引言

　　在綜合驗光儀的驗光過程中，用戶會根據不同的測試需求和習慣設置一些系統配置參數，這些參數需要保存起來;更為重要的是，患者測得的雙眼屈光數據也需要長時間地保存起來，以備下次更換眼鏡時作為配鏡參考和數據比較。這樣，就面臨一個系統掉電后數據保存的問題。

　　傳統半導體存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類：非易失性存儲器包括EPROM、EEPROM和Flash等，在斷電后仍能保存數據，但由于采用 ROM技術，所以存在寫入時間長、寫入次數有限、寫入時功耗較高等缺點;而易失性存儲器雖然性能高、寫入次數不受限制、易用，但在掉電的情況下數據無法保存。對于大量數據的掉電存儲，大多采用SRAM加后備電池的方法實現，在實際使用過程中存在著數據不可靠、數據容易丟失以及需要維護電池等一系列的問題，大大增加了產品維護的工作并降低了數據存儲的可靠性。鐵電存儲器FRAM的出現為以上問題的解決提供了一個很好的方案。

　　鐵電存儲器(FRAM)是美國Ramtron公司推出的一款掉電數據不丟失的存儲器，它結合了高性能和低功耗操作，能在沒有電源的情況下保存數據。 FRAM不僅克服了EEPROM和Flash寫入時間長、寫入次數有限的缺點，又避免了增加備用電池，做到了快速、可靠的數據掉電保存。FRAM鐵電存儲器因其掉電不丟失、讀寫速度快、無限次讀寫、可靠性高等優點，逐步成為一種主流存儲器，廣泛應用在儀器儀表、工業控制、數字家電和通信產品等方面。

　　1 FM1808鐵電存儲器簡介

　　FM1808是由Ramtron公司推出的一款存儲容量為32K×8位的并行接口FRAM。其主要特點有：采用64K×8位的存儲結構;低電壓，使用2.7～3.6 V電源供電;無限次讀寫;掉電數據保存1O年;讀寫速度快，內存訪問速度可達70 ns;先進的高可靠性鐵電存儲方式;低功耗，小于20μA的靜態工作電流，讀寫操作的功耗相同。

　　2 FM1808存儲器讀寫操作

　　FM1808通過并行口與外部處理器進行接口，其操作雖然與SRAM十分類似，但在使用過程中應注意它們之間的細微差異。FM1808時序和普通SRAM時序的比較如圖1所示。

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　　圖1 FM1808時序和普通SRAM時序的比較

　　由FM1808的時序波形和主要特性可知，在使用FM1808時需要注意以下幾個方面：

　　①并口FM1808內含地址鎖存器，在芯片使能端()的下降沿鎖存每個地址，這樣就允許在每一次內存存取周期開始之后改變地址總線。每次內存存取都需要在下降沿鎖存地址，都必須確保產生一次由高向低的躍變，所以用戶不能像SRAM一樣將引腳接地。利用來控制地址的理由有兩個方面，一是鎖存新的地址，另一個是利用為高時產生必需的預充電時間。

　　②SRAM地址鎖存后，不會因為改變地址值而影響SRAM的內存操作。與SRAM不同，FM1808的地址在鎖存后仍可能會隨著地址的變化而發生變化。當地址被鎖存后，地址值必須滿足保持時間參數后才能改變。

　　③另外一個設計注意事項與VDD有關。電池后備SRAM會不停地監測VDD以便必要時切換至后備方式，在一個低電壓水平下，它們會封鎖用戶對內存的訪問以降低活動SRAM對電池電源的消耗;而FRAM存儲器不需要這些系統開銷，在任何電源水平下，內存都不會鎖住用戶對內存的存取。然而，在電源超出正常工作范圍之外時，用戶必須阻止處理器對內存的存取。當電源下跌時，通常的設計慣例是使處理器復位，除此之外沒有其他的特殊要求。