MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼備SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產品，解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:00
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三星電子（Samsung Electronics）與IBM攜手研發出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸（Spin Transfer Torque）磁性存儲器（STT-MRAM）。兩家公司也表示，預計
2016-08-01 11:04:32953 研究機構IMEC已經發表了一篇論文，該研究表明，在5nm節點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節能效果。這種優勢比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
存儲器(DRAM)類似的高密度，而且還具有讀取無破壞性、無需消耗能量來進行刷新等優勢，因為磁體沒有漏電(leakage)之說。MRAM 與閃存（FLASH)同樣是非易失性的，它還具備了寫入和讀取速度相同
2020-11-26 16:23:24
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
磁阻式隨機存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優點有讀取速度快和集成度高及非揮發性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運用于計算機存儲系統中。MRAM因具有許多優點,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼備SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
存取速度分類)：1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
第 4 章 存儲器4.1概述存儲器可分為那些類型現代存儲器的層次結構，為什么要分層一、存儲器分類1.按存儲介質分類（1）半導體存儲器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲器
2021-07-29 07:40:10
1. 存儲器理解存儲器是計算機結構的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數據的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存儲器的分類存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據，從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質分半導體存儲器（又稱易失性存儲器）：體積小，功耗低，存取時間短，電源消失的時候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器（...
2021-07-26 08:30:22
所謂的寄存器、內存等用于存儲信息的復雜結構。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
寫入每個數據字節。這意味著，系統存儲器密度增長時，工程師不必擔心頁面緩沖區大小的變化。就寫入耐久性而言， MRAM可以支持100億次寫操作，遠遠超過 EEPROM 的 100萬次以及閃存的10萬次。因此
2018-05-21 15:53:37
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
125°C下的數據保存時間超過10年。 圖7.對3500Oe磁場的靈敏度降低了1E6倍。 關鍵詞：MRAM相關文章：非易失性存儲器MRAM的兩大優點宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優勢通過將電荷捕獲在夾層氮化物層中來存儲數據。FN隧道技術的主要優勢在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
間流逝而消失，因此即使關閉電源，信息也會被存儲。其次，在兩種狀態之間切換磁極化不涉及電子或原子的實際運動，因此不存在已知的磨損機制。 Everspin MRAM特點?消除備用電池和電容器?非易失性
2020-08-31 13:59:46
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
當系統運行了一個嵌入式實時操作系統時（RTOS），操作系統通常都是使用
非易失的
存儲器來運行軟件以及采集數據。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態
隨機訪問儲存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術，可利用各種工業標準接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產品，該產品利用稱為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
據保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩定的制造業供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
存儲器（Volatile Memory），存儲內容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。半導體存儲器的分類* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08
代碼執行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。經過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究，現有閃存的技術能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小
2019-06-26 07:11:05
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產品化和優異的性能，是產品其能夠在-35C至110C的工業溫度范圍內使用。
2020-12-28 06:16:06
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
作者 MahendraPakala半導體產業正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器(MRAM) 的出現。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實現 STT MRAM 商業可行性的進展。
2019-07-16 08:46:10
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數據會丟失讀寫速度較快內存非易失性存儲器：掉電數據不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
磁阻式隨機存儲器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
萌新求助，求一個基于嵌入式STT-MRAM的架構方案
2021-10-25 07:33:36
存儲器分類按不同分類標準可作不同的分類。按存儲介質不同可分為半導體存儲器（易失或非易失）、磁表面存儲器（非易....
2021-07-26 06:22:47
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。MRAM技術仍遠未
2020-04-15 14:26:57
”。 鐵電存儲器就是利用了這種非易失性。 雖然EEPROM或閃存也會根據元件內的存儲區域是否有電荷來記憶數據，但FRAM是根據極化的方向來記憶數據的，所以兩者具有不同的記憶方式。 FRAM的特長FRAM
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
的寫入次數、并為開發人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數據內存與程序內存的分區)。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關鍵是
2021-11-10 08:28:08
The PM004M is Mbit of SPI/QPI (serial/quad parallel interface) MRAM device. This device
2022-07-05 16:48:31
半導體產業正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 （MRAM） 的出現。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實現 STT MRAM 商業可行性的進展。
2018-05-29 15:42:002282 
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲加速器提供了卓越的延遲確定性，可為Apache Log4J等應用程序啟用低延遲寫入緩沖區。
2018-11-23 05:55:003220 IMEC進行了設計技術協同優化（DTCO），以確定5nm節點上STT-MRAM單元的要求和規格，并得出了一個結論，高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:543981 
Everspin 近日宣布，其已開始試生產最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉移力矩磁阻）非易失性隨機存取器。
2019-06-27 08:59:439837 GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻內存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻內存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻內存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 Everspin在磁存儲器設計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申請的知識產權產品組合，在平面內和垂直磁隧道
2020-04-15 17:27:05844 目前新型存儲器上受到廣泛關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯合研發的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584 
（STT-MRAM）。這些技術提供了密集的位單元（“1T1R”），并通過改變單元的靜態電阻來操作，這種電阻是通過材料的“Write1”和“Write0”脈沖電流和大小引起。當單元被訪問時，讀操作感知電阻大小，大大降低單元電流。理想情況下，兩個電阻之間的比率非常高，以加速讀取操作。
2020-06-30 11:01:334470 存儲器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術支持和產品解決方案。 MRAM可能是當今最有前途的下一代非易失性存儲技術。Toggle MRAM和STT-MRAM已經進入市場，在許多應用中獲得了
2020-07-13 11:25:581037 隨著有希望的非易失性存儲器架構的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復挑戰正在出現。通過將自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術
2020-08-04 17:24:263389 ）STT-MRAM位單元的開發方面均處于市場領先地位。本篇文章everspin代理宇芯電子要介紹的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造產量。 鑄造廠需要傳統的CMOS制造中不使用的新設備，例如離子束蝕刻，同時提高MTJ位單元的可靠性，以支持某些應用所需的大（1Mbit?256Mbit）存儲器陣列密度
2020-08-05 14:50:52389 但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，離取代一般存儲器還有一段路要走，另一種比較可行的應用，是把STT－MRAM嵌入其他系統芯片，目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術，而STT－MRAM記憶密度比SRAM更高，有助于提高邏輯芯片內的記憶容量。
2020-08-21 14:18:00593 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲內容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機存取是指處理器讀取資料時，不定要從頭開始，隨時都可用相同的速率，從內存的任何
2020-09-21 13:50:342782 本文由everspin代理宇芯電子介紹關于新型的芯片架構，將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應用于芯片架構設計中，與傳統芯片架構相比較，能夠降低芯片漏電流，減少芯片靜態功耗，延長手持設備的在線工作
2020-11-20 15:20:24512 
來極化電流的技術。通過使用自旋極化電流來改變磁取向來執行數據寫入MTJelement中信息存儲層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 STT-MRAM是一種適用于未來使用超精細工藝生產的MRAM的技術，可以有效地嵌入到隨后的諸如FPGA和微處理器，微控制器和片上
2020-11-20 15:23:46791 在ISSCC 2020上臺積電呈現了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個循環的寫入耐久性，在150度下10年以上的數據保持能力和高抗磁場干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614 仍讓它無法滿足高速RAM應用必須兼具高速寫入、無限耐久性，以及可接受的數據保存能力之需求。 ? STT-MRAM（也稱為STT-RAM或有時稱為ST-MRAM和ST-RAM）是一種高級類型的MRAM設備。與常規設備相比，STT-MRAM可實現更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對于
2021-12-11 14:47:44519 本文由everspin代理宇芯電子介紹關于新型的芯片架構,將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應用于芯片架構設計中,與傳統芯片架構相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:00
3 Everspin是設計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應用涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。在磁存儲器設計，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產品。STT-MRAM存儲的結構簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 一些自旋電子存儲器已經面世。MRAM（磁性隨機存儲器）已經商業化，在某些情況下可以取代電子存儲器，但它是基于鐵磁開關的。
2022-07-22 17:05:141596 everspin在磁存儲器設計，制造和交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。
2022-11-17 14:23:282461 
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發性，保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關技術支持。
2022-11-29 15:57:581325 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數據和程序的應用程序，至少應用于數量引腳。它具有優異的性能和非易失特性。詳情請洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數據和程序的應用程序來說，這是最理想的內存。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462548 其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續航特性，它適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）審稿人：北京大學蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318 
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