迄今為止,電動汽車電池的價格昂貴,體積大且效率低。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是汽車電子領域的兩項半導體新技術,它們也許可以改變這一切。
較新的化學方法允許使用更小,更高效的半導體,該半導體可以在比傳統硅晶片更高的電壓下運行。特斯拉決定將SiC晶體管納入其Model 3的決定被視為該行業的重要里程碑。
SiC首先在1200V電壓下確立了自己的地位,在這一點上它已經超越了硅和GaN,并已朝著600至900V的水平下降,從而為電動汽車市場服務。GaN在200至900V的電壓下勝過硅,并且還在電動汽車市場中確立了自己的地位。在這些電壓下,該技術還可用于太陽能發電系統和工業電動機驅動器的電力電子設備中。
隨著汽車工業迅速向電動汽車發展,預計將有更多的半導體初創企業成為眾多半導體初創企業的目標。
最為成熟的GaN初創公司包括GaN Systems和Navitas Semiconductor。其他有前途的GaN初創公司包括Ithaca,Odyssey Semiconductor和以色列的VisIC Technologies,它們都在開發高壓電源開關和模塊。
同時,最大的純碳化硅公司Cree去年宣布,將投資10億美元擴大北卡羅來納州達勒姆總部的制造能力,并在紐約州北部建造新的制造工廠。其他較小的碳化硅公司包括GeneSiC Semiconductor和GT Advanced Technologies。
意法半導體,英飛凌科技,安森美半導體和三菱電機等領先的功率半導體器件生產商可能都在關注這一新貴。意法半導體(STMicro)在2019年2月以1.375億美元收購瑞典SiC晶圓制造商Norstel時已經做了一些收購。諸如松下,安森美半導體,德州儀器和三肯電氣等其他大公司也正在開發GaN開關晶體管。一位行業投資銀行家和分析師表示,預計一些公司會通過收購來加速這一進程。
羅斯資本(Roth Capital)董事總經理兼高級研究分析師克雷格·歐文(Craig Irwin)表示,除了諸如電動汽車和太陽能電池板等經過驗證的應用外,這些設備還為全新的應用打開了大門。
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