步驟1：創(chuàng)建電子束

在“電子槍”中創(chuàng)建電子束。線(xiàn)絲在真空中和高電壓下強(qiáng)烈加熱。被熱量和電壓釋放的電子沿著管子加速并被吸引到屏幕上，在屏幕上突然停止并導(dǎo)致磷光體發(fā)光。

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SO，我們需要一個(gè)高電壓。

步驟2：掃描電子束

我們?nèi)绾螔呙桦娮邮?/p>

嗯，電子束是電流，電流通過(guò)磁場(chǎng)會(huì)承受與磁場(chǎng)和電流方向成直角的力。

因此，如果我們創(chuàng)建與磁場(chǎng)成直角的磁場(chǎng)，則會(huì)使光束彎曲并進(jìn)行掃描。

》如果電流流過(guò)線(xiàn)圈，則會(huì)產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)，如果電流線(xiàn)性增加，則該場(chǎng)隨之而來(lái)；如果該電場(chǎng)跟隨，則電子束中的彎曲也將線(xiàn)性地跟隨。

。..。我們需要線(xiàn)性逐漸增加電流

Oh，并且在掃描結(jié)束時(shí)，如果走線(xiàn)很快飛回非常好，那么快就看不到它發(fā)生了。 那是“反激式”

維基百科：光柵掃描

步驟3：如何？為主計(jì)算機(jī)充電

好吧，我們可以使用兩個(gè)完全獨(dú)立的電路來(lái)完成我們需要的兩件事，但是回到電視的曙光，一位名副其實(shí)的英才工程師叫艾倫（Alan） D. Blumlein在EMI的電子電視中工作時(shí)發(fā)明了一種可以完成這項(xiàng)工作的電路。它是反激電路。

這里是拓?fù)洌?/p>

反激TRANSFORMER有點(diǎn)用詞不當(dāng)。在經(jīng)典的變壓器中，初級(jí)電流的變化會(huì)引起次級(jí)電流的變化。在反激式中，它們具體不《《》為什么不？

看次級(jí)中的二極管？電流只能在次級(jí)線(xiàn)圈中流動(dòng)。。..當(dāng)初級(jí)線(xiàn)圈中無(wú)電流時(shí)。..。. EH？

所以，讓我們啟動(dòng)電路，并接通初級(jí)線(xiàn)圈下的晶體管-這里是開(kāi)關(guān)S ，會(huì)發(fā)生什么？

電流將開(kāi)始在原邊（Is）中流動(dòng)。由于次級(jí)線(xiàn)圈有一個(gè)串聯(lián)的二極管，因此次級(jí)線(xiàn)圈中沒(méi)有電流流過(guò)，而電流線(xiàn)性地傾斜。。..放置線(xiàn)圈使電子束與線(xiàn)圈串聯(lián)偏轉(zhuǎn)。初級(jí)，并且優(yōu)美的線(xiàn)性加速電流（請(qǐng)參閱第7步）將使我們的光束從左向右平滑掃描。得分+1-我們具有線(xiàn)性加速電流。哦，磁場(chǎng)中的存儲(chǔ)能量= 1/2 x L x I ^ 2請(qǐng)記住該位。

步驟4：不為主數(shù)據(jù)庫(kù)充電。..

現(xiàn)在關(guān)閉電流。發(fā)生什么了？

哪里去了能源！

第5步：魔術(shù)！

現(xiàn)在，核心的磁場(chǎng)中存儲(chǔ)著能量。它必須進(jìn)入某個(gè)位置，并且不能進(jìn)入初級(jí)，因?yàn)槲覀兺ㄟ^(guò)打開(kāi)S來(lái)將其關(guān)閉。

一個(gè)很棒的技巧是，崩潰的場(chǎng)現(xiàn)在將在次級(jí)中感應(yīng)出電壓-通過(guò)匝數(shù)比-通常很高，并且由于以下事實(shí)的輔助：因?yàn)槲覀兪菑拇艌?chǎng)中獲取能量，所以能量會(huì)很快崩潰。..。..。

。..。.所以初級(jí)電流中的電流很快，電子束突然向左晃動(dòng)。。..。

得分+2

步驟6：ZAPPED！

迅速塌陷的磁場(chǎng)在次級(jí)線(xiàn)圈的高匝中感應(yīng)出電流。..。.次級(jí)線(xiàn)圈上的高壓泵C用于驅(qū)動(dòng)電子槍和電子管……

第7步：陷阱。飽和。

在Instructables上有許多反激電路，或者被問(wèn)到的問(wèn)題是“為什么我的開(kāi)關(guān)晶體管會(huì)熔化”？您需要知道反激式變壓器在線(xiàn)路頻率下工作-光束掃描速度有多快？

通常，在1024 x 768顯示器中，掃描速度約為?64kHz。

所以，為什么不慢一些？

SATURATION就像電路一樣，我們說(shuō)電壓產(chǎn)生電流：I = V/R，有磁路，我們說(shuō)B = uxH。 B稱(chēng)為磁通密度（FLUX DENSITY），其單位是特斯拉（T）或更可能是mT或uT。H是場(chǎng)強(qiáng)，它與電流的關(guān)系為N（導(dǎo)線(xiàn)匝數(shù)）x I（電流）

不像電路，材料可以承受的最大H值仍然可以給您提供更多的B。這稱(chēng)為“飽和磁通密度”。電流的斜率由兩個(gè)因素決定：驅(qū)動(dòng)器電感由下式給出：L = A l xn 2

B支持該器件的電感。只要B可以增加，我的成長(zhǎng)就會(huì)受到L.V = L di/dt的限制。 -或線(xiàn)圈上的ACROSS電壓受L限制，線(xiàn)圈中電流的變化率

我們也可以說(shuō)V = nd phi/dt-或線(xiàn)圈中FLUX的變化率與兩端的電壓，但通量phi與B相關(guān)，由phi = B x鐵心面積決定。 B是KEY屬性。

非常小心地將反激操作調(diào)整為曲線(xiàn)的非飽和部分。

如果磁芯飽和會(huì)發(fā)生什么？

您沒(méi)有任何感應(yīng)！

然后會(huì)發(fā)生什么？

什么限制了當(dāng)前的？？？

沒(méi)有限制電流，除了開(kāi)關(guān)和線(xiàn)圈的直流電阻！

因此，對(duì)鐵芯施加太長(zhǎng)時(shí)間的電壓，磁通會(huì)升高PAST飽和。..。..。然后告別您的開(kāi)關(guān)晶體管。

第8步：陷阱。那個(gè)二極管！！

輸出上的反向偏置二極管很重要。它可以使電路正常工作，并且必須連接好電路，以便在充電階段不會(huì)將能量ISN泵入次級(jí)-忽略它，您將擁有一個(gè)普通的變壓器。
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