什么是三星數(shù)碼自然影像技術(shù)/DNle/FED顯示技術(shù)

三星數(shù)碼自然影像技術(shù)DNIe（Digital Natural Image engine），該技術(shù)開始于一個智能分析，分析輸入的任何形式信號，在分析了信號源、干擾程度和縮放比之后，再對源信號進(jìn)行四個過程的處理，之后輸出優(yōu)化后的信號。
　　這四個過程分別是：3D動態(tài)最優(yōu)化，即通過3D分析對目標(biāo)像素和下幅畫面的相關(guān)像素進(jìn)行分析，消除斑點(diǎn)和干擾；對比度加強(qiáng)，即通過自動對比度的分析和調(diào)整在合理范圍內(nèi)動態(tài)調(diào)整明暗對比；細(xì)節(jié)放大，即通過頻率特征的改進(jìn)和邊緣的自然過渡，對畫面的每個細(xì)節(jié)進(jìn)行加強(qiáng)同時避免干擾和閃爍；色彩優(yōu)化，即動態(tài)加強(qiáng)白色調(diào)與相連區(qū)域的區(qū)別，膚色的純真度由此加強(qiáng)。

??? Field Emission Display (or Field Effection Display)，場發(fā)射顯示器（場效應(yīng)顯示器）。
??? 所謂電子發(fā)射是指電子從陰極逸出進(jìn)入真空或其它氣體媒質(zhì)中的過程。所有物體都含有大量的電子，常態(tài)下不逸出物體，當(dāng)電子獲得足夠的能量，足以克服阻礙其逸出物體表面的力時，便產(chǎn)生了電子發(fā)射。電子發(fā)射按照其獲得外加能量的方式，即電子的受激發(fā)方式分為以下四種：熱電子發(fā)射，光電子發(fā)射，次級電子發(fā)射及場致電子發(fā)射。
??? ①熱電子發(fā)射：電子靠加熱物體提供能量，當(dāng)溫度升高，電子的無序熱運(yùn)動的能量隨之增大，直致電子能夠克服阻礙它逸出固體表面的阻力而逸出物體的發(fā)射；
??? ②光電子發(fā)射：即外光電效應(yīng)，與電子沒有逸出物體表面的內(nèi)光電效應(yīng)有區(qū)別，電子靠光輻射吸收光量子能量而逸出物體產(chǎn)生的發(fā)射；
??? ③次級電子發(fā)射：界外獲得能量的電子穿入物體內(nèi)部，把能量傳遞給物體內(nèi)部的電子，使之逸出的發(fā)射方式；
??? ④場致電子發(fā)射：也稱自電子發(fā)射、冷發(fā)射，在物體表面加強(qiáng)電場以削弱阻礙電子逸出物體的力，利用隧道效應(yīng)而產(chǎn)生的發(fā)射。
　　場致電子發(fā)射現(xiàn)象是在強(qiáng)外加電場作用下固體表面發(fā)生的發(fā)射電子的現(xiàn)象。它與熱電子發(fā)射、光電子發(fā)射和二次電子發(fā)射的不同之處在于：熱電子、光電子和二次電子的發(fā)射是由于固體內(nèi)部電子獲得外部給予的能量而被激發(fā)、當(dāng)被激發(fā)的電子具有高于表面逸出勢壘的動能時就逸出固體表面的電子發(fā)射，而場致電子發(fā)射是利用加在物體表面的強(qiáng)電場束削弱阻礙電子逸出物體的力，并利用隧道效應(yīng)使固體向真空發(fā)射出電子，由于外加強(qiáng)電場使表面勢壘高度降低，寬度變窄，電子穿透勢壘的幾率增加，因而發(fā)射電流隨之迅速增加，其電子主要來自費(fèi)米能級附近較窄范圍的能帶上。
　　場發(fā)射與其它三種電子發(fā)射有性質(zhì)上的不同。熱電子發(fā)射、光電子發(fā)射、次級電子發(fā)射都是以不同的形式給予物體內(nèi)電子以能量，使它們能越過物體表面上的勢壘而逸出。場發(fā)射的電子不是靠外部給予能量而被激發(fā)，場致電子發(fā)射或者是用外部強(qiáng)電場來壓抑表面勢壘，使得固體材料的表面勢壘最高點(diǎn)降低，勢壘寬度變窄，基于動力學(xué)原理使得電子可隧穿表面勢壘而逸出（外場致發(fā)射）；或者用內(nèi)部強(qiáng)電場使電子從金屬基底進(jìn)入介質(zhì)層，并在介質(zhì)層中得到加速而獲得足夠能量，不再需要另加能量就可逸出（內(nèi)場致發(fā)射）。
　　外電場有兩個作用：一是降低表面勢壘，二是減少勢壘寬度。Fowler和Nordheim用量子力學(xué)的觀點(diǎn)解釋了金屬的場致發(fā)射現(xiàn)象，稱為FN理論。半導(dǎo)體材料在電場中的行為比金屬更為復(fù)雜，主要是由于存在電場滲透現(xiàn)象和更為復(fù)雜的表面態(tài)影響。人們做了許多實(shí)驗(yàn)表明半導(dǎo)體材料包括硅、金剛石薄膜的場發(fā)射基本符合FN理論，而且FN理論在物理圖象上非常清楚，容易為人們所接受，因此在對半導(dǎo)體材料場發(fā)射結(jié)果的具體的討論中，人們也通常采用FN理論。場致電子發(fā)射是量子力學(xué)中隧道效應(yīng)的結(jié)果，體現(xiàn)電子波動性，由于外加電場使表面勢壘高度降低，寬度變窄，電子穿透勢壘的幾率增加，因而發(fā)射電流隨之增加，場致發(fā)射的電子主要來自于費(fèi)米能級附近較窄的能帶上。
　　場致電子發(fā)射的形式大體上可分為以下幾種：
??? ⑴尖端外場致電子發(fā)射
??? ⑵介質(zhì)薄膜（介質(zhì)涂層）內(nèi)場電子發(fā)射
??? ⑶半導(dǎo)體內(nèi)場致電子發(fā)射。