（三）SK Hynix：悶聲發(fā)財(cái)?shù)?D NAND

　　在這幾家NAND廠商中，SK Hynix的3D NAND最為低調(diào)，相關(guān)報(bào)道很少，以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND閃存資料，不過(guò)從官網(wǎng)公布的信息來(lái)看，SK Hynix的3D NAND閃存已經(jīng)發(fā)展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的則是第三代3D NAND閃存，只不過(guò)前面三代產(chǎn)品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移動(dòng)市場(chǎng)，今年推出的第四代3D NAND閃存則會(huì)針對(duì)UFS 2.1、SATA及PCI-E產(chǎn)品市場(chǎng)。

　　SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數(shù)從36層起步，不過(guò)真正量產(chǎn)的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。

　　（四）Intel/美光：容量最高的3D NAND閃存

　　這幾家廠商中，Intel、美光的3D NAND閃存來(lái)的最晚，去年才算正式亮相，不過(guò)好菜不怕晚，雖然進(jìn)度上落后了點(diǎn)，但I(xiàn)MFT的3D NAND有很多獨(dú)特之處，首先是他們的3D NAND第一款采用FG浮柵極技術(shù)量產(chǎn)的，所以在成本及容量上更有優(yōu)勢(shì)，其MLC類型閃存核心容量就有256Gb，而TLC閃存則可以做到384Gb，是目前TLC類型3D NAND閃存中容量最大的。

　　384Gb容量還不終點(diǎn)，今年的ISSCC大會(huì)上美光還公布了容量高達(dá)768Gb的3D NAND閃存論文，雖然短時(shí)間可能不會(huì)量產(chǎn)，但已經(jīng)給人帶來(lái)了希望。

　　國(guó)產(chǎn)廠商布局

　　（一）、武漢新芯

　　1. 產(chǎn)能狀況

　　武漢新芯為專業(yè)Foundry廠商，主要生產(chǎn)NOR Flash和BSI CIS等技術(shù)，12寸晶圓月產(chǎn)能2.2萬(wàn)片；2014年NOR Flash和BSI產(chǎn)能規(guī)劃各為每月1萬(wàn)片和1.2萬(wàn)片，目前月產(chǎn)能配置仍維持在2.2萬(wàn)片，在產(chǎn)品上更多Low Power Logic和NAND Flash。

　　2. 人力與研發(fā)支援

　　武漢新芯在研發(fā)團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新力和執(zhí)行力，得益于長(zhǎng)期與中科院微電子研究所展開緊密的合作，在3D NAND項(xiàng)目，雙方採(cǎi)用創(chuàng)新合作模式，即將雙方專家在研發(fā)專案和人力資源的管理上，透過(guò)企業(yè)平臺(tái)合為一體，此模式將中科院微電子所深厚的理論背景，與武漢新芯豐富的制造和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)有機(jī)會(huì)相結(jié)合。

　　3. 國(guó)際合作與進(jìn)展

　　在2014年中，武漢新芯成功將NAND技術(shù)由55nm推向32nm（與Spansion合作），至2014年底，武漢新芯與記憶體領(lǐng)域的世界級(jí)研發(fā)團(tuán)隊(duì)Spansion（已併入Cypress）組建聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)，開始3D NAND專案的研發(fā)工作。2015年5月11日武漢新芯宣布其3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性進(jìn)展，第一個(gè)存儲(chǔ)測(cè)試芯片通過(guò)記憶體功能的電學(xué)驗(yàn)證，雖目前并未有相關(guān)細(xì)節(jié)流出，但此合作案目標(biāo)將是在2017年量產(chǎn)出規(guī)格為32層之堆疊4x nm的3D NAND。

　　（二）、中芯國(guó)際

　　中芯國(guó)際為全球第五大，也是中國(guó)第一大的晶圓制造廠商，主要是以邏輯IC的代工業(yè)務(wù)為主，雖在2013年退出武漢新芯的經(jīng)營(yíng)，但在Flash業(yè)務(wù)上仍未缺席。

　　2014年以前，中芯國(guó)際已開發(fā)出一系列從130nm到65nm特殊NOR Flash的記憶體生產(chǎn)平臺(tái)，2014年9月10日更是宣布38nm NAND Flash記憶體工藝制程已準(zhǔn)備就緒。

　　雖然由中芯國(guó)際公開的營(yíng)收資訊中可看出38nm NAND Flash自推出至今，未在營(yíng)收上嶄露頭角；然而中芯表示，此技術(shù)突破，說(shuō)明中芯在技術(shù)多元化方面取得重要進(jìn)展，也為后續(xù)開發(fā)更先進(jìn)2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發(fā)和量產(chǎn)奠定穩(wěn)固基礎(chǔ)，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專注，但近期中國(guó)極力想突破記憶體自制缺口，此技術(shù)讓中芯在未來(lái)可能進(jìn)一步強(qiáng)化在NAND Flash記憶體的制造能力。

　　（三）、紫光集團(tuán)：同方國(guó)芯定增

　　紫光集團(tuán)在此規(guī)劃項(xiàng)目上，不如武漢新芯或中芯國(guó)際有較完整的技術(shù)累積，所以主要是透過(guò)資本和供應(yīng)鏈協(xié)同方式進(jìn)行操作。

　　以中國(guó)內(nèi)部和資金的角度而言，有機(jī)會(huì)取得領(lǐng)先（此次投入計(jì)劃約在180億美元，相對(duì)中芯國(guó)際2015年Capex約在15億美元和2016年預(yù)計(jì)21億美元而言，是相當(dāng)龐大），是紫光主要優(yōu)勢(shì)，但風(fēng)險(xiǎn)在沒(méi)有技術(shù)支援下，如何讓技術(shù)、量產(chǎn)能力能與資金同時(shí)到位，順利轉(zhuǎn)量產(chǎn)。

　　相對(duì)國(guó)際一線大廠Samsung（2015年Capex約在135億美元和2016年預(yù)計(jì)115億美元），此2年180億美元假話，仍落后于Samsung 2年投入，如何確保紫光相關(guān)投入能達(dá)到與一線大廠投入相同的效果，將是投資要成功的最大困難點(diǎn)，在無(wú)既有營(yíng)運(yùn)支持下，當(dāng)生產(chǎn)能力無(wú)法順利到位，如何有資金維繫工廠月產(chǎn)能12萬(wàn)片的營(yíng)運(yùn)與研發(fā)將是問(wèn)題，紫光如何突破生產(chǎn)技術(shù)的取得和授權(quán)，將是整個(gè)投資最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。

　　（四）、外資晶圓制造企業(yè)在中國(guó)：Samsung與Intel

　　1. Samsung西安Flash工廠產(chǎn)能拉高至每月產(chǎn)出10萬(wàn)片

　　目前以Samsung在中國(guó)的投資最為領(lǐng)先，Samsung至2015年底投入西安廠的投資總金額已超過(guò)50億美元，產(chǎn)能建置來(lái)到每月8萬(wàn)片，Samsung于西安佈建最先進(jìn)的3D NAND Flash制程，預(yù)計(jì)2016年底將產(chǎn)能進(jìn)一步拉升至每月10萬(wàn)片。

　　2. Intel大連廠轉(zhuǎn)為3D NAND Flash廠

　　Intel則宣布投資55億美元將原先65nm生產(chǎn)線的大連廠，改建為月產(chǎn)能3萬(wàn)片的3D NAND Flash廠，預(yù)計(jì)2016年先投入15億美元，到2016第四季開始投片生產(chǎn)，月產(chǎn)能估計(jì)達(dá)1萬(wàn)片。

　　Samsung和Intel在中國(guó)NAND Flash的產(chǎn)能建置，預(yù)估至2016年第四季將達(dá)到每月11萬(wàn)片，約佔(zhàn)全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%，若將3D NAND有單片較高的bit產(chǎn)出納入考慮，加上中國(guó)廠商的進(jìn)展，則Made in China的NAND位元數(shù)在2017年全球佔(zhàn)比有機(jī)會(huì)達(dá)到10%。

　　總結(jié)

　　武漢新芯在2014年與Spansion合作，成功將NAND技術(shù)推向32nm，至2015年5月武漢新芯宣布其Spansion合作的3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性進(jìn)展，是中國(guó)在NAND Flash產(chǎn)業(yè)進(jìn)展最快的廠商。

　　中芯在2014年9月宣布38nm NAND Flash記憶體工藝已就緒，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專注，此技術(shù)仍為后續(xù)開發(fā)更先進(jìn)的2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發(fā)和量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

　　紫光集團(tuán)在Flash相關(guān)競(jìng)爭(zhēng)中，資金是主要優(yōu)勢(shì)，但在沒(méi)有既有營(yíng)運(yùn)的支持下，如何突破生產(chǎn)技術(shù)的取得和授權(quán)，會(huì)是整個(gè)投資最關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

　　國(guó)際投資方面，Samsung和Intel在中國(guó)NAND Flash的產(chǎn)能建置，預(yù)估至2016年第四季將達(dá)每月11萬(wàn)片，約占全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%。

　　NAND Flash產(chǎn)品特性、3D NAND需求、新興市場(chǎng)的成長(zhǎng)空間，以及國(guó)際半導(dǎo)體大廠在中國(guó)的投資，則為中國(guó)發(fā)展NAND Flash制造產(chǎn)業(yè)提供切入機(jī)會(huì)。