn)的平均值。

圖5 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（帶CM和DM濾波器，不同布局）

圖4和圖5之間噪聲結(jié)果的不同主要是由于PCB布線(xiàn)差異所致，如圖6所示。圖5的布線(xiàn)中（圖6的右側(cè)），大面積覆銅（GND）包圍著DM濾波器，并和Vin走線(xiàn)形成了一些寄生電容。 這些寄生電容為高頻信號(hào)旁路濾波器提供了有效的低阻抗路徑。 因此，為了最大限度地提高濾波器的性能，需要移除濾波器周?chē)械母层~，如圖6左側(cè)的布線(xiàn)。

圖6 不同的PCB布線(xiàn)

除了增加濾波器外，另一種優(yōu)化EMI性能的有效方法是增加屏蔽罩。 這是因?yàn)檫B接著GND的金屬屏蔽罩可以阻止噪聲向外輻射。 圖7推薦了一種屏蔽罩的擺放方法。該屏蔽罩恰好覆蓋了板上所有的元器件。

圖8顯示了增加濾波器和屏蔽罩之后的EMI結(jié)果。 如圖所示，整個(gè)頻段的噪聲幾乎都被屏蔽罩消除，EMI性能非常好。 這主要是因?yàn)榈刃?a target="_blank">天線(xiàn)的長(zhǎng)輸入引線(xiàn)會(huì)耦合大量輻射噪聲，而屏蔽罩恰好隔絕了它們。在本設(shè)計(jì)中，中頻噪聲也會(huì)采用這種方式耦合到輸入引線(xiàn)上。

圖7 帶屏蔽罩的PCB 3D模型

圖8 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（帶CM，DM濾波器以及屏蔽罩）

圖9也顯示了帶濾波器和屏蔽罩的噪聲特性。與圖8 不同的是，圖9中屏蔽罩是一個(gè)金屬盒，它包裹了整個(gè)電路板，且只有輸入引線(xiàn)裸露在外面。 雖然有了這個(gè)屏蔽罩，但一些輻射噪聲仍然可以繞過(guò)EMI濾波器并耦合到PCB上的電源線(xiàn)，這將會(huì)導(dǎo)致比圖8更差的噪聲特性。有趣的是，圖4，圖8和圖9中（相同的布局布線(xiàn)）高頻帶的噪聲特性幾乎相同。 這是因?yàn)樵谠黾覧MI濾波器后，能耦合到輸入線(xiàn)上的高頻段輻射噪聲幾乎已經(jīng)不存在了。

圖9 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（帶CM，DM濾波器以及屏蔽金屬盒）

綜合來(lái)說(shuō)，增加EMI濾波器或者屏蔽罩都能有效的改善EMI性能。但是與此同時(shí)，濾波器的布局布線(xiàn)以及屏蔽罩的擺放位置需要仔細(xì)斟酌。

審核編輯：何安