全新RE01在EEMBC ULPMark-CP基準測試認證中獲得705分瑞薩電子集團今日宣布,擴展其超低功耗嵌入式控制器RE產(chǎn)品家族,推出采用瑞薩突破性的SOTBTM(Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋層覆硅)制程工藝、基于Arm Cortex-M0+內(nèi)核構(gòu)建的新品。該RE01群最新成員搭載256KB閃存,區(qū)別于已量產(chǎn)、集成了1.5MB閃存的現(xiàn)有產(chǎn)品。該全新控制器具備最小3.16mm×2.88mm WLBGA封裝尺寸,且針對用于傳感器控制的更緊湊的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的產(chǎn)品設(shè)計進行了優(yōu)化,適用于智能家居、智能樓宇、環(huán)境感測、(建筑物/橋梁)結(jié)構(gòu)監(jiān)測、跟蹤器和可穿戴設(shè)備等應(yīng)用。新款嵌入式控制器在EEMBC ULPMarkTM-CoreProfile(CP)認證中獲得705分,充分驗證了其領(lǐng)先能源效率 (注1)。憑借瑞薩獨有的SOTB制程工藝,可極大降低運行及待機電流消耗,才能取得如此高評分。瑞薩電子高級副總裁、物聯(lián)網(wǎng)及基礎(chǔ)設(shè)施事業(yè)本部SoC事業(yè)部負責(zé)人新田啟人表示:“我們對RE家族產(chǎn)品的超低功耗獲得官方認證感到非常榮幸,并希望以此推動RE產(chǎn)品家族得到更廣泛的應(yīng)用,延長嵌入式設(shè)備的電池壽命,并減輕更多客戶在電池維護方面的負擔(dān)。”該新產(chǎn)品的電流消耗在工作狀態(tài)下可低至25μA/MHz,待機狀態(tài)下可低至400 nA,其超低功耗在全球處于領(lǐng)先地位。用戶可通過瑞薩超低Iq ISL9123作為外部降壓穩(wěn)壓器,將工作電流消耗進一步降低至12μA/MHz。RE具有超低功耗,可顯著延長嵌入式設(shè)備的電池壽命。它們還適用于需要多個傳感器的實時數(shù)據(jù)處理應(yīng)用,即使由低電流緊湊型電池或能量采集設(shè)備供電也能高速運行。當(dāng)前市場上具有1.5 MB閃存的RE MCU適合需要大存儲容量的應(yīng)用,例如圖像數(shù)據(jù)處理或無線更新固件等。而全新RE01產(chǎn)品群非常適合緊湊型設(shè)備和用于傳感器控制的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。全新RE01產(chǎn)品群R7F0E01182xxx的關(guān)鍵特性:
Arm Cortex-M0+ 內(nèi)核,最大工作頻率64MHz
256KB閃存和128KB SRAM
工作電流:25μA/MHz(使用片上LDO時),12μA/MHz(使用外部DC/DC轉(zhuǎn)換器時)
軟件待機狀態(tài)消耗電流:400nA
工作電壓范圍:1.62V ~ 3.6V;從1.62V開始,最高可達64MHz高速運行
封裝規(guī)格:約3mmx3mm 72引腳WLBGA、7mmx7mm 56引腳QFN、14mmx14mm 100引腳和10mmx10mm 64引腳LQFP
片上能量采集控制電路(快速啟動電容器充電、二次電池充電保護功能)
約4μA超低功耗和14位A/D轉(zhuǎn)換器
支持閃存編程,功耗約為0.6mA
使用TSIP內(nèi)核的強大安全功能
深度待機模式下,實時時鐘可持續(xù)工作,1.8V供電時消耗電流為380nA。
RE產(chǎn)品家族開發(fā)環(huán)境
EK-RE01 256KB評估套件可與用戶系統(tǒng)結(jié)合使用,以評估包括能量采集系統(tǒng)在內(nèi)的所有外圍功能。該套件中的評估板包括ISL9123超低Iq DC/DC轉(zhuǎn)換器,它能夠測量12μA/MHz的極低工作電流。除了能量采集系統(tǒng)所需的能量采集元件接口和二次電池連接接口外,評估板還配備了可輕松擴展和評估傳感器板的Arduino兼容接口,以及可輕松擴展并評估無線功能的PmodTM連接器。兼容的開發(fā)工具包括支持IAR C/C++編譯器的IAR Embedded Workbench for Arm和支持GNU編譯器的e2 studio,兩款工具均可免費獲得。此外,還提供支持Arm Cortex微控制器軟件接口標準(CMSIS)的驅(qū)動程序軟件,同時也可支持用于無法承受由驅(qū)動程序軟件運行導(dǎo)致功率損耗的低功耗應(yīng)用的低級示例代碼。瑞薩電子致力于擴展基于SOTB工藝的RE產(chǎn)品家族陣容、支持低功耗系統(tǒng)的開發(fā),進而推動實現(xiàn)環(huán)保型智能社會。
責(zé)任編輯:pj
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