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- oled_oled簡介_oled技術與應用

2012年09月16日 12:00 本站整理 作者:h1654155205.5725 用戶評論(0
關鍵字:OLED(219746)

2.? 有機發光材料的選用
有機材料的特性深深地影響元件之光電特性表現。在陽極材料的選擇上,材料本身必需是具高功函數(High? work? function )與可透光性 ,所以具有4.5eV-5.3eV 的高功函數、性質穩定且透光的 ITO 透明導電膜,便被廣泛應用于 陽極。在陰極部分,為了增加元件的發光效率,電子與電洞的注入通常需要低功 函數(Low work function)的 Ag、Al、Ca、In、Li 與 Mg 等金屬,或低功函數 的復合金屬來制作陰極(例如:Mg-Ag 鎂銀)。
適合傳遞電子的有機材料不一定適合傳遞電洞,所以有機發光二極體的電子傳輸層和電洞傳輸層必須選用不同的有機材料。目前最常被用來制作電子傳輸層的材料必須制膜安定性高、熱穩定且電子傳輸性佳,一般通常采用螢光染料化合物。如 Alq、Znq、Gaq、Bebq、Balq、DPVBi、ZnSPB、PBD、OXD、BBOT 等。而電洞傳輸層的材料屬于一種芳香胺螢光化合物,如 TPD、TDATA 等有機材料.
有機發光層的材料須具備固態下有較強螢光、載子傳輸性能好、熱穩定性和 化學穩定性佳、量子效率高且能夠真空蒸鍍的特性,一般有機發光層的材料使用 通常與電子傳輸層或電洞傳輸層所采用的材料相同,例如 Alq 被廣泛用于綠光, Balq 和 DPVBi 則被廣泛應用于藍光。
一般而言,OLED 可按發光材料分為兩種:小分子 OLED 和高分子 OLED(也可稱為 PLED)。小分子 OLED 和高分子 OLED 的差異主要表現在器件的制備工藝不同:小分子器件主要采用真空熱蒸發工藝,高分子器件則采用旋轉涂覆或噴涂印刷工藝。小分子材料廠商主要有:Eastman、Kodak、出光興產、東洋 INK 制造、三菱化學等;高分子材料廠商主要有:CDT、Covin、Dow Chemical、住友化學等。目 前國際上與 OLED 有關的專利已經超過 1400 份,其中最基本的專利有三項。小分 子 OLED 的基本專利由美國 Kodak 公司擁有,高分子 OLED 的專利由英國的 CDT (Cambridge DisPlay Technology)和美國的 Uniax 公司擁有。

3.? OLED 關鍵工藝
一、氧化銦錫(ITO)基板前處理
(1) ITO 表面平整度:ITO 目前已廣泛應用在商業化的顯示器面板制造,其具有高透射率、低電阻率及高功函數等優點。一般而言,利用射頻濺鍍法(RF? sputtering)所制造的 ITO,易受工藝控制因素不良而導致表面不平整,進而產生表面的尖端物質或突起物。另外高溫鍛燒及再結晶的過程亦會產生表面約 10~30nm 的突起層。這些不平整層的細粒之間所形成的路徑會提供空穴直接射向陰極的機會,而這些錯綜復雜的路徑會使漏電流增加。一般有三個方法可以解決這表面層的影響:一是增加空穴注入層及空穴傳輸層的厚度以降低漏電流,此方法多用于 PLED 及空穴層較厚的OLED(~200nm)。二是將 ITO 玻璃再處理,使表面光滑。三是使用其它鍍膜 方法使表面平整度更好。
(2) ITO 功函數的增加:當空穴由 ITO 注入 HIL 時,過大的位能差會產 生蕭基能障,使得空穴不易注入,因此如何降低 ITO? /? HIL 接口的位能差 則成為 ITO 前處理的重點 。一般我們使用 O2-Plasma 方式增加 ITO 中氧原子 的飽和度,以達到增加功函數之目的。ITO 經 O2-Plasma 處理后功函數可由 原先之 4.8eV 提升至 5.2eV,與 HIL 的功函數已非常接近。
加入輔助電極 ,由于 OLED 為電流驅動組件,當外部線路過長或過細時,于外部電路將會造成嚴重之電壓梯度,使真正落于 OLED 組件之電壓下降 ,導致面板發光強度減少。由于 ITO 電阻過大(10? ohm? /? square),易造成不必要之外部功率消耗,增加一輔助電極以降低電壓梯度成了增加發光效率、減少驅動電壓的快捷方式。鉻(Cr:Chromium)金屬是最常被用作輔助電極的材料,它具有對環境因子穩定性佳及對蝕刻液有較大的選擇性等優點。然而它的電阻值在膜層為 100nm 時為 2? ohm? /? square,在某些應用時仍屬過大,因此在相同厚度時擁有較低電阻值的鋁(Al:Aluminum)金屬(0.2 ohm / square)則成為輔助電極另一較佳選擇。但是,鋁金屬的高活性也使其有 信賴性方面之問題因此,多疊層之輔助金屬則被提出 ,如:Cr? /? Al? /? Cr 或 Mo? /? Al? /? Mo,然而此類工藝增加復雜度及成本,故輔助電極材料的選 擇成為 OLED 工藝中的重點之一 。
二、陰極工藝
在高解析的 OLED 面板中,將細微的陰極與陰極之間隔離,一般所用的 方法為蘑菇構型法 (Mushroom? structure? approach),此工藝類似印刷技術 的負光阻顯影技術 。在負光阻顯影過程中,許多工藝上的變異因子會影響 陰極的品質及良率 。例如,體電阻、介電常數、高分辨率、高 Tg、低臨界 維度(CD)的損失以及與 ITO 或其它有機層適當的黏著接口等。
三、封裝
⑴? 吸水材料:一般 OLED 的生命周期易受周圍水氣與氧氣所影響而降 低。水氣來源主要分為兩種:一是經由外在環境滲透進入組件內,另一種 是在 OLED 工藝中被每一層物質所吸收的水氣。為了減少水氣進入組件或排 除由工藝中所吸附的水氣,一般最常使用的物質為吸水材(Desiccant)。 Desiccant 可以利用化學吸附或物理吸附的方式捕捉自由移動的水分子,以 達到去除組件內水氣的目的。
⑵? 工藝及設備開發 :為了將 Desiccant 置于蓋板及順利將蓋板與基板 黏合,需在真空環境或將腔體充入不活潑氣體下進行 ,例如氮氣。值得注 意的是,如何讓蓋板與基板這兩部分工藝銜接更有效率、減少封裝工藝成 本以及減少封裝時間以達最佳量產速率,已儼然成為封裝工藝及設備技術 發展的 3 大主要目標。

4.? OLED 的彩色化技術
顯示器全彩色是檢驗顯示器是否在市場上具有競爭力的重要標志,因此許多全彩色化技術也應用到了 OLED 顯示器上,按面板的類型通常有下面三種:RGB 像素獨立發光,光色轉換(Color Conversion)和彩色濾光膜 (Color Filter)。

一、RGB 象素獨立發光
利用發光材料獨立發光是目前采用最多的彩色模式。它是利用精密的 金屬蔭罩與 CCD 象素對位技術,首先制備紅、綠、藍三基色發光中心 ,然 后調節三種顏色組合的混色比,產生真彩色 ,使三色 OLED 元件獨立發光構 成一個象素。該項技術的關鍵在于提高發光材料的色純度和發光效率,同 時金屬蔭罩刻蝕技術也至關重要。
目前,有機小分子發光材料 AlQ3 是很好的綠光發光小分子材料,它的 綠光色純度,發光效率和穩定性都很好。但 OLED 最好的紅光發光小分子材 料的發光效率只有 31mW,壽命 1 萬小時,藍色發光小分子材料的發展也是 很慢和很困難的。有機小分子發光材料面臨的最大瓶頸在于紅色和藍色材 料的純度、效率與壽命。但人們通過給主體發光材料摻雜,已得到了色純 度、發光效率和穩定性都比較好的藍光和紅光。
高分子發光材料的優點是可以通過化學修飾調節其發光波長,現已得 到了從藍到綠到紅的覆蓋整個可見光范圍的各種顏色 ,但其壽命只有小分 子發光材料的十分之一,所以對高分子聚合物,發光材料的發光效率和壽 命都有待提高。不斷地開發出性能優良的發光材料應該是材料開發工作者 的一項艱巨而長期的課題。
隨著 OLED 顯示器的彩色化、高分辨率和大面積化,金屬蔭罩刻蝕技術 直接影響著顯示板畫面的質量,所以對金屬蔭罩圖形尺寸精度及定位精度 提出了更加苛刻的要求。
二、光色轉換
光色轉換是以藍光 OLED 結合光色轉換膜陣列,首先制備發藍光 OLED的器件,然后利用其藍光激發光色轉換材料得到紅光和綠光,從而獲得全彩色。該項技術的關鍵在于提高光色轉換材料的色純度及效率。這種技術不需要金屬蔭罩對位技術,只需蒸鍍藍光 OLED 元件 ,是未來大尺寸全彩色OLED 顯示器極具潛力的全彩色化技術之一。但它的缺點是光色轉換材料容易吸收環境中的藍光,造成圖像對比度下降,同時光導也會造成畫面質量降低的問題。目前掌握此技術的日本出光興產公司已生產出 10 英寸的 OLED顯示器。
三、彩色濾光膜
此種技術是利用白光 OLED 結合彩色濾光膜,首先制備發白光 OLED 的 器件,然后通過彩色濾光膜得到三基色,再組合三基色實現彩色顯示。該 項技術的關鍵在于獲得高效率和高純度的白光。它的制作過程不需要金屬 蔭罩對位技術,可采用成熟的液晶顯示器 LCD 的彩色濾光膜制作技術。所 以是未來大尺寸全彩色 OLED 顯示器具有潛力的全彩色化技術之一,但采用 此技術使透過彩色濾光膜所造成光損失高達三分之二 。目前日本 TDK 公司 和美國 Kodak 公司采用這種方法制作 OLED 顯示器。
RGB 像素獨立發光,光色轉換和彩色濾光膜三種制造 OLED 顯示器全彩 色化技術,各有優缺點。可根據工藝結構及有機材料決定。


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( 發表人:胡哥 )

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