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基于微流控器件和CMOS以及SOI絕緣體上硅芯片的集成

MEMS ? 來(lái)源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2020-06-20 09:47 ? 次閱讀

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,X-FAB Silicon Foundries本周宣布,公司已經(jīng)采取措施簡(jiǎn)化了微流控器件和CMOS以及SOI(Silicon-On-Insulator,絕緣體上硅)芯片的集成。作為該公司面向MEMS領(lǐng)域的產(chǎn)品之一,X-FAB在硅基微流控系統(tǒng)方面得以提供更豐富的工藝處理能力。X-FAB一直致力于更標(biāo)準(zhǔn)化的代工技術(shù),以消除市場(chǎng)進(jìn)入壁壘,縮短開發(fā)周期。在過(guò)去的5年里,X-FAB在微流控領(lǐng)域共投資2500萬(wàn)美元,為其工業(yè)和醫(yī)療客戶開展了許多項(xiàng)目,這些項(xiàng)目包括芯片實(shí)驗(yàn)室(lab-on-a-chip)、DNA測(cè)序和合成以及癌癥診斷等。通過(guò)這些項(xiàng)目,X-FAB在貴金屬加工、高深寬比的深反應(yīng)離子刻蝕(deep reactive ion-etching,DRIE)以及有機(jī)和無(wú)機(jī)材料沉積等領(lǐng)域進(jìn)一步鞏固了其專業(yè)地位。X-FAB表示,他們對(duì)于連接CMOS芯片和相關(guān)的微流控器件所需的接口的定制化服務(wù)方面也頗有心得,因此可以滿足確切的應(yīng)用需求。

以其專業(yè)知識(shí)為基礎(chǔ),X-FAB的工藝能力擴(kuò)展到了以下領(lǐng)域:

* 貴金屬電極陣列

* 用于表面鈍化和保護(hù)的無(wú)機(jī)層

* 深硅溝槽和深硅空腔刻蝕

* 硅或玻璃蓋板晶圓鍵合

* 聚合物流體結(jié)構(gòu)

該公司表示,他們正在繼續(xù)擴(kuò)大涵蓋以上工藝能力的標(biāo)準(zhǔn)流程組合。與其從頭開始進(jìn)行復(fù)雜的微系統(tǒng)設(shè)計(jì),不如重新利用現(xiàn)有的IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán)),從而搶占先機(jī)。這將有助于縮短產(chǎn)品開發(fā)周期、擴(kuò)大規(guī)模以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。目前所設(shè)想的新領(lǐng)域包括開發(fā)用于藥物管理、流量計(jì)量和污染監(jiān)測(cè)的MEMS解決方案。

“我們看到越來(lái)越多的領(lǐng)域需要應(yīng)用到硅基微流控技術(shù)。因此,我們的工程師團(tuán)隊(duì)正在努力將這‘兩個(gè)世界’融合在一起,那么醫(yī)療原始設(shè)備制造商們(OEM)對(duì)生理學(xué)和流體分析領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn)就可以與X-FAB的半導(dǎo)體制造技術(shù)結(jié)合起來(lái)。”X-FAB MEMS業(yè)務(wù)部門副總裁Volker Herbig表示,“我們很高興通過(guò)現(xiàn)有的多種新工藝技術(shù),幫助我們的醫(yī)療客戶開發(fā)智能集成微流控系統(tǒng)。”

X-FAB是全球領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)和MEMS代工廠之一。該公司的模塊化CMOS和SOI工藝處理尺寸涵蓋1.0 μm ~ 0.13 μm,同時(shí)SiC(碳化硅)和MEMS工藝也名列前茅。X-FAB在德國(guó)、法國(guó)、馬來(lái)西亞和美國(guó)共擁有六個(gè)生產(chǎn)基地,全球員工約3800名。
責(zé)任編輯:pj

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