三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發作業，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產品后，于2016年生產64層堆疊的V-NAND產品。
2015-08-11 08:32:00
720 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 `8890開發板擁有二個三星自家貓鼬核芯以及四個低功耗A53核芯，最高主頻達到1.5GHz，GPU為Mali-T880 MP12，內存采用三星原裝4G LPDR4內存，支持三路MIPI攝像頭接口
2017-06-30 11:00:32
三星電子近日宣布成功開發出高質量的CMOS圖像傳感器（CIS）芯片和照相機模組。該照相機模組有1/3英寸SXGA（130萬像素）、1/5.8英寸VGA（33萬像素）兩種規格，都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
的話，英特爾預計在2017年二季度將實現144億美元的銷售額，而三星電子的銷售額預計將達到146億美元。因此如果存儲芯片的市場價格在二季度及余下時間里都能持續增長，三星電子將會取代英特爾成為全球最大
2019-04-24 17:17:53
了三代索尼BRAVIA ENGINE引擎提升畫面質量8、日歷帶農歷，可完美顯示除年月日以外的農歷節氣9、撥號器設置默認開啟T9撥號10.優化GPS定位實現秒定位刷機地址：***/thread-15037-1-1.html
2013-06-27 09:51:33
三星LED大功率燈杯鋁合金燈體：防撞、散熱性好; 電鍍,外表光滑，反光率高。
2019-11-05 09:02:01
三星LED燈珠高亮度、色彩豐富、可智 能化控制等優點，使其成為下一代照明光源的有力競爭者，綠色節能是其對社會最重要的貢獻。
2019-09-30 09:00:46
1080p視頻錄制。別忘了，三星GALAXY Grand還搭載一顆200萬像素的前置攝像頭。 最后，三星GALAXY Grand其他規格還包括1GB運行內存，8GB的內置存儲容量并支持SD擴展，支持藍牙
2012-12-19 15:54:04
上是天價了！如果搭配一部低端普通的手機使用，簡直就是“門不當戶不對”嘛！那這么高端昂貴的存儲卡到底有何特殊之處呢？據三星官方解釋道，該存儲卡的讀取傳輸速度最快可達95MB/s，寫入傳輸速度最高可達
2015-12-16 11:31:26
的攝像頭，整體成像質量出色，可滿足用戶的日常需求。三星I9000搭載了Android OS v2.1的智能操作系統，主頻高達1GHz的處理器保證了整機的流暢運行，機身自帶16GB的擴展存儲，同時還支持高達
2011-05-04 18:51:39
三星大中華區首席技術官裵容徹先生表示，三星不斷進行技術創新，新一代的QLC產品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達1Tb的V-NAND技術，速度將會達到1200Mbps。在市場應用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術，生產用于服務器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術）設備生產基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
”，無疑令三星雪上加霜。 因受市況每況愈下的影響和制約，韓國三星電子的發展面臨著巨大的挑戰。據最新報導顯示，三星電子計劃明年將半導體事業的投資ST22I支出砍半，從134億美元降至70億美元，提前
2012-09-21 16:53:46
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發發表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子
2015-12-14 13:45:01
器的商機仍然暢旺，在供給端僅有三星、SK海力士、美光，加上新技術量產困難，在這些現實下，2019年對存儲器廠商而言仍會是個豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量，可能是第二代10nm等級的DRAM技術
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產品和服務信息，但三星并未透露產品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
務部，Samsung SDI，在美國底特律國際車展上發布了此款電動車電池的設計原型。三星SDI表示新電池密度更高，充飽電可供電動汽車行駛最遠達600公里；較之前的最高紀錄500公里，此款新電池足以甩開它們好幾個
2016-01-15 16:34:30
`聽說三星已搞定石墨烯電池，能量密度提升45%，充電快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其實不得不服三星的技術）順便發個三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
請問哪位有三星的2440u***驅動的，需要win7 64位的？
2014-08-07 12:19:51
請教一下各位大神，2A的整流橋用快恢復管來做，是否ＥＭＩ會很好呢？三星的手機充電器 在用。
2016-12-15 11:14:05
三星貼片電阻的卷帶上的標簽上有個P M2，在條碼的旁邊有時候是PM3或S之類的，哪位大蝦告訴我下，那是什么意思啊？
2012-07-28 16:37:17
來自外媒的消息稱，三星電子正準備設計一個全新品牌形象，并以新面貌在2013年1月拉斯維加斯的CES展上亮相。 三星公司已經成立了一個設計小組來設MAX3232EUE+T計新品牌，全新的設計將會
2012-11-05 16:22:13
的BCH8 ECC。 uboot 和kernel dts里面都是BCH8。工作正常。現在要換成三星的K9K8G08U0E我看了下芯片手冊，發現page/block/sub-page size之類的都是
2018-06-21 07:09:15
`這幾年以來，國內巨頭都在花大力氣研發內存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導體領域的焦點。日前，三星一反常態，放緩了存儲器半導體業務的擴張
2018-10-12 14:46:09
海力士也將在2021年中推出基于176層4D NAND新技術的UFS和SSD產品。而三星雖然還未宣布下一代產品具體層數，但是近期也在公開會議中表示，將在2021年量產第七代V-NAND，使用“雙堆棧
2022-01-26 08:35:58
1GB RAM和16GB存儲空間。三星GALAXY S3配備了4.8英寸超大屏幕，這塊應用了Super AMOLED技術的屏幕色彩艷麗，亮度很高，在戶外也能看清屏幕顯示的內容。更為重要的是，分辨率高達
2012-12-05 14:19:07
所有決策和重任寄托在單獨的個人，也不可能把公司的榮辱興衰寄托到一個人身上。你們怎么看？延伸閱讀：1、2015年8月，李在镕曾經以三星集團名義涉嫌以馬術選手培養為名，向崔順實提供35億韓元的資金，以三星
2017-01-20 11:09:50
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2021-04-28 18:52:33
我們使用i.MX8MPlus運行Windows 10 IoT系統，遇到了三星eMMC的兼容性問題。如何解決？詳情如下：1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1無法運行
2023-03-17 09:03:23
原裝海力士三星存儲芯片，香港出貨，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G1646E-BCMA
2020-02-13 14:35:59
量產中利用意法半導體的FD-SOI技術。也是在這一年，三星成功生產了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產首款商用eMRAM。 據三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術制作
2023-03-21 15:03:00
Note 8智能手機銷售火爆，提振了移動業務獲利；去年三星電子付出高昂代價停售發生起火事件的Note 7手機，該企業現已從此事的打擊中恢復過來。預計三星電子最快將在10月底宣布未來三年新的股東回報政策，屆時
2017-10-13 16:56:04
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
`友堅官方研發三星四核安卓4.4系統S5P4418開源硬件三星指定平板產品的IDH產品，1、UT4418是由專注三星10年工作經驗的高級硬件工程師設計，吸取了友堅7年行業ARM定制經驗而打造的明星
2016-07-01 14:04:09
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
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2021-01-11 18:18:34
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2021-09-09 19:05:33
回收東芝手機字庫 181-2470 同上1558 同步同號回收三星手機字庫 stm8s207cbt6.，_回收意法半導體：從系統存儲器導入，從sram導入。boot導入程序位于系統存儲器，用于通過
2021-07-28 11:29:11
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
泰電子的三星Cortex-A8平板電腦解決方案。作為MID制造廠商以及解決方案供應商，立宇泰電子推出的基于三星Cortex-A8處理器MID平板電腦解決方案，提供從外形（外觀）、結構、軟件、硬件到
2011-03-30 14:30:37
本帖最后由 forele 于 2013-8-5 14:23 編輯
日本媒體朝日新聞18日報導，夏普(Sharp)考慮加強和韓國三星電子(Samsung Electronics)的合作關系
2013-08-05 14:19:28
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2020-12-14 16:00:38
：MSM8274MSM8928MSM8928-2AAMSM8928-2ACMSM8974MSM8974-7ABMSM8974-7ACMSM8974-9ABMSM8974-9VV回收三星高通CPU，收購三星高通CPU，優選帝歐電子！帝歐還回收庫存電子，高價回收電感，回收電解電容
2020-10-31 15:48:52
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
你好，我創建了我的“BLE應用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的問題，因為我的應用程序返回GATT錯誤0x85與三星S5，而三星S4工作良好。我該怎么解決呢？有特定的設置嗎？最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37
大家好，我有一個有趣的困境，我無法在網上找到任何地方。我有一個三星970 pro 512gb用于啟動驅動器，WD Black 4TB Hdd用于存儲，而intel optane 800p 58gb
2018-12-03 15:33:05
手機進水了怎么辦？三星手機
2013-05-13 17:34:01
2018年上半進入96層的技術規格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
三星跟進推出840PRO，緊接著OCZ推出自家第一款三代SSD。至此，三代SSD形成三足鼎立的局面，如同艷麗的花朵綻放。 移動存儲行業：全面進入單碟500技術 2012年影響最深的移動存儲產品
2012-12-30 18:45:31
代V-NAND技術。據三星官方消息顯示，新款 V-NAND 運用三星電子有的“通道孔蝕刻”技術，向前代 9x 層單堆疊架構增加了約 40% 單元。這是通過構建由 136 層組成的導電模具堆棧，然后垂直
2020-03-19 14:04:57
請問A40I板卡的TF卡槽能支持1TB的SD卡嗎？想用1TB的SD卡需要對linux系統做什么額外的操作嗎？
2022-01-04 06:31:57
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
功耗的前提下具有與DDR3一樣的速度。·存儲：8GB(可根據需要配置16GB以及32GB),采用三星EMMC，時鐘頻率高達52MHZ，滿足MMC V4.41協議標準。 ·PMIC：選用三星自家電源管理芯片
2013-06-18 16:07:28
三星電子在2010年的時候告密導致鴻海集團(富士康)子公司奇美電子被罰三億歐元,郭總裁當時痛斥三星電子為”專打小報告的小人”,同時他也表示一定會從韓國人的手裡把這個錢給賺回來,時隔多年,郭總裁收購
2016-12-18 01:18:05
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2021-07-06 19:32:41
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2021-02-23 17:54:12
閃存巨頭再度發力：三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同時配合TLC（即三層單元）設計。
2016-08-19 15:57:11697 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271030 位于西安高新技術開發區的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態硬盤、移動設備和其它消費電子產品。
2018-02-09 10:18:467373 在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產品。
2018-05-16 23:41:00759 三星終于宣布開始大規模生產其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數超過90層，可能指的是其96層，制造生產率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:001645 據外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態硬盤T5-全新的移動固態硬盤（PSSD），提升了外部存儲產品的性能標準。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術和緊湊耐用的設計，具有業界領先的傳輸速度和加密的數據安全性，使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數據。
2018-07-26 17:43:092422 三星電子也不甘示弱，早先已經宣布量產96層堆疊第五代V-NAND閃存，并宣布會在年內推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:114512 很顯然從今年開始，廠商們都開始將目光轉向了QLC閃存，之前Intel就已經推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現在三星也正式宣布量產首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規格。
2018-08-07 17:00:03911 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:52935 三星新一代860 QVO系列固態硬盤于今日上架美國官網，作為三星首款面向消費者的QLC固態硬盤，它采用傳統的2.5寸盤規格，內部為三星自主MJX主控、三星自產V-NAND QLC閃存顆粒，容量規格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建議零售價149.99美元。
2018-11-30 14:08:012192 CES 2019 期間，雷克沙發布了專業級的 1TB 633x SDXC UHS-I 存儲卡新品，能夠滿足相機、攝像機、或 3D 拍攝時的最高容量需求。
2019-01-11 11:46:404263 天字一號閃存企業三星電子今天（1月30日）宣布開始量產單芯片1TB容量的UFS存儲產品，主力用于智能手機。
2019-02-11 11:33:413705 
96 層 3D NAND 四級單元（QLC）技術的 microSD 卡。1TB microSD 卡可以為消費者的手機和其他電子設備提供經濟高效的存儲方案，實現流暢的 4K 視頻、圖片和游戲體驗。
2019-02-26 17:26:51941 SK海力士宣布已向主要SSD（固態硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發了自己的QLC軟件算法和控制器，計劃擴大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產品。
2019-07-25 15:08:542838 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設計與優化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:425566 三星推出了第六代V-NAND內存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04624 三星推出了第六代V-NAND內存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-09 16:05:251151 美光宣布推出一系列全新micro SD存儲卡，稱為i300系列，其容量從32GB到1TB不等，以滿足視頻監控市場和其他工業應用的邊緣存儲需求，其中具有最大存儲容量的型號是美光i3001TB3microSDXC UHS-I，可容納1TB數據，是所有micro SD卡的最高容量。
2019-11-19 10:40:191045 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481156 今日凌晨，XDA主編Max Winebach爆料稱，三星Galaxy S20 Ultra 5G將保留SD卡插槽，最高支持1TB存儲卡擴展。
2020-01-14 14:15:209332 
4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應用設計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商，其產品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術。
2020-04-09 14:09:193527 EVO 采用了 V-NAND 3-bit MLC，可選 250GB、500GB、1TB、2TB 和 4TB 版本。其中 1TB 以下搭載 512GB LPDDR4 緩存，1TB 版本 搭載 1GB
2021-01-19 17:52:313440 據外媒最新消息稱，iPhone 13將提供1TB容量版本，而目前iPhone 12 系列最高容量選擇為512GB。
2021-03-01 09:30:341478 據供應鏈消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存儲容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20521 市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產品和解決方案，有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:55448 和2022年度三星內存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:36577 三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。通過這項技術，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25336 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282
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