2019年7月初,日韓突然陷入制裁爭端,日本宣布限制對韓出口三種關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料,分別是電視和手機OLED面板上使用的氟聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、半導(dǎo)體制造中的核心材料光刻膠(Photoresist)和高純度氟化氫(Eatching Gas)。
日本方面敢這么做當然是有底氣的,基本壟斷著全球的氟聚酰亞胺、氟化氫材料市場,分別占全球份額的90%、70%之多,韓國企業(yè)更是嚴重依賴日本供應(yīng),禁售直接帶來了毀滅性的打擊。
據(jù)外媒最新報道,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省已經(jīng)部分解除了對韓國出口光刻膠的限制。
今后,日本企業(yè)可以向LG、三星、SK海力士等韓國企業(yè)提供最多三年的光刻膠出口合同,而不必每一筆出口都要獲得許可。
不過,氟聚酰亞胺、高純度孵化器依然在禁售之列,韓國方面也在想盡辦法,爭取盡早解除所有限制。
今天(24日),國總統(tǒng)文在寅、日本首相安倍晉三將會進行首腦會談。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后,一般都是需要及時的去除清洗,而一些高溫或者其他操作往往會導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
發(fā)表于 11-11 17:06
?689次閱讀
光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展,對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強,光刻膠
發(fā)表于 11-11 10:08
?651次閱讀
共讀好書關(guān)于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章:收藏!常用光刻膠型號資料大全,幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球,領(lǐng)取公眾號資料
發(fā)表于 11-01 11:08
?1146次閱讀
本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
發(fā)表于 10-31 15:59
?514次閱讀
在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘膠臺或者烤膠設(shè)備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8
發(fā)表于 08-27 15:54
?369次閱讀
存儲時間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲數(shù)月后會變暗,而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料,在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力,對紫外靈敏度沒有任何影響
發(fā)表于 07-11 16:07
?665次閱讀
根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝,我們可以采用適當?shù)姆椒▽σ扬@影的光刻膠結(jié)構(gòu)進行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián),稱為硬烘烤或者堅膜。或通過低劑量紫外線輻照
發(fā)表于 07-10 13:46
?1056次閱讀
評價一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高,所
發(fā)表于 07-10 13:43
?797次閱讀
后烘是指(post exposure bake-PEB)是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影,也就是說還未閉合,PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進行。前面的文章中我們在
發(fā)表于 07-09 16:08
?1603次閱讀
圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠,它既可以當正膠使用又可以作為負膠使用。相比而言,負膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負
發(fā)表于 07-09 16:06
?756次閱讀
我們在使用光刻膠的時候往往關(guān)注的重點是光刻膠的性能,但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題,其實這個問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且,在
發(fā)表于 07-08 14:57
?1207次閱讀
光刻膠按照種類可以分為正性的、負性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除,負膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
發(fā)表于 04-24 11:37
?3093次閱讀
與正光刻膠相比,電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠
發(fā)表于 03-20 11:36
?2719次閱讀
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
發(fā)表于 03-04 17:19
?4891次閱讀
光刻膠不能太厚或太薄,需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景,較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
發(fā)表于 03-04 10:49
?762次閱讀
評論