引言:
隨著芯片結(jié)溫的升高,半導(dǎo)體器件的壽命將呈指數(shù)下降。芯片的工作溫度取決于半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)及其冷卻環(huán)境。適宜的熱設(shè)計(jì)和可靠的制造程序能幫助將半導(dǎo)體器件以及模組的使用壽命維持在所需水平,從而使汽車中的電動動力系統(tǒng)、移動設(shè)備中的中央處理器CPU、高亮度LED等應(yīng)用變得安全可靠。
客戶挑戰(zhàn):
熱質(zhì)量測試系統(tǒng)旨在解決一些客戶的關(guān)鍵問題。我們總結(jié)了以下最重要的潛在問題。
您如何確保您的功率半導(dǎo)體器件、光電器件和高功率密度產(chǎn)品的熱性能一致?
熱質(zhì)量評估對于盡早識別潛在的材料缺陷、工藝變化或任何影響熱性能的結(jié)構(gòu)問題是非常重要的。我們基于瞬態(tài)熱測試的方法,有助于發(fā)現(xiàn)這些缺陷和這些缺陷的影響。瞬態(tài)熱測試方法是一種快速、非破壞性的測試方法。
您的客戶是否要求提供描述您銷售的每個器件以及模組的熱信息,特別是在汽車行業(yè)?
在質(zhì)量方面,汽車OEM廠商往往將標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置得非常高。他們需要越來越多的器件/模組數(shù)據(jù),包括熱數(shù)據(jù)??焖佟⒃诰€的瞬態(tài)熱測試有助于捕獲與所售每個器件以及模組相關(guān)的熱性能數(shù)據(jù)。
您如何管理您的生產(chǎn)質(zhì)量(環(huán)氧樹脂質(zhì)量、工藝參數(shù))?
熱學(xué)界面材料或者DieAttach材料在暴露于空氣后往往會迅速變得無法使用。在許多情況下,可用性時間是根據(jù)生產(chǎn)中的最佳實(shí)踐定義的,因此大量材料過早地被處理掉。能夠表征這些化合物的實(shí)際使用壽命,可以幫助半導(dǎo)體公司每家工廠每年節(jié)省10萬美元以上。
您是否看到基于熱性能的分級價值?
基于熱性能的分級有助于創(chuàng)建更廣泛的產(chǎn)品組合。例如:最高質(zhì)量的LED-s可以用于汽車應(yīng)用,而較低熱性能的樣品仍然非常適合對質(zhì)量要求不太嚴(yán)格的家庭照明應(yīng)用。
這是怎么做到的?
該過程很簡單,瞬態(tài)熱測試設(shè)備發(fā)出一個短脈沖并捕獲被測器件/模組的熱響應(yīng)信號。將獲得的熱響應(yīng)信號與標(biāo)準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,并根據(jù)兩個信號的差異做出通過/不通過或進(jìn)一步分級的決定。
圖2:瞬態(tài)熱測試的過程
西門子的Simcenter MicReD Quality Tester在線質(zhì)量測試設(shè)備的軟件允許設(shè)置測試參數(shù),操作界面基于已經(jīng)在業(yè)界非常流行的Simcenter MicReD POWERTESTER控制軟件中使用的界面,同樣可以類似地選擇被測器件的“定義”和“測試模式”。在本例中,我們設(shè)置了一個SiCMOSFET。如果合適的恒溫器連接到測試系統(tǒng),也可以從該界面執(zhí)行被測器件的K系數(shù)的測量和校準(zhǔn)。
成功創(chuàng)建被測器件的“定義”后,可以在后續(xù)的“TestCase”菜單中對被測器件的熱阻抗曲線進(jìn)行測量。
在“TestCase”選擇窗口下,可以設(shè)置描述標(biāo)準(zhǔn)參考測試和生產(chǎn)中進(jìn)行測試的測試參數(shù),包括:時間參數(shù)、加熱電流和測量范圍等。在當(dāng)前案例中,我們使用100A驅(qū)動電流,加熱時間為0.5秒,冷卻時間為0.5秒。測試電流來自“被測器件的定義”。
一旦設(shè)置了測試參數(shù),測試系統(tǒng)就會捕獲標(biāo)準(zhǔn)參考數(shù)據(jù),并允許進(jìn)行“初始電氣噪音”的電瞬態(tài)校正。在此步驟中應(yīng)用K系數(shù)。請參考圖7。獲得測量數(shù)據(jù)后,可以在此界面定義不同器件的分級限制。
要設(shè)置分級限制,可以采取以下步驟:
系統(tǒng)自動使用應(yīng)用K系數(shù),顯示Zth曲線;
用戶可以選擇時間點(diǎn)來比較質(zhì)量測試過程中記錄的數(shù)據(jù),例如:在這個案例中為500、1000、5000和10000μs;
每個時間點(diǎn)都可以有其分級的設(shè)置,這基本上定義了與標(biāo)準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)的差異/距離。在這個例子中,類別#1是好的數(shù)據(jù),類別#2不太可以接受,類別#3或任何超出此類別的都是有缺陷的器件/模組;
測試過程:
測試過程非常簡單,不需要操作人員具有任何詳細(xì)的瞬態(tài)熱測試的知識。操作人員可以選擇“被測器件”定義和相應(yīng)的“TestCase”并將其添加到測試項(xiàng)目中,如圖8所示。
一旦選擇了被測器件類型和“TestCase”,操作人員就可以設(shè)置并進(jìn)行自動的Rth測試:
在實(shí)際開始測試之前,必須填寫被測試樣品的批次ID和操作人員名稱。在此案例中,系統(tǒng)將從樣本#1開始以自動增量的形式測試到10000個樣本。設(shè)置測量非常簡單。
K系數(shù)校準(zhǔn):
對于基本比較,K系數(shù)校準(zhǔn)將是不必要的。然而,在實(shí)際測試場景中,樣本的K系數(shù)可能會不同,結(jié)果可能比較分散,并且對于識別真實(shí)的Zth值也可能很重要。
然而,在測試中為了快速測試,沒有時間自動測量和校準(zhǔn)每個被測器件的K系數(shù),因此使用數(shù)學(xué)程序代替。步驟如下:
在測試中,關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)(芯片尺寸、基板尺寸和幾何形狀)是非常穩(wěn)定的;
設(shè)置“Test Case”的用戶,將能夠選擇與這些被測器件特征相對應(yīng)的曲線部分——它們一定會與參考被測器件具有相同的熱響應(yīng),因?yàn)閹缀涡螤詈桶雽?dǎo)體材料是相同的;
系統(tǒng)軟件將自動檢查曲線是否在此選定部分重合;
如果此時不重合,系統(tǒng)軟件會自動尋找乘數(shù)因子來擬合曲線,并將其用作K系數(shù)校準(zhǔn);
這發(fā)生在決策之前,如果需要,可以保存新參數(shù)以供進(jìn)一步分析;
在下面的例子中我們選擇了兩條曲線,一條是標(biāo)準(zhǔn)測試數(shù)據(jù),另一條是未經(jīng)校準(zhǔn)的測試數(shù)據(jù)。它們非常接近,沒有任何調(diào)整:
在下一步中,我們仔細(xì)查看了200μs到300μs范圍,以找出可能的差異:
圖11:圖9的局部放大
差異是微小的,但是是存在的。找到一個正確的乘數(shù)因子,名為00014的測量曲線將與標(biāo)準(zhǔn)參考數(shù)據(jù)完全相同——我們有一個很好的標(biāo)準(zhǔn)參考數(shù)據(jù),它的Zth信息和K系數(shù)是已知的:
圖11:修正后的曲線與原圖完美重合
使用仿真來確定分級的限制:
在專業(yè)的熱仿真分析軟件Simcenter Flotherm和Simcenter FLOEFD中,使用校準(zhǔn)過的詳細(xì)熱模型可以幫助識別和設(shè)置分級限制范圍:
然后可以將被測器件/模組自動分類到不同的箱中。
責(zé)任編輯:haq
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原文標(biāo)題:【分享】?Simcenter MicReD Quality Tester在線質(zhì)量測試設(shè)備介紹
文章出處:【微信號:arcas_eda,微信公眾號:奧卡思微電】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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