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如何使用MOS晶體管研究NMOS零增益放大器原理

電子設(shè)計 ? 來源:ADI公司 ? 作者:ADI公司 ? 2021-01-24 12:16 ? 次閱讀

來源:Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus

本次活動是對11月份學(xué)子專區(qū)的延續(xù);本次將介紹電流鏡,其輸出可以不受輸入電流變化的影響。因此,使用MOS晶體管從另一個角度來研究零增益放大器的性能將頗有助益。

材料

ADALM2000 主動學(xué)習(xí)模塊

● 無焊面包板

● 一個2.2 kΩ電阻(或其他類似值)

● 一個168 Ω電阻(將100 Ω和68 Ω電阻串聯(lián))

● 一個小信號NMOS晶體管(增強模式CD4007或ZVN2110A)

說明

圖1給出了NMOS零增益放大器的原理圖。

o4YBAGAM85OAcDYuAABajYzWukk923.png

圖1.NMOS零增益放大器

硬件設(shè)置

面包板連接如圖2所示。任意波形發(fā)生器1輸出連接驅(qū)動電阻R1的一端。電阻R2連接在晶體管M1的柵極和漏極之間,電阻R1的另一端也連接至柵極。M1的源極接地;所以,M1采用共源配置。

pIYBAGAM856AP0byAAHrXuTdacE654.png

圖2.NMOS零增益放大器面包板電路。

程序步驟

波形發(fā)生器1配置為1 kHz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏置為2 V。連接示波器通道1,以顯示AWG的輸出W1。示波器通道2 (2+)的單端輸入被用于交替測量M1的柵極電壓和漏極電壓。

配置示波器以捕獲測量的兩個信號的多個周期。啟用XY功能。

使用示波器的波形圖示例如圖3至圖5所示。

o4YBAGAM86mAbTx8AAGopZ_dX9o117.png

圖3.示波器VGATE的波形圖。

o4YBAGAM87iAT9z_AAI6AA9cm4M821.png

圖4.示波器VDRAIN的波形圖。

pIYBAGAM882AJ0WtAABmyCObegk190.png

圖5.示例:比較VGATE和VDRAIN。
編輯:hfy

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