2020年5月27日，華潤微電子有限公司（以下簡稱“華潤微”）代工事業(yè)群旗下的無錫華潤上華科技有限公司（以下簡稱“華潤上華”）與成都銳成芯微科技股份有限公司（以下簡稱“成都銳成芯微”）宣布，雙方聯(lián)合推出高可靠性eFlash解決方案， 該方案基于華潤上華0.153μm 5V EN CMOS工藝，并具有獨特的成本優(yōu)勢。

華潤微0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺由上一代明星工藝平臺（0.18μm EN CMOS工藝平臺）優(yōu)化而來。優(yōu)化后的工藝成本大大縮減，在未增加光刻層次的情況下，將N/P MOS溝道尺寸進一步縮小。該工藝平臺器件種類多樣，適用于MCU、LED顯示屏、音頻功放、DC-DC等多種應用場景。

成都銳成芯微的LogicFlash? IP具有顯著的市場競爭優(yōu)勢，成本優(yōu)、性能高、可靠性高，并兼容標準CMOS 平臺。基于華潤上華0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺，成都銳成芯微能同時提供高可靠性和高密度兩個版本的LogicFlash? IP，高密度版本擦寫次數(shù)可達10K，高可靠性版本擦寫次數(shù)可達50K；兩款IP讀取速度可達25MHz，寫入速度可達20μS/byte（超快的寫入速度可滿足終端客戶各種應用場景下對高速讀寫的需求，并有效降低客戶測試成本）；兩款IP可在150℃ 結(jié)溫下工作，滿足125℃ 結(jié)溫下10年的數(shù)據(jù)保持能力的要求，同時滿足消費類和工業(yè)類產(chǎn)品需求。

基于華潤微0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺，成都銳成芯微已完成高密度版本Logic Flash? IP的功能、性能和1000小時可靠性測試，以及高可靠性版本LogicFlash? IP的功能測試。目前，兩個版本的IP均有客戶使用并成功導入量產(chǎn)，客戶反饋該技術(shù)方案相比其他解決方案具有高性價比、高靈活性等特點。

華潤上華設計服務工程中心總監(jiān)王浩表示：“0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺是公司近些年重點打造的基礎工藝平臺，其關鍵工藝參數(shù)（On-BV、ESD、Rdson）在業(yè)界處于領先地位。公司具備極具市場競爭力的數(shù)字單元庫（縮小到60%）和SRAM（縮小到58%）。根據(jù)市場調(diào)研，公司發(fā)現(xiàn)其核心客戶應用領域從功能單一的ASIC芯片向智能化可編程化的MCU類芯片發(fā)展，eNVM是MCU類芯片不可或缺的核心IP。此次與成都銳成芯微的合作，補齊了公司0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺缺少核心eNVM IP的短板，為客戶提供了更高價值的服務，能夠幫助客戶提高產(chǎn)品競爭力。”

成都銳成芯微首席執(zhí)行官向建軍表示：“銳成芯微一直致力于eNVM IP的開發(fā)，通過不斷加大研發(fā)投入，優(yōu)化設計，確保在保持高性能的條件下，不斷提升成本競爭力，滿足客戶對于eNVM IP的多樣性需求。此次和華潤上華在0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺的合作，也是為了更好地滿足市場需求，為全球客戶提供極具成本優(yōu)勢的高性能eNVM 技術(shù)。”