作者邵樂峰

新能源汽車、5G、可穿戴設備等領域的不斷發展，對芯片性能的需求越來越高，采用先進封裝技術的 Chiplet 成為了芯片微縮化進程的“續命良藥”。

在邊緣計算領域里，對 DRAM 帶寬的要求遠高于容量，此時采用 Chiplet 方式集成 3D DRAM 存儲方案，就可以同時提供高帶寬和低功耗。

今年2月，在正式加入 UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) 產業聯盟之后，華邦電子隨即宣布其創新產品 CUBE: 3D TSV DRAM 和 3DCaaS (3D CUBE as a Service) 一站式服務平臺，將成為公司向客戶提供優質定制化內存的首選解決方案。

芯片微縮化的“續命良藥”

CUBE 是 Customized/Compact Ultra Bandwidth Elements，即“半定制化緊湊型超高帶寬 DRAM” 的簡稱。華邦電子次世代內存產品營銷企劃經理曾一峻在向《電子工程專輯》說明 CUBE 核心價值時表示，新能源汽車、5G、可穿戴設備等領域的不斷發展，對芯片性能的需求越來越高，但如果采用諸如“直接在 5nm SoC 裸片上堆疊 7nm SRAM 裸片”的做法，會因為帶入太多 TSV 工藝架構而導致芯片成本暴漲。

于是，采用先進封裝技術的 Chiplet 成為了芯片微縮化進程的“續命良藥”。“這也是華邦解決方案的思路”，按照曾一峻的解釋，在邊緣計算領域，華邦將 SoC 裸片置上，DRAM 裸片置下，省去了 SoC 中的 TSV 工藝(圖中虛線部分所示)，從而大幅降低了SoC 裸片的尺寸與成本。與此同時，3D DRAM TSV 工藝又可以將 SoC 信號引至外部，使它們成為同一顆芯片，進一步縮減了封裝尺寸。

另一方面，考慮到現在的 AI 芯片都有著很高的算力需求，SoC 裸片置上也可以帶來更好的散熱效果。因此，華邦方面認為，按照這樣的方式進行 CUBE 3D DRAM 裸片堆疊可以帶來高帶寬、低功耗和優秀的散熱表現，這也是華邦 CUBE 解決方案主要面向低功耗、高帶寬、中低容量內存需求應用的主要原因。

眾所周知，DRAM 裸片中都會包含電容，華邦 CUBE 芯片也不例外。目前，先進制程 SoC 芯片的核心電壓約為 0.75V-1V，運行過程中電源產生的波動會影響功耗和信號穩定性。但 CUBE 芯片所采用的硅電容(Si-Cap) 卻可以有效降低電源波動帶來的影響。

再來關注一下華邦 DRAM 堆疊和中介層(Interposer) 架構的演進。如圖所示，由于中介層也是華邦提供，因此客戶可以得到一個包括 DRAM、中介層、硅電容在內的整體解決方案，這也是華邦加入 UCIe 后做出的貢獻之一。

另一個值得關注的優勢來自功耗的降低。由于 SoC 裸片和 DRAM 裸片堆疊的時候，相比于傳統的引線鍵合(Wire Bonding)，微鍵合(Micro Bonding)工藝可以將 1000 微米的線長縮短至 40 微米，僅有傳統長度的 2.5%，在未來的混合鍵合(Hybrid Bonding)封裝工藝下，線長甚至可以縮短至 1 微米。這意味著在芯片內部，信號所經過的傳輸距離更短，功耗自然也得到相應的降低。此外，當采用混合鍵合工藝時，兩顆堆疊的芯片其實可以被看作同一顆芯片，因此內部傳輸信號和 SIP 表現會更優秀。

與 CUBE 同時出現的還包括 3D CaaS 平臺，也就是 CUBE as a Service。這意味著對于客戶來說，華邦不僅僅提供 3D TSV DRAM KGD 內存芯片和針對多芯片設備優化的 2.5D/3D 后段工藝(采用CoW/WoW)，還可獲取由華邦的平臺合作伙伴提供的技術咨詢服務，是一套完整且全面的 CUBE 產品支持，并享受 Silicon-Cap、interposer 等技術的附加服務。

CUBE 應用架構

ChatGPT 的面世帶動了 AI 應用領域的再次火熱，而 CUBE 就可以應用到 AI-ISP 架構中。

上圖中的灰色部分代表 AI-ISP 中的神經網絡處理器(NPU)，如果 AI-ISP 要實現大算力，就需要很大的帶寬，或者是 SPRAM 加持。但目前來看，在 AI-ISP 上使用 SPRAM 成本高昂，轉而使用LPDDR4 則需要 4-8 顆，如果用到傳輸速度為 4266Mhz 的高速 LPDDR4，還需要依賴 7nm 或 12nm 的先進制程工藝。

相比之下，CUBE 解決方案就可以允許客戶使用成熟制程(28nm/22nm)獲得類似的高速帶寬。簡單而言，CUBE 芯片可以通過多個 I/O (256 或者 512個)結合 28nm SoC 提供 500MHz 運行頻率，以及最高 256GB/s 帶寬。據透露，華邦在未來可能會和客戶共同探討 64GB/s 帶寬的合作可能性，如果成功，I/O 數量和裸片尺寸都將進一步縮小。

在下面的應用場景中，CPU 的高速運算需求對制程的要求從 16nm、7nm、5nm 到 3nm，越來越高。但不難發現，盡管制程工藝越來越先進，圖中紅色部分所代表的 SRAM 占比并沒有同比例縮小，因此當需要實現 AI 運算或者高速運算的情況下，就需要將 L3 緩存 SRAM 容量加大，即便采用堆疊方式達到幾百 MB，也會導致高昂的成本。

華邦的做法是將 L3 緩存縮小，轉而使用 L4 緩存的 CUBE 解決方案。這并不意味著 CUBE 解決方案的時鐘傳播延遲(Latency)等同于 SRAM，而是可以作為 L4 緩存。原因在于 CUBE 可以進行定制化的設計，使得時鐘傳播延遲比一般的 DRAM 還要短。同時，考慮到AI模型在某些情況下需要外置一定容量的內存，例如在某些邊緣計算場景下會需要 8-12GB LPDDR4/LPDDR5，因此在需要的情況下，也可以外掛高容量工作內存(Working Memory)。

“在邊緣計算領域里，對 DRAM 帶寬的要求遠高于容量，此時采用 Chiplet 方式集成類似 CUBE 的存儲方案，就可以同時提供高帶寬和低功耗。”但曾一峻也同時強調稱，畢竟 Chiplet 芯片需要兼容多個接口協議才能避免造成信號偏差，因此，如何進一步縮小 3D DRAM 的裸片尺寸，如何更好的實現不同芯粒間的互聯互通，是繞不開的挑戰。

華邦 DRAM 技術路線圖

相對于市場上三大頭部內存廠商而言，華邦主要專注于利基型內存，產品容量一般最大為 8GB，其特點是不需要非常先進的制程，并以 KGD 為主，便于與 SoC 進行合封。

在 KGD 1.0 (SiP) 中，DRAM Die 厚度約為 100-150 微米，裸片至裸片 (Die to Die) 的 I/O 路徑為 1000 微米，目前這種性能的 KGD 信號完整性/電源完整性 (SI/PI) 是主流的，也是夠用的。華邦方面曾經對 LPDDR4 的電源效率進行過估算，其小于 35pJ/Byte，帶寬方面 X32 LPDDR4x 每 I/O 為17GB/s。

當進化到 KGD 2.0 (3D堆疊) 后，得益于 TSV 的深寬比能力，DRAM Die 厚度可以達到 50 微米的深度，未來，通過 Hybrid Bonding 工藝還可以實現 1 微米的距離。同時，信號完整性/電源完整性 (SI/PI) 性能更好，功耗更低，可以達到甚至低于 LPDDR4 的四分之一 (為8pJ/Byte)，而帶寬可以實現 16-256GB/s。

目前，華邦擁有兩座 12 寸晶圓廠，一座是位于臺中的 Fab 6 工廠，另一座是在高雄新建的第二座工廠，其產能為 1 萬片/月左右，后續將逐漸提升至 1.4 萬片 - 2 萬片/月。

從制程工藝角度來看，高雄工廠投產后，華邦會將一些先進制程的 DRAM 產能轉移至高雄廠，臺中廠的中小容量 DRAM 制程會維持在 65nm、46nm、38nm 和 25nm，且無意再向更小制程演進，而是專注于成熟制程產品。高雄廠已經量產的包括 25nm 2GB 和 4GB 兩種產品，20nm 產品預計在今年年中進入量產階段，并繼續向 19nm 制程演進。

華邦電子大陸區產品營銷處處長朱迪再次強調了華邦對于 DDR3 的生產和支持。盡管他認為像三星這樣的大廠逐漸舍棄 DDR3 和中小容量 DDR4 是一個大概率的事件，但從實際使用情況來看， 4Gb DDR3 產品將有望繼續被廣泛采用至少到 2027-2028 年，尤其在工業和汽車領域需要長期支持。而且，相同容量相同速度下，DDR3 較 DDR4 更具成本效益(相同制程下，與 DDR3 相比，Die 尺寸 DDR4 增加 10%，LPDDR4 增加18%)，DDR4 將會持續向更高容量發展，并隨著 PC 和服務器市場的需求遷移至 DDR5。

根據規劃，DDR3 仍將保持 1Gb、2Gb、4Gb 和 8Gb 四種容量，并計劃在 2025 年演進至 16nm；DDR4 方面，當 20nm 制程就緒之后，高雄廠會在 2024 年初量產 DDR4 DRAM 芯片。

“利基型存儲市場大約只占整個存儲市場的 10%，它的供需相對而言是比較平衡和穩定的。在當前終端客戶、代理商、以及原廠庫存都比較低的情況下，確實有可能會出現缺貨的情況，但對具體時間節點做出判斷為時尚早，需要做進一步的觀察。”朱迪說。

編輯：黃飛