近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:23
1529 156單晶硅不同擴(kuò)散方阻下的功率對(duì)比
2012-08-06 11:00:48
3D Experience — 產(chǎn)品協(xié)同研發(fā)平臺(tái)
2021-01-08 07:30:52
圖表形式分析凸輪性能。具體使用步驟如下：首先打開(kāi)浩辰3D制圖軟件，然后在菜單欄找到并依次點(diǎn)擊【工具】—【工程參考】—【凸輪設(shè)計(jì)器】。如下圖所示： 1、使用設(shè)計(jì)參數(shù)選項(xiàng)卡可定義參數(shù)，這些參數(shù)提供了形狀
2021-04-25 15:51:20
執(zhí)行器硬件以及一套綜合的軟件套件集成在一起，實(shí)現(xiàn)對(duì)高性能碳纖維增強(qiáng)熱塑性復(fù)合材料零部件的3D打印。2016年2月，美國(guó)西亞基公司公布了基于電子束增材制造(EBAM)工藝的金屬3D打印系統(tǒng)專(zhuān)用的IRISS
2019-07-18 04:10:28
請(qǐng)問(wèn)3D打印一體成型結(jié)構(gòu)復(fù)雜的鐵硅磁體技術(shù)應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？前景如何？
2020-05-27 17:14:34
的圖形處理和硬件編碼單元之間的某種干擾隔離開(kāi)來(lái)。隨著3D GPU利用率的增加，硬件編碼器利用率下降，幀速率也下降。 GPU遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是最大負(fù)載，應(yīng)該有足夠的儲(chǔ)備。技術(shù)文檔指出硬件解碼器性能不應(yīng)受CUDA負(fù)載
2018-09-17 14:38:34
我公司專(zhuān)業(yè)從事3D全息風(fēng)扇研發(fā)生產(chǎn)，主要生產(chǎn)供應(yīng)3D全息風(fēng)扇PCBA，也可出售整機(jī)，其他配件可免費(fèi)提供供應(yīng)商信息或者代購(gòu)，歡迎咨詢(xún) 劉先生：*** 微信同號(hào)3d全息風(fēng)扇燈條3d全息風(fēng)扇PCBA3D全息風(fēng)扇方案本廣告長(zhǎng)期有效
2019-08-02 09:50:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
單晶硅太陽(yáng)能電池詳細(xì)工藝
2012-08-06 11:49:37
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
(EMIF) 的顯著改進(jìn)。KeyStone 架構(gòu)能夠以 1333MT/s以上的速率支持高性能 DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)器。雖然總線能配置成 16 或 32 位（為節(jié)省面板空間和功耗），但其實(shí)際支持的總線
2011-08-13 15:45:42
的擦除操作，而且寫(xiě)人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級(jí)。即使是與現(xiàn)有存儲(chǔ)器中性能較高的DRAM(讀取1寫(xiě)入時(shí)間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫(xiě)次數(shù)超過(guò)1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
描述此參考設(shè)計(jì)演示了如何實(shí)現(xiàn) SDRAM 存儲(chǔ)器并通過(guò)接口連接到高性能微控制器 TM4C129XNCZAD。為了實(shí)現(xiàn)此設(shè)計(jì)，其中采用了該微控制器的 EPI 接口來(lái)連接 256Mbit SDRAM
2018-08-30 09:31:51
說(shuō)明和庫(kù)中自帶的例程。以下內(nèi)容來(lái)自AN2784應(yīng)用筆記：2 與非總線復(fù)用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個(gè)NOR閃存存儲(chǔ)器，需要FSMC提供下述功能：●選擇合適的存儲(chǔ)塊映射NOR
2015-01-22 15:56:51
說(shuō)明的中文翻譯版中并沒(méi)有這部分的說(shuō)明，因此需要參考庫(kù)函數(shù)的相關(guān)說(shuō)明和庫(kù)中自帶的例程。以下內(nèi)容來(lái)自AN2784應(yīng)用筆記：2 與非總線復(fù)用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個(gè)NOR閃存存儲(chǔ)器，需要
2015-01-22 15:56:51
各位大俠，小女子在做半導(dǎo)體退火的工藝，不知道哪位做過(guò)有n型單晶硅退火？具體參數(shù)是什么？任何經(jīng)驗(yàn)都可以提，請(qǐng)照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
各位大神，請(qǐng)問(wèn)哪位做過(guò)，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實(shí)驗(yàn)的？可以詳細(xì)地講講如何實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時(shí)候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長(zhǎng)時(shí)間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-02 10:53:41
各位大神，請(qǐng)問(wèn)哪位做過(guò)，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實(shí)驗(yàn)的？可以詳細(xì)地講講如何實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時(shí)候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長(zhǎng)時(shí)間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-08 10:43:08
各位大蝦，請(qǐng)問(wèn)哪位做過(guò)，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實(shí)驗(yàn)的？可以詳細(xì)地講講如何實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時(shí)候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長(zhǎng)時(shí)間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-15 12:25:03
青海堿業(yè)有限公司煅燒車(chē)間從2013年開(kāi)始使用YR-ER101單晶硅差壓變送器，選用該系列變送器是看中昌暉單晶硅變送器的高穩(wěn)定性、低溫度漂移和高精度性能。因現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用環(huán)境惡劣，強(qiáng)腐蝕和強(qiáng)電磁干擾對(duì)任何
2018-02-25 21:56:50
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)架構(gòu)發(fā)生變化，一個(gè)表現(xiàn)在QLC的大容量，另一個(gè)是3D Xpoint技術(shù)的高性能、低延遲。目前IBM云服務(wù)、騰訊數(shù)據(jù)中心分別采用傲騰和QLC技術(shù)，百度云人工智能更是結(jié)合了QLC和傲騰的優(yōu)勢(shì)，達(dá)到
2018-09-20 17:57:05
BeSang之前的許多設(shè)計(jì)都是偽3D。” Simon Sze在1967年曾經(jīng)于貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了用于非易失性存儲(chǔ)器件的浮柵金屬氧化晶體管。Sze現(xiàn)在是***一所大學(xué)的教授。 “SoC將邏輯單元
2008-08-18 16:37:37
Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類(lèi)，一種稱(chēng)為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
***求購(gòu)廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購(gòu)單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:01:11
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2010-10-31 14:00:00
的技術(shù)組件： · 單晶硅傳感器 · 高性能ASIC · 兩個(gè)芯片外殼 圖3 產(chǎn)品參數(shù)表 傳感器的核心：單晶硅傳感器 硅傳感器（每個(gè)MEMS的核心）傳統(tǒng)上是批量生產(chǎn)或以表面微加工工藝制造
2020-07-07 09:36:40
分享一篇基于FPGA的3D頭盔顯示設(shè)備研究論文，值得學(xué)習(xí)！
2020-08-27 09:58:02
人臉。這是由于目前基于RGB等2D空間的主流活體檢測(cè)方案未考慮光照、遮擋等干擾因素對(duì)于檢測(cè)的影響，而且存在計(jì)算量大的缺點(diǎn)。而數(shù)跡智能團(tuán)隊(duì)研發(fā)的3D SmartToF活體檢測(cè)方案則可以有效解決此問(wèn)題。那么
2021-01-06 07:30:13
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱(chēng)為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）。可以得出存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
廠家求購(gòu)廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購(gòu)單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 13:58:27
影響存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
PCB設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的組建建議是什么高性能PCB設(shè)計(jì)的硬件必備基礎(chǔ)高性能PCB設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)和工程實(shí)現(xiàn)
2021-04-26 06:06:45
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
3D打印技術(shù)是綜合了三維數(shù)字技術(shù)、控制技術(shù)、信息技術(shù)眾多技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)，具有設(shè)計(jì)樣式多元化、試制成本低、制作材料豐富等特點(diǎn)。通過(guò)數(shù)字化設(shè)計(jì)工具+3D打印技術(shù)相結(jié)的模式，可以幫助企業(yè)高效實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新
2021-05-27 19:05:15
4Gb到100Gb的密度.談及循環(huán)及數(shù)據(jù)保留間的強(qiáng)相關(guān)性，使用N削D來(lái)獲得高寫(xiě)入性能的系統(tǒng)經(jīng)常面對(duì)一個(gè)困難即在長(zhǎng)時(shí)間的休止?fàn)顟B(tài)下如何保證足夠的數(shù)據(jù)保留。變相存儲(chǔ)器：新的儲(chǔ)存器創(chuàng)建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35
是第一個(gè)推出1Tb級(jí)產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane，而美光稱(chēng)之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
計(jì)算機(jī)！該項(xiàng)目是一個(gè)英國(guó)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的心血結(jié)晶。他們開(kāi)發(fā)了一個(gè)以聚乳酸長(zhǎng)絲為材料的3D打印系統(tǒng)，花了超過(guò)160小時(shí)的時(shí)間完成打印。盡管理想是提供模型讓大家下載打印，但更切實(shí)際的做法是提供套件，讓學(xué)生及動(dòng)手
2014-09-22 14:27:46
如何滿(mǎn)足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口？如何讓接收到的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)中心對(duì)準(zhǔn)？為了縮短設(shè)計(jì)周期應(yīng)遵循哪些規(guī)則？如何設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器接口才能獲得更高性能？
2021-04-14 06:30:23
我對(duì)工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應(yīng)該怎么做？（有個(gè)思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
影響EDMA性能的因素有哪些？有哪幾種主模塊共享存儲(chǔ)器的性能？
2021-04-19 11:08:41
。RAM類(lèi)型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
。RAM類(lèi)型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲(chǔ)器如圖 3 所示，AND閃速存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場(chǎng)上銷(xiāo)售的閃速存儲(chǔ)器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲(chǔ)器的單元是串聯(lián)的，其他所有類(lèi)型
2018-04-09 09:29:07
的NOR以及硅盤(pán)中應(yīng)用的NAND閃速存儲(chǔ)器，在寫(xiě)入時(shí)為高 V th ；而AND及DINOR閃速存儲(chǔ)器中，在寫(xiě)人時(shí)為低 V th 。
2018-04-10 10:52:59
QGM600-8XB 單晶硅棒切方滾磨機(jī)床是在硅單晶棒數(shù)控滾磨機(jī)上開(kāi)發(fā)而成，單晶棒數(shù)控滾磨機(jī)床是我公司獨(dú)立開(kāi)發(fā)研制的。該產(chǎn)品全部替代了日本滾磨機(jī)床，國(guó)內(nèi)很多企業(yè)需單晶硅棒
2009-12-20 09:25:37
42 單晶硅與多晶硅的區(qū)別
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些
2009-03-04 15:13:584212 什么是單晶硅
可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽(yáng)能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電
2009-03-04 15:14:503429 什么是單晶硅
單晶硅英文名稱(chēng)：Monocrystalline silicon
分
2009-04-08 17:17:458937
單晶硅太陽(yáng)能電池
硅系列太陽(yáng)能電池中，單晶硅大陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)也最為
2009-11-07 16:18:322207 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 1）區(qū)域熔煉法 以高純多晶硅為原料，制成棒狀，并將多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅
2010-07-18 11:22:116552 1、根據(jù)合同要求，驗(yàn)收單晶硅電池片的功率及等級(jí)，例如125的A級(jí)，就只要A1的，功率為2.57~2.7，再此時(shí)得問(wèn)清楚電池片的功率是正公差還是負(fù)公差，選用正公差的。
2010-08-30 12:00:021105 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成
2011-06-23 10:43:22149 晶體硅中的雜質(zhì)或缺陷會(huì)顯著地影響各種硅基器件的性能。用常規(guī)化學(xué)腐蝕法顯示出單晶硅中的缺陷，觀察典型的位錯(cuò)。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)缺陷分布的一般規(guī)律：中間尺寸大，密度小，邊緣
2012-06-06 15:33:207828 
美研究人員日前稱(chēng)，他們發(fā)現(xiàn)一種通過(guò)單晶硅體提高鋰離子電池性能的技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)可以用于電動(dòng)汽車(chē)電池研發(fā)，有助于生產(chǎn)能量更強(qiáng)、壽命更長(zhǎng)、充/換電循環(huán)次數(shù)更多的新型電池。
2012-07-24 11:40:36910 單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:4410035 基于SOC的高性能存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)_張鵬劍
2017-01-07 18:39:170 單晶硅晶片及單晶硅的制造方法 本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法（CZ法）生長(zhǎng)單晶硅晶片，其特征為：對(duì)全部晶片進(jìn)行熱氧化處理時(shí)，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過(guò)Cu
2017-09-28 16:35:3018 單晶硅作為晶體材料的重要組成部分，目前已經(jīng)得到廣泛的運(yùn)用。本文主要介紹了單晶硅的相關(guān)概念以及全球單晶硅生產(chǎn)商排名狀況。
2017-12-18 17:55:3852312 隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)不斷演進(jìn)，芯片的晶體管的密集度屢創(chuàng)新高之際，同步也朝向更省電的發(fā)展推進(jìn)，旺宏電子（Macronix）自推出業(yè)界最快的SPI NOR Flash系列存儲(chǔ)器產(chǎn)品，以500MB/s傳輸
2018-01-02 10:06:391443 旺宏昨日召開(kāi)財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來(lái)
2018-02-01 05:34:011107 
研究人員最近展示了使用單晶硅對(duì)可見(jiàn)光進(jìn)行精確的顏色控制，該研究成果發(fā)表在納米快報(bào)上。
2018-02-09 14:20:555076 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 單晶硅具有兩種同晶，結(jié)晶和無(wú)定形。晶體硅進(jìn)一步分為單晶硅和多晶硅，兩者都具有金剛石晶格。該晶體硬且脆，具有金屬光澤，并且是導(dǎo)電的，但導(dǎo)電性不如金屬，并且隨溫度增加，并且具有半導(dǎo)體特性。
2019-04-11 13:53:31175548 單晶硅光伏組件是以高純的單晶硅棒為原料的太陽(yáng)能電池板，目前廣泛的應(yīng)用于光伏市場(chǎng)中。單晶硅光伏組件光電轉(zhuǎn)換率較高，在弱光條件下表現(xiàn)比同類(lèi)產(chǎn)品更好。多晶硅光伏組件是由多晶太陽(yáng)能電池片按照不同的串、并陣列排列而構(gòu)成的。多晶硅光伏組件性?xún)r(jià)比較高，交大光谷的多晶硅光伏組件的發(fā)電效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5063233 單晶硅也稱(chēng)硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類(lèi)。單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。
2019-06-24 14:46:3118952 
3月25日，隆基發(fā)布單晶硅片價(jià)格公示，單晶硅片P型M6 180μm厚度價(jià)格為3.41元，較上個(gè)月下降0.06元/片。這是隆基11個(gè)月以來(lái)166單晶硅片首次降價(jià)。
2020-03-26 11:02:411585 
隨著單晶硅片制造向大直徑化發(fā)展，直拉法單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)在單晶硅制造中逐漸顯出其主導(dǎo)地位。為使結(jié)晶過(guò)程更加穩(wěn)定和實(shí)用有效，則需提高對(duì)工藝參數(shù)的控制精度，基于CCD攝像掃描識(shí)別技術(shù)的單晶硅等徑生長(zhǎng)速度控制技術(shù)得到業(yè)界的重視。
2020-10-04 17:57:001804 
單晶硅具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999%，甚至達(dá)到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。
2021-02-24 15:56:2026183 本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無(wú)論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機(jī)殘差。
2022-04-18 16:36:05406 
近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員朱慧瓏團(tuán)隊(duì)利用研發(fā)的垂直晶體管新工藝，制備出高性能的單晶溝道3D NOR閃存器件。該器件上下疊置的晶體管既具單晶硅溝道的高性能優(yōu)勢(shì)，又具三維一體集成的制造成本低的優(yōu)點(diǎn)。
2022-11-22 15:01:14546 NOR閃存以速度快、可靠性高和使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，在人工智能、汽車(chē)電子和工業(yè)領(lǐng)域中發(fā)揮著不可替代的作用。
2022-11-24 17:05:42232 單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽(yáng)能電池板的類(lèi)型，其主要區(qū)別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類(lèi)型的太陽(yáng)能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是，制造過(guò)程成本較高，價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:414919 什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面，主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，下面具體來(lái)了解下。
2023-06-12 16:44:423985 根據(jù)太陽(yáng)能電池種類(lèi)的差異，不同太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝也會(huì)有所不同，抉擇一塊電池性能的重要環(huán)節(jié)是制作太陽(yáng)能電池的清洗制絨。單晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝的優(yōu)劣可判斷其在應(yīng)用過(guò)程中是否具有超高的使用價(jià)值
2023-08-19 08:36:27811 
摘要：本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽(yáng)能光電設(shè)備，常用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個(gè)單晶硅太陽(yáng)能電池片組成，每個(gè)電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進(jìn)行支撐和保護(hù)。
2023-11-29 09:46:061008 在現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域中，傳感器作為感知的核心元件，其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。而單晶硅和擴(kuò)散硅壓力變送器作為壓力測(cè)量領(lǐng)域的兩大主流。更是受到越來(lái)越多企業(yè)、工程師的青睞。那么今天浙江
2024-03-15 11:53:3958 
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