公司推出的大大容量串行Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品——MultiMediaCard(MMC),通常叫作多媒體卡。它的體積比 SmartMedia還要小,不怕沖擊,可反復(fù)讀寫記錄30萬次,驅(qū)動(dòng)電壓2.7
2019-06-20 05:00:05
PIC的程序存儲(chǔ)器是FLASH存儲(chǔ)器,主要存儲(chǔ)程序代碼,掉電不丟失。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是SRAM,主要存儲(chǔ)一些程序的變量,掉電丟失。EEPROM一般存儲(chǔ)程序中的重要數(shù)據(jù),掉電也不丟失。區(qū)別:FLASH:只能
2021-11-24 08:12:26
℃和-40℃~125℃。這些EEPROM提供1Kband 1Mb的存儲(chǔ)密度,并在400KHz至10MHz的輸入頻率下工作。推薦產(chǎn)品:BR24T16F-WE2;BR24T16FVT-WE2
2019-11-15 09:16:49
Only Memory)為非易失性存儲(chǔ)器,可在基板上進(jìn)行電氣改寫??梢宰止?jié)(byte)為單位進(jìn)行改寫,最適于保存數(shù)據(jù)。ROHM的串行EEPROM是實(shí)現(xiàn)了高可靠性的最頂級(jí)系列,備有各種容量、接口和封裝類型
2019-07-11 04:20:11
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存
器),各種各樣的閃存以及串口
EEPROM(電可擦的,可編程的只讀
存儲(chǔ)器)?! ?/div>
2019-06-28 08:29:29
、汽車、軍事、游戲及計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPROM存儲(chǔ)器的理想代替產(chǎn)品。此外,Ramtron已計(jì)劃在2008年陸續(xù)推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM產(chǎn)品。 
2008-10-08 09:23:16
中。一個(gè)字里的最低地址字節(jié)被認(rèn)為是該字的最低有效字節(jié),而最高地址字節(jié)是最高有效字節(jié)。可訪問的存儲(chǔ)器空間被分成8個(gè)主要塊,每個(gè)塊為512MB。其他所有沒有分配給片上存儲(chǔ)器和外設(shè)的存儲(chǔ)器空間都是保留的地址空間。1. FLASHFlash主存儲(chǔ)區(qū)從0x0800 0000地址開始,不同系列器件有不同大小,這里
2021-08-02 06:06:32
:Flash、SRAM等。只有加入了這些東西,才能成為一個(gè)擁有實(shí)際意義的、可以工作的處理芯片——STM32。STM32的存儲(chǔ)器地址空間被劃分為大小相等的8塊區(qū)域,每塊區(qū)域大小為512MB。對(duì)STM32存儲(chǔ)器知識(shí)
2018-08-14 09:22:26
什么是EEPROM存儲(chǔ)器?
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比,具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
用STM32F103單片機(jī)時(shí)都要外接一個(gè)AT2402 這個(gè)EEPROM存儲(chǔ)器。單片機(jī)本身自帶有程序存儲(chǔ)器, 請(qǐng)問為什么還要加這個(gè)EEPROM呢?這個(gè)EEPROM主要是存放什么程序或數(shù)據(jù)呢?
2013-08-20 19:13:53
用電就能擦除或者重新改寫數(shù)據(jù),所以就方便許多,而且壽命也很長(幾萬到幾十萬次不等)。FLASH,稱之為閃速存儲(chǔ)器,屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品,它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不定
2021-11-24 09:13:46
。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對(duì)于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間,其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少?
2023-11-01 06:20:34
我可以使用M24SR EEPROM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)通用數(shù)據(jù)和NFC數(shù)據(jù)嗎? EEPROM中是否有用于存儲(chǔ)通用數(shù)據(jù)的用戶空間?以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Can i use M24SR EEPROM
2019-07-30 14:25:06
描述用 Arduino 設(shè)計(jì)我自己的 EEPROM 外部存儲(chǔ)器 PROGRAMMER / RECORDER | 24LC256讀/寫
2022-07-26 06:59:44
寬度為16位;當(dāng)PRGW引腳為高電平時(shí)程序存儲(chǔ)器寬度為32位。 STRBO和STRBl各為一組訪問外部存儲(chǔ)器的選通信號(hào),各有4個(gè)信號(hào)引腳(STRBx_B3/A_1、STRBx_B2/A_2
2019-06-14 05:00:08
用變址尋址原理突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限
2021-03-18 06:00:25
IAM即將完成PSOC3(我的第一個(gè)主要項(xiàng)目)的創(chuàng)建者項(xiàng)目,并希望在發(fā)布之前使用一些閃存保護(hù)。在TRM或某個(gè)地方,閃存保護(hù)不能用于保存SPC數(shù)據(jù)(如EEPROM存儲(chǔ)器)的字節(jié)。我的問題是:如何識(shí)別
2019-06-18 09:14:56
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競爭對(duì)手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長,其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器)、FRAM(鐵電存儲(chǔ)器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器)等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì):存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
用于串行總線應(yīng)用的示波器分段存儲(chǔ)器
2012-11-01 15:32:39
4Gb到100Gb的密度.談及循環(huán)及數(shù)據(jù)保留間的強(qiáng)相關(guān)性,使用N削D來獲得高寫入性能的系統(tǒng)經(jīng)常面對(duì)一個(gè)困難即在長時(shí)間的休止?fàn)顟B(tài)下如何保證足夠的數(shù)據(jù)保留。變相存儲(chǔ)器:新的儲(chǔ)存器創(chuàng)建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35
簡易串行存儲(chǔ)器拷貝器相關(guān)資料下載
2021-05-14 07:59:03
不使用ISO-DEP協(xié)議的情況下直接訪問EEPROM存儲(chǔ)器,而是使用標(biāo)準(zhǔn)I2C命令訪問EEPROM存儲(chǔ)器的位置。 在我的固件中,我只需要訪問NDEF文本文件進(jìn)行讀取并讀取該文件的前10個(gè)字節(jié)。 所以
2019-08-02 14:41:04
請(qǐng)問一下與EEPROM存儲(chǔ)器相關(guān)的寄存器有哪些?分別有什么作用?
2021-07-08 06:55:19
ATtiny2313 EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是什么
2020-11-11 06:20:22
的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。盡管不斷有供應(yīng)商退出 SRAM 市場,賽普拉斯依然不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新、為客戶提供專業(yè)可靠的存儲(chǔ)器。賽普拉斯作為眾多客戶首選的 SRAM 供應(yīng)商,我們承諾將支持最豐富的產(chǎn)品系列、較快的產(chǎn)品
2020-09-01 19:40:50
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU,由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器,該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
本篇文章介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。
2020-12-31 06:11:04
存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
DataFlash 是Atmel 公司新推出的大容量串行Flash 存儲(chǔ)器產(chǎn)品,具有體積小、容量大、功耗低和硬件接口簡單的特點(diǎn),非常易于構(gòu)成微型測量系統(tǒng)。本文重點(diǎn)介紹此類存儲(chǔ)器與單片機(jī)的
2009-05-14 16:28:1516 存儲(chǔ)器的種類很多,按存儲(chǔ)類型來分,可分為FLASH存儲(chǔ)器、EPROM存儲(chǔ)器、EEPROM存儲(chǔ)器、SRAM存儲(chǔ)器等。FLASH的特點(diǎn)是必擦除以后才能編程;EEPROM寫入速度較慢,通常為ms(毫秒)級(jí),不
2010-08-09 14:52:2059 本文主要介紹了鐵電存儲(chǔ)器FM20L08的原理及應(yīng)用。該存儲(chǔ)器不僅克服了EEPROM和Flash存儲(chǔ)器寫入時(shí)間長、擦寫次數(shù)少等缺點(diǎn),而且增加了電壓監(jiān)控器和軟件控制的寫保護(hù)功能,1MB
2010-12-03 16:29:3355 1-Wire®串行存儲(chǔ)器產(chǎn)品通過單線連接為你的產(chǎn)品添加存儲(chǔ)器!
1-Wire串行存儲(chǔ)器產(chǎn)品提供EEPROM和EPROM存儲(chǔ)矩陣,能夠通過單線1-Wire接口供
2009-04-20 23:22:421388 意法半導(dǎo)體推出雙接口串行接口EEPROM存儲(chǔ)器M24LR64
意法半導(dǎo)體宣布一全新射頻EEPROM芯片系列的首款產(chǎn)品M24LR64樣片正式上市。新產(chǎn)品能
2010-03-20 18:46:001150 存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思
存儲(chǔ)器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)為核心的,能多次重復(fù)使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:073641 瑞薩電子推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時(shí)延 DRAM。
2011-01-25 09:18:04634 串行EEPROM存儲(chǔ)器及應(yīng)用
2016-12-11 23:41:100 上海, 2016-11-08——富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲(chǔ)器)(注1)產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體(注2)合作開發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2017-03-24 18:03:201539 FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存 ,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:3722155 FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子
2017-10-11 15:16:1715617 在單片機(jī)的內(nèi)部集成有一定數(shù)量的EEPROM存儲(chǔ)空間,如Microchip、ST等等。本文首先介紹了比較典型的串行EEPROM和集成EEPRO
2017-12-01 03:46:00752 2MB嵌入式閃存,SAM4SD32是工業(yè)和消費(fèi)者的要求增加了程序存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和低功耗應(yīng)用的理想設(shè)備。這些應(yīng)用包括無線自動(dòng)調(diào)溫器,GPS運(yùn)動(dòng)手表,智能電表和1D條形碼閱讀器。有線和無線通信協(xié)議棧,多語言和多應(yīng)用的支持,和數(shù)據(jù)記錄的要求正在推動(dòng)在這些應(yīng)用需要更高的存儲(chǔ)密度。
2018-07-17 15:28:00615 大多數(shù)嵌入式控制系統(tǒng)都需要非易失性存儲(chǔ)器。由于串行EEPROM具有體積小、字節(jié)數(shù)選擇靈活、I/O引腳數(shù)需求低、功耗低以及成本低的特點(diǎn),使之成為非易失性存儲(chǔ)器的首選。Microchip提供完整的串行
2018-04-24 16:00:098 本視頻介紹串行EEPROM器件和串行SRAM存儲(chǔ)器的產(chǎn)品系列的優(yōu)點(diǎn)、封裝、總線選擇及質(zhì)量體系。
2018-06-06 01:45:004898 大多數(shù)嵌入式控制系統(tǒng)都需要非易失性存儲(chǔ)器。由于其外形小巧、提供字節(jié)級(jí)靈活性、 I/O 引腳要求低、低功耗和低成本等特點(diǎn),串行 EEPROM 成為非易失性存儲(chǔ)器
2018-06-19 17:26:0026 MPLAB 串行存儲(chǔ)器產(chǎn)品入門工具包是一款易于使用且功能強(qiáng)大的工具,方便用戶對(duì)串行存儲(chǔ)器應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)和故障診斷。除了編程和讀取所有 Microchip 串行存儲(chǔ)器器件的內(nèi)容外,它還有助于了解存儲(chǔ)器器件和單片機(jī)之間的通信,并對(duì)應(yīng)用中的問題進(jìn)行故障診斷。
2018-06-14 08:27:004 據(jù)加拿大阿爾伯塔大學(xué)官網(wǎng)近日消息,該??茖W(xué)家完善相關(guān)技術(shù),研制出了迄今儲(chǔ)存密度最高的固態(tài)存儲(chǔ)器,其存儲(chǔ)能力相比目前計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備提高了1000倍。
2018-08-05 10:42:474478 努比亞紅魔Mars電競手機(jī)將正式在努比亞官網(wǎng)、京東商城等平臺(tái)開售。紅魔Mars電競手機(jī)是真正為游戲而生的手機(jī),搭載高通驍龍845處理器,配備最高10GB+256GB超大內(nèi)存組合,其安兔兔評(píng)分高達(dá)32萬分以上,是迄今為止跑分最高的驍龍845游戲手機(jī)。
2018-12-05 16:25:163686 除了提供迄今為止最高的量子體積之外,IBM Q System One 的性能還反映了 IBM 所測量到的最低錯(cuò)誤率,平均 2-qubit gate 的錯(cuò)誤率小于 2%,其最佳 gate 的錯(cuò)誤率小于1%。
2019-03-10 09:07:004137 Microchip 今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口(SPI)EERAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品,與當(dāng)前的串行NVRAM產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員節(jié)省高達(dá)25%的成本。
2019-12-03 18:05:28822 按照每比特存儲(chǔ)單價(jià)計(jì)算,目前用于這些數(shù)據(jù)記錄的低密度(64 Kb至1Mb)非易失性串行RAM(NVRAM)解決方案通常是成本最高的終端產(chǎn)品。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口(SPI)EERAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2019-12-05 08:53:473283 12月10日下午,Redmi K30系列在北京亮相。5G版起售價(jià)1999元(6GB+64GB),這是迄今為止性價(jià)比最高的雙模5G手機(jī),沒有之一。
2019-12-10 17:52:25650 羅切斯特團(tuán)隊(duì)使用光子學(xué)研究人員廣泛采用的材料——鈮酸鋰,制造了他們認(rèn)為“迄今為止最小的電光調(diào)制器”。該調(diào)制器是光子學(xué)芯片的關(guān)鍵元件,控制光在電路中的移動(dòng)方式。
2020-09-07 15:08:308479 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AT25512存儲(chǔ)器EEPROM代碼免費(fèi)下載,基于SPI通信的EEPROM存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)代碼。
2020-10-09 08:00:0027 串行接口存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類、汽車、電信、醫(yī)療、工業(yè)和 PC 相關(guān)市場。串行存儲(chǔ)器主要用于存儲(chǔ)個(gè)人偏好數(shù)據(jù)和配置/設(shè)置數(shù)據(jù),是當(dāng)今使用的最為靈活的非易失性存儲(chǔ)器(Nonvolatile
2021-03-31 11:14:477 應(yīng)用,包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 數(shù)據(jù)。MB85RC04V使用的非易失性存儲(chǔ)單元的讀/寫壽命提高到至少1012個(gè)周期,在數(shù)量上明顯優(yōu)于其他非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品。MB85RC04V鐵電存儲(chǔ)器在寫入存儲(chǔ)器后不需要輪詢序列,例如閃存或E2PROM的情況。 特點(diǎn) ?位配置:512字×8位 ?兩線串行接口:完全由兩個(gè)端口控制:串行時(shí)鐘(SCL)和串行
2022-01-18 16:48:461069 EEPROM(Electrically Erasable Programmable readonly memory)是指帶電可編程只讀存儲(chǔ)器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。
2022-03-20 14:37:292848 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用Arduino設(shè)計(jì)EEPROM外部存儲(chǔ)器PROGRAMMER/RECORDER.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-22 09:33:251 數(shù)據(jù)中心應(yīng)用工作負(fù)載需要未來的存儲(chǔ)器產(chǎn)品能夠提供與今天基于并行DDR的存儲(chǔ)產(chǎn)品相同的高性能帶寬、低延遲和可靠性。CXL平臺(tái)是近年來最大的行業(yè)顛覆性技術(shù)之一,為CPU帶來了新的標(biāo)準(zhǔn)串行接口,可將存儲(chǔ)器擴(kuò)展到并行DDR接口之外,為數(shù)據(jù)中心提供更高的效率和性能。
2022-08-03 15:52:341086 EEPROM存儲(chǔ)器SOP-82KB1MHz
2022-08-19 15:54:043 Stability AI 宣布推出迄今為止最強(qiáng)大的小語言模型之一 Stable LM 2 1.6B。
2024-01-23 10:11:21238
評(píng)論
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