加利福尼亞州圣塔克拉拉 - ***聯(lián)合微電子公司今天宣布已經(jīng)生產(chǎn)出功能齊全的產(chǎn)品2兆位SRAM器件采用0.13微米邏輯工藝技術(shù)，具有銅互連功能。

在聯(lián)華電子硅谷年度技術(shù)論壇期間，芯片代工廠稱其在貼出后于5月2日驗(yàn)證了SRAM芯片的產(chǎn)量。今年第一季度的設(shè)計(jì)。該公司還表示0.13微米工藝實(shí)際上在晶體管和所有布線層上的銅互連上都有0.10微米的柵極長度。

“這個里程碑將UMC放在地圖上作為引入先進(jìn)技術(shù)的領(lǐng)跑者邏輯生產(chǎn)技術(shù)，“***新竹純粹鑄造公司的首席技術(shù)官Fu Tai Liou宣稱。 “在大多數(shù)其他半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的路線圖之前，我們生產(chǎn)的功能齊全的SRAM芯片具有天然良好的裸片產(chǎn)量，差不多整整一年?！?/p>

因此，聯(lián)華電子聲稱它在比賽中處于領(lǐng)先地位在鑄造公司中提供所有銅互連技術(shù)和0.10微米柵極長度的技術(shù)。然而，聯(lián)華電子表示尚未將0.13微米工藝技術(shù)用于試生產(chǎn)。該公司表示，這將在今年年底之前發(fā)生。

但根據(jù)聯(lián)華電子的說法，新的邏輯工藝已經(jīng)生產(chǎn)出世界上最小的由六個晶體管制成的SRAM存儲單元。該公司表示，存儲器單元為2.28微米 2 。