01

我們現(xiàn)在知道了，只要讓MOSFET有一個導通的閾值電壓，那么這個MOSFET就導通了。那么在我們當前的這個電路中，假設GS電容上有一個閾值電壓，足可以讓MOSFET導通，而且電容沒有放電回路，不消耗電流。那么DS導通，理論上等效電阻無窮小，我們把這個等效電阻稱之為Rdson。當MOSFET電流達到最大時，則Rdson必然是最小的。對于MOSFET來說，Rdson越小，價格也就越貴。我們說MOSFET從不導通變?yōu)閷?，等效內阻Rdson從無窮大變成無窮小，當然這個無窮小也有一個值的。MOSFET導通了，但是它沒有回路。

以上這些就是MOSFET和三極管的區(qū)別。當我們在測量MOSFET時，要想測量Rdson，先用鑷子夾在GS兩端短路掉，把GS電壓先放掉，放掉之后再測量DS兩端的阻抗，否則測出來的值就不準。

02

接下來我們再來看MOS管的損耗問題。

我們說，盡管導通后Rdson很小，但是一旦我走大電流，比如100A，最終還是有損耗的。我們把這個損耗叫做MOSFET的導通損耗，這個導通損耗，是由MOSFET的Rdson決定的，當MOSFET選型確定了之后，它的Rdson不再變了。

另外，DS上流過的Id電流是由負載決定的。既然是由負載決定的，我們就不能改變電流，所以，我們說MOSFET的導通損耗是由Rdson決定的。

我們看到，MOSFET的DS之間有一個二極管，我們把這個二極管稱為MOSFET的體二極管。假設正向：由D指向S，那么，體二極管的方向是跟正向相反的，而且，這個體二極管正向不導通，反向會導通。所以，這個體二極管和普通二極管一樣，也有鉗位電壓，實際鉗位電壓跟體二極管上流過的電流是有關系的，體二極管上流過的電流越大，則鉗位電壓越高，這是因為體二極管本身有內阻。

體二極管的功耗問題。假設體二極管的壓降是0.7V，那么它的功耗P=0.7V*I，所以，它的功耗也是由負載決定的。所以，功耗也蠻大的。我們把體二極管的功耗稱之為續(xù)流損耗。

那么，體二極管的參數(shù)我們怎么去設置呢？為了安全起見，體二極管的電流，一般跟Id電流是接近或者相等的。另外，我們還要注意的是，這個體二極管并不是人為的刻意做上去的，而是客觀存在的。

03

對于MOSFET來說，我們來討論GS電容問題。

我們要知道，MOSFET其實并不是一個MOSFET，它實際上是由若干個小的MOSFET合成的。既然是合成的，我們就討論下低壓MOSFET和高壓MOSFET的差異。

假設功率相等：3 KW

低壓：24V 電流：125A

高壓：310V 電流：9.7A

大家看到?jīng)]有，低壓電流大，高壓電流小。從內阻法來分析：如果電流大，是不是等效為內阻小啊；如果電流小，是不是內阻大啊。所以，低壓器件要求內阻小，高壓內阻大了。

從電壓角度比較分析：

從耐壓來看，則多個串聯(lián)；從電流來看，則多個并聯(lián)。所以：

低壓：24V 電流：125A 內阻小 多個管子并聯(lián) 耐壓很難做高

高壓：310V 電流：9.7A 耐壓高多個管子串聯(lián) 內阻必然大

所以根據(jù)上面分析，得出一個結論：

高壓MOSFET，Rdson大；低壓MOSFET，Rdson小。

MOSFET的GS電容：

低壓：24V 電流：125A

內阻小 多個管子并聯(lián) 耐壓很難做高gs電容大

高壓：310V 電流：9.7A

耐壓高 多個管子串聯(lián) 內阻必然大 gs電容小

由于一個MOSFET里面集成了大量的小的mosfet，實際上在制造工藝的工程中，是用金子來做的。如果里面有一些管子壞了，是測量不出來的，這就是大品牌和小品牌的差異。

那么，我們來看一下啊，MOSFET的GS電容對管子開通特性的影響。我們說，高壓的管子，它的GS電容小。要想把管子開通，無非是對這個電容充電，讓它什么時候充到閾值電壓，對不對？那么我們來看，當電流相等的情況下，對GS電容進行充電。

既然是對GS電容充電，那就看這個電容的大小啊，是吧。比方說，一個截面積小的水缸，和一個截面積很大的水缸，用相等的電流或者電荷數(shù)對它進行充電，大水缸充起來，電位升高的慢；小水缸充起來，電位升高的快。

我們說，高壓MOS管相等的電流進行充電，那么很明顯，結電容大的，則充的慢，也就是說開通的慢；GS電容小，則開通快。高壓MOSFET開通快，低壓MOSFET開通慢。

補充問題：

高壓MOSFET，Rdson大，一般幾十mΩ，比如50mΩ，可以通到十幾A就不錯了。但是功率并不小，因為電壓高啊。

低壓MOSFET，Rdson小，一般幾mΩ，比如3mΩ，可以做到幾十，甚至100A。 下篇文章我們來講一下MOSFET的開通和關斷

編輯：jq