（一）首先判斷線路板適合用雙向可控硅（晶閘管）還是單向可控硅（晶閘管）。

（二）根據線路的安裝條件要求，適合用插件可控硅還是貼片可控硅。

插件可控硅（晶閘管）封裝外形有：TO-92、TO-251、TO-126、SOT-82、TO-202、TO-202-3、TO-262、TO-220、TO-220F、TO-3P、TO-3PS、TO-247、TO-247S、TG-C，RD91。

2.貼片可控硅（晶閘管）封裝外形有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-89、SOT-223、TO-252、TO-263。

3.一般可控硅在應用中會加裝散熱片，這方面的安裝空間要考慮到。

（三）查看可控硅的規(guī)格書，每個參數對應用線路的說明如下：

1、反向斷態(tài)重復峰值電壓（VRRM）：晶閘管反向阻斷時允許重復加在晶閘管上最大瞬時值反向電壓，包括所有的重復瞬態(tài)電壓。反向斷態(tài)重復峰值電壓為反向不重復峰值電壓（VRSM）的90%

2、正向斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM）：晶閘管正向阻斷時允許重復加在晶閘管上最大瞬時正向電壓。正向斷態(tài)重復峰值電壓為正向斷態(tài)不重復峰值電壓（VDSM）的90%

3、反向重復峰值電流（IRRM）：在門極斷路時，晶閘管加上反向重復峰值電壓時的峰值漏電流

4、斷態(tài)重復峰值電流（IDRM）：在門極斷路時，晶閘管加上斷態(tài)重復峰值電壓時的峰值漏電流

5、門極觸發(fā)電流（IGT）：使晶閘管由斷態(tài)轉入通態(tài)所必需的最小門極電流

6、門極觸發(fā)電壓（VGT）：產生門極觸發(fā)電流所必須的最小門極電壓

7、通態(tài)均方根電流（IT（RMS））：通態(tài)電流在一個周期內的均方根值

8、通態(tài)平均電流（IT（AV））：通態(tài)電流在一個周期內的平均值

9、浪涌電流（ITSM）：在額定結溫下，在工頻正弦波半周期間元件所能承受的最大過載電流

10、通態(tài)電流臨界上升率（di/dt）：在規(guī)定結溫下，晶閘管用門極開通時所能承受而不導致損壞的通態(tài)電流的最大通態(tài)電流上升率

11、斷態(tài)電壓臨界上升率（dv/dt）：在額定結溫和門極斷路時，使元件從斷態(tài)轉入通態(tài)的最低電壓上升率

12、峰值通態(tài)電壓（VTM）：晶閘管通以π倍或規(guī)定倍數額定通態(tài)平均電流值時的瞬態(tài)峰值電壓

13、維持電流（IH）：在室溫及門極斷路時，晶閘管被觸發(fā)導通后，從較大的通態(tài)電流下降到維持通態(tài)所必需的最小通態(tài)電流

14、擎住電流（IL）：晶閘管從斷態(tài)轉換到通態(tài)瞬間移除觸發(fā)信號后，要保持元件維持通態(tài)所需要的最小電流。同一個晶閘管，通常擎住電流IL約為維持電流IH的2~4倍。

15、額定結溫（Tj）：元件在正常工作條件下所允許的最高PN結溫度。

16、I2t值：浪涌電流的平方在其持續(xù)時間內的積分值。

17、門極平均值耗散功率（PG（AV））：在規(guī)定條件下，門極正向所允許的最大平均功率。

（四）可控硅選擇絕緣還是非絕緣的，示例圖如下：

絕緣和非絕緣示例圖

（四）可控硅IGT（觸發(fā)電流），通態(tài)均方根電流IT（RMS），重復峰值電壓，選擇如下：

可控硅IGT（觸發(fā)電流）是固定的，在設計線路中，一般驅動觸發(fā)電流是可控硅IGT（觸發(fā)電流）的2-3倍，可控硅在高溫或低溫條件下才能完全打開。

通態(tài)均方根電流IT（RMS）負載是電阻性產品，舉例：常溫條件下功率在1A左右，選擇可控硅通態(tài)均方根電流IT（RMS）在2-3A以上，具體在測試中保證可控硅溫度在90°C以下工作，負載是感性負載產品舉例：常溫條件下功率在1A左右，選擇可控硅通態(tài)均方根電流IT（RMS）在4-7A以上，具體在測試中保證可控硅溫度在90°C以下工作。

重復峰值電壓：一般我們知道，民用單相全電壓范圍是在90~265V之間。而可控硅的正反向斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM/VRRM）與輸入電壓成正比關系，通常情況下，可控硅的耐壓是輸入電壓的3倍，最小不得小于2倍。例如：中國的市電輸入是220V±10%，以標準有效值220V電壓來選取，功率器件在選耐壓時取其平均值，而市電平均值約為200V為基準，那么耐壓就是選取200V*3=600V。而以全電壓最大值265V為基準，那么耐壓就是選取265V*3=800V。工業(yè)三相電壓范圍是在380V（-5%~﹢10%），因為波動較大，可以分三段即360、380、420為例：360*3=1000V；380*3=1200V；420*3=1200V?？紤]到某些應用場合可控硅在關斷和打開瞬間有一個反向電動勢產生，所以在采用電壓波動比較大，外界環(huán)境比較復雜的三相電時留有余量，可以考慮選擇1600V和1800V或者2000V以上耐壓的可控硅。

（五）關于可控硅加裝散熱片。

一般負載功率大于4A以上，可控硅需要加裝散熱片。

可控硅在工作溫度高于90度以上。需要加裝散熱。

（六）總結上述5點就可以真確的選好可控硅，用好可控硅。