引言

本發(fā)明專利技術核心特點：

① 晶片兩電極焊盤設在兩對角園缺側壁上，焊盤間距和面積大；② 多層結構，降低同層晶片之間間距。

本文概述了本發(fā)明核心技術要點，介紹和分析了P 0.45和P 0.9 RGB顯示屏，以及P 0.4背光的技術方案。采用現(xiàn)有成熟的技術方法和設備，就可實現(xiàn)量產(chǎn)。

技術概述

小間距，mini/miro LED的技術障礙來自：

① LED晶片尺寸太小（電極焊盤間距太小、面積太小）；② 隔壁鄰居太近（間距太小）。千萬上億個焊盤的焊連，良品率（成本）。

1. 本發(fā)明專利技術核心特征

（A）晶片兩電極焊盤設在兩對角園缺側壁上。

設有晶片承載片，陣列地開有數(shù)多晶片嵌口，LED晶片嵌入晶片嵌口中。晶片嵌口兩對應的對角側壁上設置有連線焊盤，采用焊錫膏焊連兩電極。

（B）多層晶片承載片結構。

上圖（橫截面視圖）示出有三層，那么每層的晶片密度只有三分之一，晶片之間的距離加大，該三層分別是，R層、G層和B層，構成全彩顯示屏。

2. 技術優(yōu)勢分析說明：

（A）兩電極焊盤設在兩對角園缺側壁上，（1）晶片上的兩電極焊盤間距最大可能加大；（2）利用側壁加大了電極焊盤的面積，有利于焊接。

LED晶片嵌在晶片嵌口中，采用焊錫焊連兩電極，（1）無金線，（2）兩電極容易牢靠焊連，（3）易修補缺陷晶片和焊點（如右圖所示），因而，100%的良品率容易實現(xiàn)。

（B）多層晶片承載片結構，晶片承載片設有薄膜晶體管（FTF），（1）晶片之間的距離加大，避免了相鄰晶片的電極焊連線之間的干涉，有利于減小像素間距，（2）焊有LED晶片的承載片（以后稱之為LED單層片）就是一獨立的膜片（可設計成與其他的片沒有關聯(lián)），可單獨通電測試和修補，合格后再與其他的LED單層片貼合一體，實現(xiàn)100%的良品。

P 0.45 RGB LED全彩屏設計方案

1. 0.2x0.2 LED晶片

0.2x0.2是一常規(guī)LED晶片，不同只是對角園缺，電極焊盤設在該兩園缺側壁上。激光打孔，孔壁金屬化都是常規(guī)技術。

2. 晶片承載片

晶片承載片的厚度與LED晶片的一致（0.1mm）。晶片嵌口采用激光開孔、孔壁金屬化、柔性材料、薄膜晶體管（TFT），這都是常規(guī)技術。

3. 晶片嵌入晶片嵌口（打晶）

晶片嵌口的尺寸0.26x0.26，晶片與晶片嵌口之間四周有0.03的間隙，即打晶的精度誤差在±0.03即可，這是屬于常規(guī)精度。

4. 電極焊盤錫膏焊接

采用絲網(wǎng)印刷或噴墨式噴涂錫膏，錫膏涂敷的面積盡可能大，利用液態(tài)錫的表面張力，凝聚滲入兩焊盤之間的縫隙，因而錫膏的定位允許誤差加大，以上設計，錫膏的定位允許誤差±0.1mm，屬于常規(guī)的技術要求。

涂敷超量錫膏，采用吹氣或吸錫滾輪去除多余的焊錫，更易確保焊接，降低精度要求。

以上方案所涉及到的設備、技術、工藝制程等都是現(xiàn)有常規(guī)的。

5. RGB三層拼合

第一層（層一）的外延層朝后，類似于所謂的倒裝，層二、層三的朝前。圖中示出，RGB三層的晶片前后之間部分層疊。

P 0.45的RGB LED 全彩屏，采用常規(guī)設備、技術、工藝制程等，就可實現(xiàn)。

拼合之前，每個單層都已經(jīng)經(jīng)過測試、缺陷修復工序，因而，100%良品率，輕易可得。

P0.4背光設計方案

LED晶片規(guī)格同樣采用0.2x0.2。

晶片嵌口的尺寸0.28x0.28，晶片與晶片嵌口之間四周有0.04的間隙，即打晶的精度誤差在±0.04即可，精度要求降低了。

只需兩層LED單層盤（晶片承載片），層一的外延層朝后，層二朝前。熒光層可采用絲印或貼熒光膜片方式設置。

拼合之前，每個單層都已經(jīng)經(jīng)過測試、缺陷修復工序，因而100%良品率輕易可得。

P0.9 RGB LED全彩屏設計方案

LED晶片規(guī)格同樣采用0.2x0.2，RGB三晶片在同一層，即只采有一片晶片承載片，三個晶片有一共用連線焊盤。

晶片與晶片嵌口之間四周有0.04的間隙，打晶的精度誤差在±0.04即可，常規(guī)技術。

晶片承載片沒有設置TFT，設有驅(qū)動PCB板，晶片承載片設有外連焊盤，驅(qū)動PCB板上有對應的焊盤相連，Φ0.2直徑的焊盤，可允許上下兩焊盤錯位誤差0.1mm，常規(guī)技術。

在與驅(qū)動PCB板焊合之前，焊好晶片的晶片承載片已經(jīng)完成測試、缺陷修復工序，因而，100%的良品率。

后序及聲明

P 0.45 的RGB LED 全彩顯示屏完全可以滿足4K大屏電視機的需求，依據(jù)本發(fā)明專利技術方案設計，采用現(xiàn)常規(guī)技術和設備，就可實現(xiàn)100%良品率，有效低成本成本造價，解決由于價格影響市場的難題。數(shù)千億級的大市場將被引爆。

以上展示的屬于mini LED，本發(fā)明專利同樣可大大地降低大間距LED顯示屏造價，同樣將顛覆大間距LED顯示屏工藝制程。

本發(fā)明專利將促進LED顯示和背光、面板行業(yè)發(fā)展步入一新時代，受益最大的是，當今產(chǎn)能嚴重過剩的LED外延晶片工廠。

在此，特別聲明，以上展示的LED晶片結構，在本發(fā)明專利（發(fā)明專利號：ZL20101055508.6，十年前）的保護范圍內(nèi)，必須得到許可，方可使用。