當前第三代半導體產業的應用市場呈現高速增長的態勢，國際競爭也十分激烈，美國、歐洲、日本等發達國家都在積極進行戰略部署，通過建立創新中心、聯合研發等方式，將產學研及政府部門聯合起來協同組織和投入，加快第三代半導體的技術進步，以應用端的需求促進技術研發，資金更多投向產品級開發和終端應用，從而全面占領全球第三代半導體市場。

中國在第三代半導體市場需求和產業化水平方面處于領跑狀態。在光電子材料和器件領域與國際先進水平相比處于并跑狀態，目前 LED 照明產業已在我國獲得長足發展，并成為我國第三代半導體產業的首個突破口。但在電力電子半導體材料和器件、射頻材料和器件方面與國際先進水平相比，尚處于跟跑狀態。隨著全球半導體產業逐步向亞洲轉移，我國發展半導體產業的決心和支持力度空前加大，5G、新能源汽車、AI 等新興產業帶來的廣闊市場空間，我國發展第三代半導體產業正當時。

北京聚集了中科院半導體所、微電子所、物理所等有關院所，北京大學、清華大學等相關高校，擁有國內第三代半導體領域三分之一以上的科技資源，研發實力居于國內領先，研發水平整體與國外發達國家同步，大功率 LED 外延片、超低熱阻 LED 芯片等器件的多項技術指標處于國際一流水平。

同時，北京聚集了世紀金光公司、天科合達公司、泰科天潤公司等相關生產制造企業，中國電力科學研究院、中興北京研究所、精進電動科技公司等下游用戶單位，在國內率先實現了 6 英寸碳化硅晶圓的小批量制備和二極管等碳化硅相關器件的規模化生產，初步形成碳化硅材料及器件的研發、生產，應用等各環節相對完整的產業鏈，為未來大力發展第三代半導體技術和產業、建設國家第三代半導體重大創新基地建設奠定了較好的基礎。

按產業上下游劃分，北京的第三代半導體產業可以劃分為材料、芯片工藝、裝備制造、應用等幾個方面。第三代半導體材料市場前景廣闊，是北京市高精尖產業的重要內容，更是順義確定發展的三大創新型產業集群之一。目前北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地在中關村順義園加速建設，一些國內的優勢企業和大批創新型公司紛紛落戶基地，在北京初步形成了第三代半導體技術和產業集聚區。在北京市科委、順義區政府和聯盟的共同推動下，從頂層規劃與設計、平臺建設、新型研發機構建設、產業生態環境規劃與建設、產業聚集等多個層面進行創新性探索，各項工作正在全面展開。

第三代半導體作為戰略性先進電子材料，其技術難度較大，國外對我國實行技術封鎖。針對北京市第三代半導體產業的發展，我們建議如下。

（1）認清差距，優先發展碳化硅產業。材料環節，盡快突破大尺寸、高性能單晶襯底產業化技術；芯片設計與工藝環節，盡快突破碳化硅MOSFET、氮化鎵 HEMT 等芯片設計和工藝實現技術，解決可靠性關鍵技術，解決相關的驅動與應用系統仿真等關鍵技術；封裝與測試環節，盡快解決高溫、高壓、高頻、高功率密度等條件下的封裝工藝、技術、材料等關鍵問題，解決高壓、大電流、高頻、高溫等條件下的芯片和模塊測試技術問題；工藝裝備方面，要充分發揮材料、工藝和裝備一體化的優勢，結合產業發展的需要，開發先進的包括刻蝕設備、高溫離子注入設備、高溫氧化設備、高溫退火設備等國產化工藝裝備，以滿足第三代半導體未來高速發展對裝備的需求。縮小技術差距要靠企業和研究機構持續投入研發，完成前期技術積累工作。鑒于北京已具備較為完整的碳化硅產業鏈，資源優勢明顯，加上目前氮化鎵射頻工藝基本都是基于碳化硅襯底上做氮化鎵外延，因此建議北京優先發展碳化硅產業。在目前國內企業普遍缺乏資金和技術實力的情況下，建議政府設立專項資金，集中有限資金重點支持，以天科合達（碳化硅材料）、泰科天潤（碳化硅器件）、燕東微電子（碳化硅器件）、北方華創（碳化硅設備）為重點扶持單位。

（2）發揮政府主導作用，形成合力。第三代半導體產業發展是一個大規模的系統工程，建議通過政府作用，發掘和聚合北京市內有限的科技力量，建立第三代半導體產業技術創新戰略聯盟，包括材料、芯片、封測、應用、裝備各環節，形成上中下游緊密聯動、聯合開發、快速迭代驗證。實現從企業技術引進、政府主導關鍵技術合作開發，到后續企業自主開發過程。

（3）以應用促發展，開展典型試點示范。產業方面，以應用促發展，開展典型試點示范。以應用為導向，建立“技術供給與市場拉動一體化”的試點示范組織實施機制，制定包括技術集成、產品應用、商業模式、工程監管、標準檢測等在內的系統化、集成化實施方案，重點開展面向電動汽車（充電、驅動、無人駕駛）、新能源與能源互聯網（光伏逆變器、風電變流器、智能微網中的各類固態變壓器、固態斷路器和開關、儲能控制設備等微網控制設備）、5G 通信（基站和終端應用）以及智能照明等重點領域的試點示范。以試點示范，加快技術成果轉化和產業化，促進國產化應用。試點布局方面建議以新能源汽車（北汽新能源）、充電樁（華商三優）為重點建設。

（4）鼓勵民營、外資等各種經濟形式的企業投資。當前，半導體產業的民間投資出現良好勢頭，但更多關注芯片設計環節，應鼓勵各類經濟實體投資半導體制造業，鼓勵發展第三代半導體專用材料及器件生產線，特別是有半導體行業經驗的大型企業集團，使之有能力進入這些領域，并依靠自己的經濟實力生存下來并發展壯大。應用方面建議從對可靠性要求相對較低的消費級電子產業、對第三代半導體器件有剛性需求的產業（如光伏逆變器、5G 通信）、受政策導向影響較大的產業（如充電樁）等逐步切入市場。

（5）最大限度利用海外成熟技術和人才。通過在海外設研發中心、海外并購或引進海外人才的方式，短時間內快速提升技術整合和自主開發能力。美國和日本技術方面較先進，但封鎖較嚴，尤其對中國，并購企業的方式基本行不通，建議通過人才和技術引進，或者在當地設研發中心的方式獲得資源。歐洲、俄羅斯等國技術也相對先進，可以考慮尋找中小規模材料或器件企業整體并購或團隊整體引進的方式獲得合作。

（6）鼓勵重點園區布局和建設。目前順義區已經啟動了第三代半導體創新型產業集聚區前期研究和規劃建設，專門制定了第三代半導體產業發展規劃，預留了 1 000 畝的發展空間，制定了專項政策，包括成立專門機構加強組織領導、整合土地資源豐富承載空間、統籌財政資金加大支持力度、吸引社會資本深化產融合作等。與此同時，北京經濟技術開發區擁有天科合達、世紀金光、北方華創、燕東微電子等代表企業，建議開發區政府加大政策扶持力度，提供資金幫助，推進具有自主知識產權的 4 英寸和 6 英寸碳化硅產品的規模化發展，持續提升良品率和市場導入率；加快解決第三代半導體的裝備問題，實現材料、工藝、裝備一體化。

南有亦莊，北有順義，建議以“順義第三代半導體全產業鏈研發創新公共平臺”為核心，以燕東微電子、泰科天潤、世紀金光為牽頭項目，加快招引優質項目，打造集研發、生產、科技服務和孵化于一體的第三代半導體產業化基地。最終實現全產業鏈協同創新，共同協作，包括材料、設備和關鍵零部件的技術突破，并帶動后端應用市場的拓展。