富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
4212 串口RS-232/485輸入的數(shù)據(jù)透明存儲在SD卡中。數(shù)據(jù)存儲器采用模塊化設(shè)計，不需要用戶對現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行改造，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)實(shí)時存儲。該產(chǎn)品已廣泛使用于系統(tǒng)集成設(shè)備、自動化采集設(shè)備、高校、研究所重要實(shí)驗(yàn)裝置
2012-11-20 14:00:52
為了滿足消費(fèi)者希望以智能手機(jī)取代車鑰匙的需求，汽車行業(yè)正在經(jīng)歷著重大變革。隨著“手機(jī)即鑰匙”技術(shù)的普及，你不再需要傳統(tǒng)的密鑰卡，使用手機(jī)即可操作“被動門禁/被動啟動”（PEPS）系統(tǒng)。低功耗
2022-11-09 06:28:08
低功耗藍(lán)牙單芯片為物聯(lián)網(wǎng)助力
2021-01-18 07:29:56
Access Memory：鐵電隨機(jī)存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
發(fā)展迅速。 2、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數(shù)據(jù)的。它的特點(diǎn)是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。 技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有
2017-10-24 14:31:49
，所以發(fā)展迅速。 2、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數(shù)據(jù)的。它的特點(diǎn)是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有。AO-Electronics 傲壹電子 `
2017-12-21 17:10:53
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
flash存儲轉(zhuǎn)換成鐵電存儲,應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
鐵電存儲器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲器，它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
本帖最后由 skysoon33958085 于 2014-4-25 11:34 編輯
來源:與非網(wǎng) 摘要:鐵電存儲器(FRAM)以其非揮發(fā)性,讀寫速度塊, 擦寫次數(shù)多,和低功耗等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用
2014-04-25 11:05:59
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
1. 描述 引腳排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用4096/8192/16384×8位的組織結(jié)構(gòu)
2023-09-15 07:53:08
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進(jìn)行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
存儲空間是如何進(jìn)行配置的？存儲器的特點(diǎn)是什么？FLASH和OTP存儲器的功耗模式有哪幾種狀態(tài)？
2021-10-21 08:28:25
跑程序時候暫存臨時數(shù)據(jù)的地方，一般不太大，從128字節(jié)到幾K字節(jié)都有，一掉電數(shù)據(jù)就沒了。EEPROM掉電也不丟數(shù)據(jù)的存儲器，一般都用來存設(shè)置。可以一字節(jié)一字節(jié)的把每字節(jié)的8位1任意編寫成0...
2022-01-26 07:14:56
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數(shù)百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
描述PMP20026 參考設(shè)計可為 DDR4 存儲器提供高效的低功耗解決方案。電源由 12V 的源供電，并將輸出調(diào)節(jié)為 1.2V（電流高達(dá) 6A）。TPS53515 以單相降壓模式運(yùn)行（頻率為
2022-09-15 07:36:02
stm32擴(kuò)展鐵電存儲器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作！！
2013-12-26 21:47:03
◎◎○○○○○寫入時間◎◎○－△△△位成本△○△◎△△◎大容量化○◎△◎△△◎存儲單元存儲在觸發(fā)器電路在電容器中保持電荷使鐵電發(fā)生極化將離子注入晶體管在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷
2019-04-21 22:57:08
大家可以看看終極存儲器啊！
2012-04-21 10:37:24
的非易失性存儲器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
我們公司是代理富士通鐵電存儲器FRAM，單片機(jī)和華邦的FLASH。因?yàn)閯傞_始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
帶FRAM存儲器MSP430常見問題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機(jī)存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
總線速度寫入而無須任何寫等待時間；●超低功耗。這種鐵電存儲器ＦＲＡＭ克服了以往ＥＥＰＲＯＭ和ＦＬＡＳＨ寫入時間長、擦寫次數(shù)少的缺點(diǎn)，其價格又比相同容量的不揮發(fā)鋰電ＮＶ－ＳＲＡＭ低很多，因而可廣泛
2019-04-28 09:57:17
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
低功耗藍(lán)牙，無限可能改善您的汽車門禁系統(tǒng)的用戶體驗(yàn)。用戶可以簡單地走到車輛上，用數(shù)字電話鍵將其解鎖，然后讓車輛使用其自定義的數(shù)字配置文件自動適應(yīng)用戶的首選設(shè)置，例如后視鏡，座椅，方向盤和抬頭顯示器
2020-06-16 14:29:09
存儲測試器有什么工作原理？存儲測試器低功耗的實(shí)現(xiàn)方法有哪些？存儲測試器技術(shù)指標(biāo)有哪些？請問怎樣去設(shè)計低功耗存儲測試器？
2021-04-13 07:02:43
的連接方式與NOR閃速存儲器相同，寫入邏輯為反相（NOR寫人時V th 變高，而AND式則降低），命名為AND式。現(xiàn)在的NOR閃速存儲器也致力于改良，目的在于將寫人操作也采用隧道方式以降低功耗，或者通過
2018-04-09 09:29:07
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
LC87F17C8A是一個8位單片機(jī)和USB全速主機(jī)/設(shè)備控制器。128 k字節(jié)閃速存儲器/ 8192字節(jié)的RAM / 48-pin。
2017-04-06 09:15:10
3 的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存儲器，具有高速數(shù)據(jù)寫入，低功耗和提供大量寫入周期的能力。 框圖 MB85R2001和MB85R2002 F
2020-06-28 16:04:16777 低功耗SRAM存儲器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，是靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-06-08 16:49:321933 應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應(yīng)用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
介質(zhì)用于各種應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應(yīng)用。富士通代理英尚微介紹富士通半導(dǎo)體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394 
拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
2022-08-27 16:03:521037 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS53515低功耗DDR存儲器電源參考設(shè)計.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 16:18:370 在基于LORA的采集系統(tǒng)中，先通過傳感器采集信息，并將信息進(jìn)行放大等調(diào)理后，傳輸?shù)街骺豈CU，最后主控MCU通過LORA的無線傳輸方式傳輸?shù)胶蠖耍?b class="flag-6" style="color: red">字節(jié)的容量為128Kb、支持SPI接口的鐵電隨機(jī)存取存儲器（FRAM）設(shè)備PB85RS128就可應(yīng)用其中
2022-12-14 14:51:13384 國芯思辰接觸的一個客戶在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品，需要外掛一個小的存儲器件用來存儲少量的數(shù)據(jù)。此前該客戶使用進(jìn)口的富士通MB85RS128B，現(xiàn)需要一個與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國產(chǎn)器件用作國產(chǎn)化備選方案
2022-12-20 16:23:04584 PB85RS128鐵電存儲器是不需要備用電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32672 無人機(jī)通過高清光學(xué)相機(jī)拍攝視頻、機(jī)載SAR成像系統(tǒng)采集SAR圖像，可以收集到人工原本無法獲得的信息，完成原本無法做到的事，而信息的采集離不開數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的支持
2023-02-28 09:18:25495 在門禁系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲的方案中，拍字節(jié)PB85RS128具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”的特點(diǎn)（100萬次寫入周期、長達(dá)25年以上的數(shù)據(jù)保存時效）。
2023-03-01 14:03:55361 PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，對標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 鐵電存儲器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲器，讀寫速度較慢，存儲單元反復(fù)擦寫后容易損壞，無法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲的要求，故此，國產(chǎn)鐵電存儲器可快速讀寫，擦寫次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:41495 
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
使用國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲器都無法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48188 
和耐久性設(shè)計，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
信息，容量要求128K，SOP8封裝。這里提到拍字節(jié)VFRAMPB85RS128C（原P95S128KSWSP3TF），PB85RS128C是FRAM（鐵電隨機(jī)存
2022-08-19 14:08:11379 
在諸多工業(yè)、汽車等對可靠性有高要求的應(yīng)用場景中，通常會使用FRAM存儲器來儲存系統(tǒng)中的重要信息，這得益于FRAM本身的特性，數(shù)據(jù)保存期限久、耐久性出色、擦寫次數(shù)高，讓FRAM在眾多存儲器件中脫穎而出
2022-09-08 14:25:25367 
藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備上，主控自帶的數(shù)據(jù)存儲往往不夠用，這時候就需要外掛存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)的非易失性、安全存儲，本文主要提到采用拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C在藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備中進(jìn)
2022-09-19 14:00:42531 
存儲器來完成。一般來說，額溫槍的主控MCU不帶可編程存儲器，因此都需要外加。外加的存儲器可以通過總線(I2C接口或SPI接口)和MCU進(jìn)行通信和數(shù)據(jù)讀寫存儲。本文主要
2022-09-23 10:54:56366 音頻電話會議需記錄會議中的重要信息，所以其用來存儲數(shù)據(jù)模塊的存儲器要求具有安全、可靠的特性。下圖為音頻電話會議的簡略框圖，該方案中存儲模塊采用拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件可替換賽普拉斯
2022-09-30 15:36:33448 、128KB容量、低功耗、工作電壓低至2.8V，而且必須是SPI通訊。根據(jù)項(xiàng)目需求，我們提到了拍字節(jié)的PB85RS128C，兼容SPI通信接口，工作電壓2.7V~3.6
2022-10-13 14:29:37439 
，越是對使用有限制、有要求的場景，就越會使用FRAM來存儲系統(tǒng)中的重要信息，在一汽車尾門控制器中，就有使用拍字節(jié)的PB85RS128C，本文將詳細(xì)介紹相關(guān)參數(shù)及應(yīng)用
2022-10-18 17:50:29342 
本文簡述國產(chǎn)拍字節(jié)鐵電存儲器(VFRAM)應(yīng)用于心率血壓測量裝置的方案。在全球老齡化趨勢加重、疫情持續(xù)影響衛(wèi)生系統(tǒng)的時代背景下，智慧醫(yī)療設(shè)備的應(yīng)用需求越來越廣泛，其中，心率血壓測量計作為基礎(chǔ)生物體
2022-10-24 09:35:24342 
字量采樣經(jīng)過ADC和光耦送入CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲和運(yùn)算。因此，一個合適的隨機(jī)存儲器必不可少。CPU控制系統(tǒng)圖本文主要提到拍字節(jié)的128Kb鐵電存儲器(VFRAM)PB
2022-10-27 16:12:31433 
進(jìn)行分析、跟蹤等。某工程師需要一個128K、低功耗的FRAM，本文主要提到的是拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件和賽普拉斯FM25V01-G以及富士通MB85RS
2022-11-04 11:18:11372 
C，支持SPI和百萬次讀寫周期，-25℃~60℃的工作溫度范圍。PB85RS128C是拍字節(jié)的一款容量為128Kb的SPI接口FRAM，該鐵電存儲器用于智能照明燈有如
2022-11-17 14:37:32499 
PB85RS128C是國產(chǎn)128KbFRAM，其運(yùn)行電流為5mA，低功耗模式下電流在10μA以內(nèi)，滿足汽車鑰匙對存儲器的功耗要求。應(yīng)用優(yōu)勢：?在供電方面，拍字節(jié)鐵電存儲
2022-11-23 10:25:54449 
)PB85RS128，該FRAM采用SPI接口，同時支持工業(yè)級-40℃~85℃的溫度范圍，也被廣泛用于儀器儀表、安全系統(tǒng)、便攜式醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)設(shè)備等。PB85RS
2022-11-25 09:27:52474 
的PB85RS128，該款鐵電存儲器（FRAM）采用標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口進(jìn)行通信，包含128Kb內(nèi)存容量。無線耳機(jī)的基本原理框圖在無線耳機(jī)中使用PB85RS128，會帶來
2022-11-29 10:25:59423 
MB85RS128B，現(xiàn)需要一個與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國產(chǎn)器件用作國產(chǎn)化備選方案，規(guī)格需求如下：容量128Kb、工作溫度-40℃~85℃、封裝最好是SOP8。
2022-12-02 15:01:31392 
在一些工業(yè)環(huán)境應(yīng)用中，測量重量等信息是必不可少的，有的設(shè)備還需要遠(yuǎn)程無線傳輸?shù)胶蠖恕Υ耍贚ORA的信息采集系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文就此介紹了拍字節(jié)的PB85RS128在基于LORA的信息采集系統(tǒng)
2022-12-08 17:57:55290 
國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代
2023-03-23 11:25:23270 
，鐵電存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對寫入時間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應(yīng)用方便，本文介紹了國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:25393 
記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動數(shù)據(jù)存儲器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。
2023-06-29 09:39:03382 ℃ – 最大8K字節(jié)RAM，支持奇偶校驗(yàn) –128字節(jié)OTP存儲器? CRC 硬件計算單元? 復(fù)位和電源管理 – 低功耗模式（Sleep，DeepSleep） – 上
2023-08-01 15:45:220 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 器必須具有如下三方面的功能：1、寫入速度快，能及時記錄數(shù)據(jù)，2、能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)，3、能記錄數(shù)據(jù)發(fā)生的準(zhǔn)確時刻。使用國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種
2023-05-24 11:42:10
和耐久性設(shè)計，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對寫入時間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應(yīng)用方便，本文介紹了國產(chǎn)鐵電存儲器PB8
2023-06-08 09:52:17
的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
發(fā)出警報聲。 本文主要介紹國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲方案中。對于這些應(yīng)用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件，無論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個特長的鐵電隨機(jī)存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
的系統(tǒng)硬件設(shè)計。 其中鐵電存儲器可使用國芯思辰PB85RS2MC，憑借高速讀寫功能，記錄儀可以實(shí)時在線記錄現(xiàn)場數(shù)據(jù)，并可以通過以太網(wǎng)通信方式與上位機(jī)進(jìn)行
2023-11-15 10:34:19
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測系統(tǒng)存儲要求的是國產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
易失性存儲和精確的實(shí)時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實(shí)時時
2023-11-27 10:17:05
嵌入式鐵電存儲器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
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