半導體行業中，存儲芯片一直都是產業的重中之重，2017年存儲芯片銷售額占據了半導體市場銷售額的三分之一。而這兩年存儲芯片的價格猛漲，使得相關企業獲益良多，存儲巨頭三星更是憑借這一勢頭，成功取代了英特爾成為了全球最大的半導體公司！

在需求和價格雙雙暴漲的存儲市場當中，韓日美等存儲巨頭牢牢掌控了市場。在DRAM市場上，三星、SK海力士、美光三家企業長期占有了95%的市場份額，而在NAND市場上，三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士這五家公司則占據了93%以上的市場份額。

雖然絕大部分市場被這幾家巨頭瓜分，市場漲價的利好也會照顧到夾縫中求生存的企業。這幾年在國家政策的大力支持和資本的持續投入下，紫光、長江存儲、兆易創新等公司也正在快速崛起！

其中兆易創新表現得十分搶眼，自上市后，兆易創新股票一路飆升，股價漲幅一度超過十倍，成為資本市場熱捧的對象，這其中除了存儲市場表現強勁的因素之外，和兆易創新多方拓寬戰略布局有密不可分的關系。

NOR Flash全球第三

近日，兆易創新發布了2017年年報，交出了一份較為不錯的成績單。根據年報數據顯示，兆易創新在過去的2017年營收20.30億元，同比增長36.3%；凈利潤達到3.97億元，同比增長125.26%。目前主要營收產品仍然是閃存芯片產品及微控制器產品。存芯片產品主要為NOR Flash和NAND Flash兩類。

這些年，兆易創新在閃存芯片的道路上取得的突破有目共睹！兆易創新成立于2005年，在創始人朱一明的帶領下，兆易2006年就量產了第一顆基于SRAM技術的Terayon系列產品，到后面的SPI接口Flash存儲器以及現在的NOR Flash和NAND Flash。無論是在技術還是市場上，都得到了業界的肯定。

在2016年時，兆易創新就憑借著NOR Flash全球7%的市場占有率排在全球第五，排在前面的分別是賽普拉斯、旺宏、美光和華邦電子。隨著兆易創新自身技術的提高和直接競爭對手賽普拉斯、美光科技退出中低端容量NOR Flash市場，兆易創新輕松殺進NOR Flash前三的位置。

但市場競爭的壓力并沒有因此減少很多，相對于DRAM和NAND，NOR Flash在存儲領域算是門檻比較低的，賽普拉斯、美光的退出讓入行早、規模大的***旺宏、華邦電子的市場占有率大幅提升，當然兆易創新也迎來了前所未有的機會！

存儲全產業鏈布局

在NOR Flash30億美元的市場規模中沖進市場份額前三，就讓兆易創新的利潤暴增，整個存儲芯片產業的市場體量可見一斑。這也不難解釋為什么美光、賽普拉斯愿意放棄NOR Flash的市場，畢竟DRAM、NAND Flash的市場可以達到千億美元級別！每一家廠商都想在這里面搶占更多的市場份額！

兆易創新年報稱，在NOR Flash上，高容量的256Mb NOR Flash產品已經實現量產，低容量開發了更具成本優勢的新產品系列，工藝方面加大先進工藝節點?55nm和45nm NOR Flash?技術產品研發。

在NAND Flash上，兆易創新自己研發的38nm產品在2017年第三季度就已實現量產，而且可靠性領先于市面上同類產品，更先進的24nm工藝研發進展順利。

在DRAM這一存儲重點領域，兆易創新也已開始行動。在2017年10月26日，兆易創新和合肥市產業投資控股（集團）有限公司簽署了存儲器研發相關合作協議。協議規定，據協議約定，兆易創新與合肥產投依據1:4負責籌集資金，合作開展工藝制程19nm存儲器的?12?英寸晶圓存儲器（含?DRAM?等）研發項目，項目預算約為180億元人民幣。

兆易創新項目投產19nm成功后將成為全球第四家能夠掌握20nm內的DRAM廠商，按照協議約定，目標是在2018年12月31日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于10%，以目前產能規劃及價格，項目達產后實現50億美金左右的銷售額。

毫無疑問，這對國產DRAM產業是一個重大的推進，正式投產后兆易創新將成為全球第四大DRAM廠商。至此看來，兆易創新由點到面的全存儲芯片產品體系已經基本搭建完成，只要與合肥合作的項目成功，兆易創新將從國產存儲芯片領先企業變為世界領先企業。

小結

有不少人認為，2018年將是國內存儲產業的元年，長江存儲、合肥長鑫和福建晉華都在緊鑼密鼓建設存儲芯片工廠，最快2018年下半年就會開始投產，這將是中國國產存儲芯片取得重大突破的一年。

盡管取得了不小的進步，但目前國內的存儲芯片產業還只是在起步階段，就算能夠擁有自己的國產存儲芯片，技術上與國際存儲巨頭們的差距依舊很大，想要通過資本并購的方式來實現技術上質的飛躍已經被證明行不通。也許像兆易創新這樣，通過一個點的沉淀，再完成面的布局，腳踏實地的往前走，才是國內存儲芯片產業的發展方向所在。