據(jù)報道，光子集成電路（PIC）通常采用硅襯底，大自然中有豐富的硅原料，硅的光學性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成電路無法實現(xiàn)所需的各項功能，因此出現(xiàn)了新的材料平臺。氮化硅（Si3N4）就是其中一種，極低的光學損耗（低于硅材料幾個數(shù)量級）特性使其成為多種關注低損耗的重要應用的首選材料，如窄線寬激光器、光子延遲線和非線性光學器件。

瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院（EPFL）基礎科學學院的Tobias Kippenberg教授帶領的科學家團隊已經(jīng)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術，得到了創(chuàng)記錄的低光學損耗，且芯片尺寸小。這項研究成果已經(jīng)發(fā)表在《自然通訊》上。相關鏈接：https://www.nature.com/articles/s41467-021-21973-z。

在氮化硅襯底上制作的光子集成電路中有一米長的螺旋波導結構

該技術結合了納米工藝技術和材料科學，基于EPFL開發(fā)的光子大馬士革工藝，該團隊制造的光子集成電路光學損耗僅為1 dB/m，創(chuàng)下了所有非線性光子集成材料的記錄。

優(yōu)化后的光子大馬士革工藝流程示意圖

如此低的光學損耗大大降低了構建芯片級光頻梳（“微梳”）的功耗預算，用于相干光學收發(fā)器、低噪聲微波合成器、激光雷達、神經(jīng)形態(tài)計算甚至光學原子鐘等應用。

該團隊利用這項新技術在面積為5mm x 5mm 的芯片上制造出一米長的波導和高質量因子微型諧振器。據(jù)研究人員稱，該工藝的良率高，這對實現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)來講至關重要。

“這些芯片已經(jīng)用于光參量放大器、窄線寬激光器和芯片級頻率梳。”在EPFL微納米技術中心（CMi）負責制程的Junqiu Liu博士談到，“我們也期待看到我們的技術被用于新興應用，如相干探測激光雷達、光子神經(jīng)網(wǎng)絡和量子計算。”

編輯：jq