臺積電表示已經(jīng)部署了全球約50%的極紫外光刻設(shè)備
今年早些時候，臺積電(TSMC)表示已經(jīng)部署了全球約50%的極紫外光刻設(shè)備(EUV)，這意味著臺積電使用的EUV光刻機數(shù)量比業(yè)內(nèi)其他任何公司都多。根據(jù)DigiTimes的報道，臺積電計劃保持領(lǐng)先地位，并已經(jīng)訂購了至少13臺ASML的Twinscan NXE EUV光刻機，據(jù)悉花費超120億元人民幣。
盡管尚不清楚確切的交付和安裝時間表，但這些設(shè)備將在2021年全年交付。同時，臺積電明年的實際需求可能高達16 – 17臺EUV光刻機，因為該公司正在使用具有EUV層的制造技術(shù)來提高產(chǎn)量。臺積電尚未確認該報告。
目前，臺積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機在其N7 +和N5節(jié)點上生產(chǎn)商用芯片，但該公司將在接下來的幾個季度中增加N6（實際上定于2020年第四季度或2021年第一季度進入HVM）以及還具有EUV層的N5P流程。
臺積電對EUV光刻機的需求隨著其技術(shù)變得越來越復(fù)雜并采用了需要使用極紫外光刻工具進行處理的更多層而不斷增加。
責(zé)任編輯：lq
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
臺積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5652瀏覽量
166684 -
光刻機
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1153瀏覽量
47456 -
光刻設(shè)備
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
22瀏覽量
6521
原文標題：120億！臺積電再購13臺EUV光刻機！
文章出處：【微信號：CSF211ic，微信公眾號：中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻（EUV）競爭
芯片制造、價值1.5億美元的極紫外（EUV，https://spectrum.ieee.org/tag/euv）光刻掃描
日本首臺EUV光刻機就位
據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日報道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司，已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安
今日看點丨英特爾將更多Arrow Lake芯片訂單外包給臺積電；西門子全球裁員高達5000人
1. SK 海力士考慮采用ASML 的High NA EUV 設(shè)備 ? 韓國芯片大廠SK海力士14日表示，正考慮使用ASML造價4億美元的高數(shù)值孔徑極紫外光（High NA EUV）微
發(fā)表于 11-15 11:24
?638次閱讀
最新CMOS技術(shù)發(fā)展趨勢
技術(shù)（EUV） 隨著制程技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已經(jīng)接近物理極限。極紫外光刻技術(shù)（EUV）作為一種新型光刻技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)更小的特征尺寸，推
紫外光源的分類
自然界中存在多種紫外光譜，人工紫外光源包括氣體放電、超高溫輻射體和半導(dǎo)體光源。常用紫外光源有高壓汞燈、氙燈、氪燈、氘燈、紫外LED和準分子激光器等，各有特定波長、工作電壓和光功率。
日本大學(xué)研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)
近日，日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）發(fā)布了一項重大研究報告，宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當前半導(dǎo)體制造業(yè)的標準界限，其設(shè)計的
友思特分享 完美聚光：用于光刻曝光的UV-LED光引擎
LED替代汞燈在紫外光源中的使用已成為大勢所趨。友思特先進的 UV-LED-EXP 系統(tǒng)可作為OEM集成、汞燈光刻設(shè)備改造或直接定制光路設(shè)計和曝光設(shè)備，為
今日看點丨ASML今年將向臺積電、三星和英特爾交付High-NA EUV；理想 L9 出事故司機質(zhì)疑 LCC，產(chǎn)品經(jīng)理回應(yīng)
1. ASML 今年將向臺積電、三星和英特爾交付High-NA EUV ? 根據(jù)報道，芯片制造設(shè)備商ASML今年將向臺積電、英特爾、三星交付
發(fā)表于 06-06 11:09
?896次閱讀
臺積電轉(zhuǎn)變態(tài)度？秘密訪問ASML總部引發(fā)行業(yè)關(guān)注
宿敵英特爾則積極投身于新興高數(shù)值孔徑超紫外光刻領(lǐng)域，已有數(shù)臺設(shè)備投入其芯片制造部門使用。據(jù)透露，英特爾正計劃在即將推出的18A（1.8納米）工藝節(jié)點中試行高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)，并將
買臺積電都嫌貴的光刻機，大力推玻璃基板，英特爾代工的野心和危機
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）此前，臺積電高級副總裁張曉強在技術(shù)研討會上表示，“ASML最新的高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（high-NA EUV
荷蘭阿斯麥稱可遠程癱瘓臺積電光刻機
disable）臺積電相應(yīng)機器，而且還可以包括最先進的極紫外光刻機（EUV）。 這就意味著阿斯麥（ASML）留了后門，隨時有能力去遠程癱瘓制造芯片的
光刻機的基本原理和核心技術(shù)
雖然DUVL機器可以通過多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米，但如果要獲得更小的線寬，DUVL已經(jīng)達到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻（EUVL）成為研究的重點，其波長為13.5納米。
發(fā)表于 04-25 10:06
?3640次閱讀
一文讀懂半導(dǎo)體工藝制程的光刻膠
光刻膠按照種類可以分為正性的、負性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除，負膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
簡儀科技紫外光子成像技術(shù)應(yīng)用
在面對紫外光子成像技術(shù)時，面臨著諸多挑戰(zhàn)。光子密度大、需要高頻觸發(fā)采集，以及實時計算光子位置進行譜圖繪制，這些都對采集設(shè)備的性能提出了極高的要求。
紫外發(fā)光二極管的發(fā)光原理 紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)
紫外發(fā)光二極管是指可發(fā)出波長約400nm的近紫外光的發(fā)光二極管（led）。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論