隨著存儲行業快速的技術迭代，LPDDR4X、UFS2.1等產品紛紛面市，但由于標準型內存 DRAM、NAND Flash 等微縮工藝已逼近極限，素以半導體巨頭皆正大舉發展次世代內存。

英特爾研發“3D cross point”技術，擬推相變化內存（PRAM）。三星電子不甘示弱，發布磁阻式隨機存取存儲器（MRAM，magnetoresistant random access memory），號稱讀寫速度比 NAND Flash 快上一千倍。

fudzilla、IBTImes、韓國經濟日報報導，市場估計在 5 月 24 日的一場晶圓廠商論壇上，三星將會發布該公司所研發的 MRAM 內存，此種次世代存儲器兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優點，被認為是一種通用型存儲器，能夠讓手機實現內存/閃存二合一。它無須電源也能儲存資料，而且處理速度極快，三星還加入了自旋轉矩技術（STT），可以加大降低功耗。

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三星宣稱，MRAM 是非揮發性存儲器，采用自旋傳輸科技（Spin-torque transfer）讀寫數據，速度比 NAND 快了一千倍。不僅如此，MRAM 更省電，使用時（acTIve）耗電量比傳統存儲器少，停用時（inacTIve）更無需用電。

目前次世代存儲器包括 MRAM、PRAM、ReRAM，其中 MRAM 速度最快，但是量產難度較高。現在三星只能少量生產，但是預期能盡速克服生產障礙。

全球最大半導體代工廠臺積電亦曾在 4 月 13 日對外說明，臺積電絕對不會踏入標準型內存領域，因為臺積電目前已具備“量產”MRAM 及電阻式動態隨機存取內存 （RRAM） 等新型內存的技術。

三星同時宣布，歐洲大廠恩智浦半導體（NXP Semiconductors）的物聯網半導體將采用 MRAM，雙方簽訂晶圓代工協定，將量產 28 納米的全耗盡型絕緣層上硅（FD-SOI）。

IBTImes 猜測，倘若三星 MRAM 量產進展順利，或許今年下半問世的 Galaxy Note 8 就會內建 MRAM，以便做出市場差異化。MRAM 用于智能手機可加快處理速度，并更為省電。

外媒phonearena持有不同意見，他們認為三星目前無法生產出超過幾兆字節MRAM，因此MRAM目前只適用于作為處理器的高速緩存。

不過，我們依然看好MRAM的應用前景。據知名爆料人士@i冰宇宙消息，未來MRAM將具備更大容量，作為閃存和內存二合一的存儲體，上市節點可能在2020年以后。

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如果這一愿景成真，那么我們無需區分RAM和ROM，逆天的512G/1TB內存不再是夢想。

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