加利福尼亞州IRVINE。, 10月。 8,2015 /PRNewswire/- 東芝美國電子元件公司(TAEC)*,一家致力于與科技公司合作創造突破性設計的領導者,今天宣布推出兩款新的緊湊型MOSFET - SSM3K35CTC和SSM3J35CTC。 SSM3K35CTC和SSM3J35CTC采用新開發的緊湊型封裝(CST3C),適用于控制移動設備(如智能手機和可穿戴設備)中的電源或數據信號。
在整體占地面積方面,東芝的CST3C封裝超出了行業標準。事實上,CST3C封裝尺寸僅為行業標準SOT-723封裝的三分之一。這使得東芝的新型MOSFET適用于高密度安裝,與使用標準SOT-723封裝的產品相比,它們能夠實現更低的導通電阻。
Polarity | 零件編號 | 包裹(尺寸) | 絕對最大額定值 | R DS(ON) t YP。 (Ω) | |||||
V DSS (V) |
我 D (A) |
@ | V GS | = 1.2 V |
@ | V GS | = 1.5 V |
@ | V GS | =1.8 V |
@ | V GS | = 2.5 V |
@ | V GS | = 4.5 V |
|||
N-ch | SSM3K35MFV |
SOT-723 (1.2×1.2 mm) |
20 | 0.18 | 5 | 3 | - | 2 | 1.5(@ 4V) |
SSM3K35CT |
SOT -883 (1.0×0.6 mm) |
||||||||
SSM3K35CTC * 1 |
CST3C (0.8×0.6 mm) |
20 | 0.25 | 2.4 | 1.7 | 1.5 | 1.1 | 0.75 | |
P-ch | SSM3J35MFV |
SOT-723 (1.2×1.2 mm) |
-20 | -0.1 | 11 | 8.2 | - | 5.6 | 4.3(@ 4V) |
SSM3J35CT |
SOT-883 (1.0×0.6 mm) |
||||||||
SSM3J35CTC * 1 |
C ST3C (0.8×0.6 mm) |
-20 | -0.25 | 3.2 | 2.3 | 2.0 | 1.5 | 1.1 |
* 1:新產品
SSM3K35CTC和SSM3J35CTC包括:
新型緊湊型封裝CST3C(0.8×0.6 mm)
可控制,柵極電壓為1.2 V
低漏極 - 源極導通電阻:
SSM3K35CTC:R DS(ON) =2.4Ω(典型值)@V GS = 1.2 V
SSM3J35CTC:R DS(ON) =3.2Ω(典型值)@V GS = -1.2 V
價格和供貨情況
東芝的新型緊湊型MOSFET現已上市。
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