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碼相機設計中的圖像傳感器噪聲源

電子設計 ? 來源:安森美半導體 ? 作者:安森美半導體 ? 2021-04-29 08:56 ? 次閱讀

如今,電荷耦合器件(CCD)數(shù)碼相機無處不在,但是很難設計出一種高性能的相機,無論用戶在何時何地使用它都可以使用。優(yōu)化數(shù)碼相機的設計不僅需要了解如何將相機連接到系統(tǒng),還需要了解可能降低相機捕獲清晰圖像的能力的噪聲源。

在良好的數(shù)碼相機設計中,系統(tǒng)的噪聲性能受CCD的限制,而不是受其連接的系統(tǒng)的限制。通常,噪聲有兩種主要類型:時間噪聲和空間噪聲。時間噪聲通常在很短的持續(xù)時間內僅限于單個像素,并且可以通過平均技術來緩解??臻g噪聲在更大范圍內是常見的,并且可以通過幀減法或增益/偏移校正技術來消除其中的一些噪聲。

時間噪聲有五個主要來源:

  • 散粒噪聲:散粒噪聲受泊松統(tǒng)計量控制,并且與到達傳感器的光子數(shù)量成正比。它是自然邊界,可建立最小可能的本底噪聲和信噪比。
  • 復位噪聲:CCD通常使用感測電容器和源跟隨器電路將帶電的像素轉換為電信號。復位噪聲可應對感測電容器基準電壓的變化,并且通常使用相關雙采樣器電路(可測量復位電壓與信號電壓之差)來消除噪聲。然后將信號調整相應的量,從而消除此噪聲源。
  • 輸出放大器噪聲:這有兩種形式-白噪聲和閃爍噪聲。白噪聲與頻率無關,并且是由源極跟隨器FET中的熱阻引起的。白噪聲受電路靈敏度和放大器增益的影響。白噪聲通常隨放大器面積的增加而增加。

閃爍噪聲與像素采樣率成反比,并且與流過放大器MOSFET的硅氧化物界面的電流效率有關。噪聲功率每增加十倍頻次便降低10倍,直到噪聲趨于平穩(wěn)為止。對于緩慢采樣像素(約1MHz采樣率)的CCD,閃爍噪聲通常決定本底噪聲。閃爍噪聲通常隨放大器面積而減小。

設計以給定頻率工作的源跟隨放大器時,目標是在競爭的傳感器幾何結構之間找到最低的噪聲折衷。

  • 時鐘噪聲:時鐘噪聲是由時鐘的切換波形產生的,這些時鐘是通過CCD傳輸信號并處理電路輸出所必需的。時鐘噪聲通常與時鐘頻率的平方根成正比。
  • 暗電流散粒噪聲:暗電流散粒噪聲無法消除,并且等于暗信號的平方根。可以通過冷卻CCD傳感器來解決,這可以減少暗電流的總量。有關暗電流噪聲的說明,請參見下文。

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空間噪聲的主要來源包括:

  • 暗電流不均勻。暗電流中的不均勻性可以通過從每個圖像中減去暗參考幀來校準。此過程可校正過程變化,硅中的缺陷以及金屬雜質,這些雜質會在傳感器的不同區(qū)域產生不同數(shù)量的暗電流。
  • 光響應非均勻性(PRNU)。這種噪聲是由工藝變化引起的,表現(xiàn)為對平場圖像的光敏度變化的“棋盤”圖案。它通常是平均信號的百分之一到百分之二,并且與平均信號呈線性關系。可以校準PRNU –盡管散粒噪聲的增加成本是√2。

暗電流的解釋:暗電流噪聲是傳感器耗盡的大塊硅中或硅-二氧化硅界面處產生的熱噪聲。它是由具有足夠熱能進入中間狀態(tài)并隨后發(fā)射到導帶中的電子產生的。硅-二氧化硅層上產生的暗電流噪聲(表面暗電流)可以通過累積模式時鐘來緩解,該模式會產生空穴的反型層,該空穴反型層可以有效地收集熱激發(fā)的表面電子。體硅中產生的噪聲為體暗電流,主要由硅中的缺陷引起。如上所述,減去暗參考系是校正整體暗電流變化的最佳方法。

一旦設計并制造了相機,就可以通過生成光子傳遞曲線來對其進行表征。這給出了有關傳感器的完整阱和轉換常數(shù)的信息,并用于導出系統(tǒng)的動態(tài)范圍。此外,曲線還顯示了相機的讀取噪底,限制了相機受到散粒噪聲的動態(tài)范圍以及限制了圖案噪聲的范圍。

編輯:hfy

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