臺積電三星3nm制程工藝研發(fā)均受阻
2020年，臺積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進的3nm制程也在計劃中，不過，最近它們好像都遇到了一些麻煩。
近日，產(chǎn)業(yè)鏈方面的最新消息顯示，臺積電和三星在3nm制程工藝的研發(fā)方面遇到了不同方面的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，研發(fā)進度不得不放慢。
據(jù)臺積電CEO魏哲家在財報分析師會議上透露，臺積電的3nm制程工藝仍將會采用成熟的鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)（FinFET）。而三星在3nm制程工藝方面將會采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)（GAA）。
不過，目前還不能確認臺積電和三星在3nm制程工藝研發(fā)過程中遇到什么樣的瓶頸，到底會對研發(fā)的進程造成怎樣的影響。
但是，臺積電可能是由于“缺電”的原因，造成進程受阻。數(shù)據(jù)顯示，先進制程機臺用電量占臺積電公司能源使用50%以上，同時考慮先進制程機臺數(shù)量逐年增加，臺積電對于電能的消耗將進一步快速增長。
而對于臺積電3nm工藝的產(chǎn)能，此前有報道稱其準備了四波產(chǎn)能，第一步中大部分將留給多年的大客戶蘋果，后三波產(chǎn)能將會被高通、AMD、Intel等廠商預(yù)定。
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