隨著科技的發(fā)展，DIY行業(yè)又一次迎來了春天，各類產(chǎn)品層出不窮，而美光成為內(nèi)存的老牌廠商，為無數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備，近日，內(nèi)部有消息稱，美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底量產(chǎn)。

作為DDR4內(nèi)存的繼任者，DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。近日，美光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細(xì)規(guī)格。

從美光公布的文件來看，DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達(dá)單條32GB，I／O帶寬能達(dá)到3．2－6．4Gbps，同時電壓1．1V，內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。

DDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量，而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5預(yù)計將帶來4266至6400 MT ／ s的I ／ O速度，電源電壓降至1．1 V，允許的波動范圍為3％（即±0．033V）。每個模塊使用兩個獨(dú)立的32／40位通道（不使用／或使用ECC）。此外，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率（因為通道將具有其自己的7位地址（添加）／命令（Cmd）總線），更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。

事實上，Cadence甚至表示，與DDR4相比，改進(jìn)的DDR5功能將使實際帶寬提高36％，即使在3200 MT ／ s（此聲明必須進(jìn)行測試）和4800 MT ／ s速度開始，與DDR4－3200相比，實際帶寬將高出87％。與此同時，DDR5最重要的特性之一將是超過16 Gb的單片芯片密度。

此外，美光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內(nèi)存樣品，并將在2019年實現(xiàn)正式量產(chǎn)。

在日前美光公布的2018財年第四季度和全年財報中可以看出截止美光第四財季收入84．40億美元（均按GAAP），同比增長37．5％，毛利率61．0％，同比提高10．3個百分點(diǎn)，凈利潤43．25億美元，同比增長82．6％。

整個2018財年美光的財務(wù)報表更是異常搶眼：收入303．91億美元，同比增長49．5％，毛利率58．9％，同比提高17．4個百分點(diǎn)，凈利潤141．35億美元，同比大漲178％！

DRAM內(nèi)存貢獻(xiàn)了美光總收入的超過70％，是絕對的主力，而且同比增長了47％，毛利率更是高達(dá)恐怖的71％，而且均價還在穩(wěn)定或微漲。NAND閃存收入占比也超過25％，增長21％，毛利率也有48％。

美光CEO Sanjay Mehrotra更是表示，在創(chuàng)紀(jì)錄業(yè)績的支撐下，美光已經(jīng)成為僅次于Intel的美國第二大半導(dǎo)體企業(yè)。

作為半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱的存儲器產(chǎn)業(yè)，競爭的重點(diǎn)集中在制造工藝和產(chǎn)能，從而為有效降低成本，最終贏得市場提供保證，生產(chǎn)制造能力是存儲器廠商的核心競爭力。

對于美光科技這家內(nèi)存和儲存巨擘來說，現(xiàn)在正值充滿挑戰(zhàn)的時期，因為他們已在儲存領(lǐng)域落后于三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和東芝（Toshiba）等競爭對手。其混合內(nèi)存立方體（Hybrid Memory Cube；HMC）和Automata處理器等突破性產(chǎn)品，未能取得明顯的成長動能，再加上與英特爾（Intel）共同設(shè)計的3DXPoint內(nèi)存延遲，而使得美光的收益被推遲至2020年。

美光科技的高層認(rèn)為，深度學(xué)習(xí)的崛起將有助于推動對于內(nèi)存和儲存的需求。這筆1億美元的創(chuàng)投基金將有助于美光科技利用AI趨勢擴(kuò)展該公司涉及的DRAM、NAND和NOR Flash內(nèi)存等應(yīng)用領(lǐng)域，其目標(biāo)在于藉由投資于AI的硬件、軟件和服務(wù)，從而推動該公司的成長，特別是在該公司看好的自動駕駛、AR／VR以及工廠自動化等技術(shù)領(lǐng)域。