半導(dǎo)體存儲器,半導(dǎo)體存儲器原理圖解

半導(dǎo)體存儲器是具備可以儲存圖像數(shù)據(jù)或文字數(shù)據(jù)、程序等信息，在必要時取出的功能的器件。

半導(dǎo)體存儲器大體分為可高速寫入和讀取的RAM（Random Access Memory）和主要進行讀取用的ROM（Read Only Memory）.

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存儲器的種類

存儲器的各種封裝

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? 電腦系統(tǒng)的存儲器分級結(jié)構(gòu)

?█?RAM（Random Access Memory）

RAM包括切斷電源后數(shù)據(jù)就會消失的揮發(fā)性DRAM（Dynamic RAM）和SRAM（Static RAM），還有可以保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性FeRAM(Ferroelectric RAM)、MRAM（Magnetic RAM）。

●DRAM（Dynamic RAM）

DRAM的每一個記憶單元（存儲單元）由1個晶體管和1個電容器構(gòu)成，集成度比較好。因此比特單價也比較低，在需要大容量存儲器的系統(tǒng)中被廣泛使用。

DRAM用電荷將信息存儲在電容器內(nèi)，因此長時間放置不用的話，微小的漏電電流會令信息丟失。因此，需要定期將同一信息再次寫入。

這個再次寫入的動作叫做更新。此外，由于是一直工作的，因此稱為動態(tài)RAM。DRAM中很多具有設(shè)為待機狀態(tài)后自動進行更新操作的功能，這稱為自更新動作。

DRAM的單元結(jié)構(gòu)基本不變，但單元以外的電路（外圍電路）會有不同，可分成SDR、DDR（后面介紹）等產(chǎn)品。

此外，還有用信息包方式讀取數(shù)據(jù)的RDRAM、接口可以和SRAM同等處理的疑似靜態(tài)SRAM等。

DRAM的存儲器單元電路圖

DRAM內(nèi)部的存儲范國和外國電路范圍

SDRAM（Synchronous DRAM：同步性DRAM）

為了高速執(zhí)行DRAM的突發(fā)大量存取，使數(shù)據(jù)的讀寫和時鐘同步。

DDR SDRAM（Double Date Rate SDRAM）

為了使同步性DRAM進一步高速化，在時鐘的上升和下降同步讀取數(shù)據(jù)。現(xiàn)在，更高性能的DDR-H規(guī)格已經(jīng)成為主流。

? RDRAM（Rambus DRAM）

RDRAM是由美國的Rambus公司提出規(guī)格方案的具有高速傳輸數(shù)據(jù)特征的DRAM。以往的DRAM根據(jù)RAS（Row Address Strobe）、CAS（Column Address Strobe）等控制端子的輸入時間來規(guī)定動作。

RDRAM中，沒有這些控制端子以及地址輸入端子，被稱為和時鐘同步的要求信息包的數(shù)據(jù)（命令）傳輸?shù)酱鎯ζ鲀?nèi)，根據(jù)該命令執(zhí)行讀取、寫入動作。

該動作叫做協(xié)議方式。在使用協(xié)議方面，RDRAM和以往的DRAM有很大的不同。現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)出從RDRAM發(fā)展而來的XDRDRAM，并得到實際應(yīng)用。

SRAM（Static RAM）

SRAM在存儲器單元中使用正反器（flip-flop）電路，如圖所示由6個晶體管或4個晶體管和2個電阻構(gòu)成，因此和由1個晶體管和1個電容器構(gòu)成的DRAM相比，在大容量化方面較差，但不必刷新，因此可以用于對抗外部干擾能力也需要非常強的大容量存儲器的系統(tǒng)。

SRAM根據(jù)其用途，分為低耗電量且存取時間較慢的產(chǎn)品（低耗電量SRAM）和要求高速性的產(chǎn)品（高速SRAM）。

SRAM的用途

低耗電量SRAM用于手機、便攜式信息末端等主要由電池進行驅(qū)動的設(shè)備中。

SRAM分為非同步型和同步型，前者用于內(nèi)存測試器和工業(yè)用測量儀器等的緩沖器。同步型起初是作為計算機等的高速緩沖存儲器而開發(fā)出脈沖突發(fā)式產(chǎn)品，后來電腦用的CPU開始可以內(nèi)置2次高速緩沖存儲器，因此其主要用途也轉(zhuǎn)移到網(wǎng)絡(luò)相關(guān)設(shè)備上。

由于因特網(wǎng)的寬帶化、LAN的高速化，通訊設(shè)備需要進行大量的數(shù)據(jù)通訊，因此需要高速、大容量的數(shù)據(jù)緩沖。此外，還開發(fā)出了適合通訊設(shè)備的同步型SRAM。

SRAM單元的結(jié)構(gòu)（6個晶體管）

SRAM單元的結(jié)構(gòu)（4個晶體管+電阻）

FeRAM（Ferroelectric(強電介質(zhì))RAM）

FeRAM的結(jié)構(gòu)和DRAM相同，但電容部分是用強導(dǎo)電體材料制成的。DRAM是將電荷儲存在電容器內(nèi)來保存數(shù)據(jù)的，而FeRAM的強導(dǎo)電體材料的殘留極性電壓為+或-并保持，然后通過讀取其狀態(tài)來判斷1還是0.殘留極性電壓在電源切斷后也能保持，因此是非揮發(fā)性的。

MRAM（Magnetic磁性體）

RAM）MRAM在存儲器件中適用磁性體。被磁化的元件上面的布線通電時，磁場方向會改變布線的電阻，利用這一原理來保存數(shù)據(jù)。

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ROM分為在制造工程中寫入數(shù)據(jù)的掩模ROM和成為產(chǎn)品后仍可以寫入的PROM（EPROM、EEPROM、閃存）。

●掩模ROM

掩模ROM使用基于用戶的數(shù)據(jù)制作而成的IC制造用掩模來寫入數(shù)據(jù)。其比特成本最便宜，適合于大量生產(chǎn)。

掩模ROM用于游戲機卡匣式、便攜式信息末端內(nèi)搭載的漢字等字節(jié)（漢字ROM）、電子辭典用等大量生產(chǎn)且不需要覆蓋寫入數(shù)據(jù)的用途。

●EPROM（Erasable Programmable ROM：可擦除可編程ROM）

EPROM的用戶使用寫入裝置來寫入數(shù)據(jù)，照射紫外線能擦除數(shù)據(jù)。因此，封裝上有石英玻璃的小窗。

EPROM的封裝比較貴，累此批量生產(chǎn)時使用將同樣的芯片封入塑料封裝，只能寫入一次（無法消去）的OTP（One Time PROM）。

EPROM可以用于產(chǎn)品開發(fā)時來調(diào)試程序和數(shù)據(jù)，但閃存實現(xiàn)量產(chǎn)后其使命也已告終。

●EEPROM（Electrical EPROM:可電力擦除可編程ROM）

EEPROM是可以電氣性擦除數(shù)據(jù)的PROM。寫入/擦除以字節(jié)為單位，因此覆蓋寫入/擦除時間較長。而且，電路復(fù)雜，且難以大容量化，累此主要為數(shù)K到數(shù)百K位的產(chǎn)品。

●閃存（Flash Memory）

可以電氣性擦除數(shù)據(jù)，但擦除時以塊為單位或芯片為單位。塊的大小從數(shù)K字節(jié)到數(shù)百K字節(jié)，因為其可以將大量數(shù)據(jù)一次性擦除，因此比喻為照相的閃光燈，稱為閃存。

●NOR閃存

NOR型隨機存取速度快，主要用于稱為固件的程序儲存用，被廣泛應(yīng)用于計算機、打印機等信息設(shè)備，以及手機、數(shù)字電視、游戲機等用途。寫入單位和EEPROM一樣，為字節(jié)或字節(jié)。

●NAND閃存

NAND閃存單元容量小，具有較好的集成度。因此，可以簡單的進行大容量化，并且比特成本也便宜，所以適合存儲卡等的文件存儲用途。

寫入/讀取以512字節(jié)到4K字節(jié)的頁為單位進行。因此和NOR閃存相比，寫入/讀取更高速，適合大量數(shù)據(jù)的保存。

NAND閃存被廣泛應(yīng)用于作為存儲設(shè)備的SD存儲卡、小型閃存（CF）等小型存儲卡和USB閃存盤等橋梁媒體，以及數(shù)碼相機、音樂播放器、音頻錄音機等需要大容量的用途。

NAND? Flash的應(yīng)用產(chǎn)品

NOR、NAND閃存單元的結(jié)構(gòu)比較

NOR、NAND閃存單元的尺寸比較

SD存儲卡

miniS存儲卡

USB閃存盤

MCP（Multi-Chip Package）

MCP是在1個封裝內(nèi)集成了多個存儲芯片的產(chǎn)品。手機伴隨著其高性能化，需要在小型空間內(nèi)搭載很多存儲器。MCP因此應(yīng)運而生。

起初是將低耗電SRAM和NOR閃存組合起來，后來手機相機的像素超過了百萬，并且開始處理音樂數(shù)據(jù)，因此開始搭載容量更大的DRAM和NAND閃存。

圖中的例子就是將3個NAND閃存和SDRAM、疑似SRAM、NOR閃存集成到了一個封裝內(nèi)的MCP。

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MCP的結(jié)構(gòu)例

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將模擬信號處理和數(shù)字信號處理混載在一塊芯片上的IC、LSI的開發(fā)在不斷發(fā)展。

電子設(shè)備的信號處理，正從以往的模擬電路迅速向數(shù)字化發(fā)展。但是，高頻放大電路、振蕩電路、傳感器輸入電路、電源電路、馬達驅(qū)動電路等電力處理電路、或者模擬數(shù)字接口電路都是模擬電路。因此，也存在各類用于模擬電路的模擬IC、LSI。

可以同時搭載模擬信號電路和數(shù)字信號電路的復(fù)合器件技術(shù)正在開發(fā)中。

使用該技術(shù)，就可以將電子設(shè)備的輸入部分和信號處理部分、輸出部分等需要模擬、數(shù)字雙信號處理的電路集成在一塊芯片上。

這種技術(shù)的代表性展開有可以混載雙極線性技術(shù)和CMOS邏輯技術(shù)的BiCMOS技術(shù)，以及在模擬電路和數(shù)字電路的基礎(chǔ)上可以進一步加載電源電路的IPD（Intelligent Power Device）技術(shù)等。

下圖就是利用混載技術(shù)實現(xiàn)了低耗電、簡易快速控制功能的驅(qū)動IC。可以用于打印機、FAX等各類OA設(shè)備、FA設(shè)備的DC電刷馬達驅(qū)動。

高頻電路（RF電路）中，原有的砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體正逐漸被SiGeHBT和CMOS混載技術(shù)或者模擬CMOS技術(shù)所取代。利用這些技術(shù)，我們正在開發(fā)混載RF部分和基極帶信號處理的單芯片IC。

DC馬達用全橋式驅(qū)動器IC的方框圖

通用模擬IC（線性IC）

運算放大器、比較器、電源IC等一般被稱為常用品的線性IC。

專用模擬IC/LSI

指開發(fā)為設(shè)備專用的模擬、或模擬數(shù)字混載的IC/LSI，被WSTS（World Semiconductor Trade Statistics）分為右述的4種。

模擬IC、模擬數(shù)字混載IC的分類

█ 運算放大器、比較器

運算放大器（Operational Amplifier：運算放大器）是具有差動輸入的高增益放大器，是典型的模擬IC。由于具有高增益，因此如果不加負反饋的話也可作為比較器（電壓比較電路）來工作。

運算放大器的動作、用途

運算放大器的輸入如圖所示有IN（-）和IN（+）2種。將輸入間電位差Vin(+)-Vin(-)放大并輸出。因此，如果通過輸出和負輸入（IN（-））間外接的電阻、電容等加負反饋使用的話，負輸入會出現(xiàn)和正輸入電壓基本相同的電壓（叫做虛短路），和正輸入信號同樣動作。

利用該特性，除了電壓放大器、緩沖器、反轉(zhuǎn)放大器以外，還能進行微分、積分等模擬信號的運算處理。

運算放大器的特性

理想的運算放大器的條件如下所示：

1）? 電壓放大幅度：Gv為無限大

2）? 輸入阻抗：Zin為無限大

3）? 輸出阻抗為零

4）? 頻率帶寬從零（直流）到無限大

5）? 內(nèi)部雜音為零

運算放大器的代表性使用方法

如右圖所示可以方便地設(shè)計非反轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)放大電路。各放大電路的電壓放大幅度分別為：

比較器

放大器具有高增益，因此如果不加負反饋的話還能作為比較器（電壓比較電路）工作。也有比較器專用的產(chǎn)品。比較器的符號和放大器相同。

運算放大器、比較器的種類

從制造程序看，一般有雙極結(jié)構(gòu)和CMOS結(jié)構(gòu)的器件。如圖所示，各有優(yōu)缺點，現(xiàn)在LSI的電源電壓降低了，因此輸入輸出可以從0到VDD的CMOS放大器（就是所謂的Rail to Rail）越來越多了。

注釋：輸入端偏移電壓為輸出電壓為零時的輸入端子間電壓。理想的運算放大器為零。

運算放大器、比較器的圖形記錄

運算放大器的等效電路（4558的例子）

理想的運算放大器

非反轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)放大電路的基本

雙級結(jié)構(gòu)和CMOS結(jié)構(gòu)的比較

芯片型運算放大器、比較器

█ AD、DA轉(zhuǎn)換器

AD轉(zhuǎn)換器是將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，DA器是將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號。是為了連接進行放大器等的模擬輸入輸出和數(shù)字處理的微型控制器等數(shù)字輸入輸出的功能電路。

AD、DA轉(zhuǎn)換器的基本

溫度、溫度、磁場等和我們生活相關(guān)的自然界變化是模擬量，用微控制器等對這些模擬量進行數(shù)字信號處理時，必須將這些模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量。反過來，我們還必須將微控制器等處理好的數(shù)字信號輸出轉(zhuǎn)換為我們?nèi)菀资褂玫哪M量。

AD轉(zhuǎn)換器

將模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量有幾種方法。一種是將模擬量用電壓取出，用基準(zhǔn)電壓和AD轉(zhuǎn)換器內(nèi)部的多個電阻，或者數(shù)字處理方法，和產(chǎn)生的比特對應(yīng)電壓進行比較（并聯(lián)比較型、逐次比較型），還可以產(chǎn)生和時鐘數(shù)成比例的傾斜狀電壓，將其和輸入電壓進行比較，根據(jù)一致時的時鐘數(shù)來讀取的方法（積分型）等。

DA轉(zhuǎn)換器

將數(shù)字量轉(zhuǎn)換為模擬量的方法也有幾種，一般是梯狀電阻型。利用基準(zhǔn)電壓和電阻網(wǎng)，在各個比特上形成重疊的定電流源。將該電流用數(shù)字代碼相加，并轉(zhuǎn)換電壓，從而輸出模擬信號。

最近的AD、DA（△∑或∑△）轉(zhuǎn)換器

通過重復(fù)采樣技術(shù)、噪聲整形技術(shù)，使用簡單的1比特DAC，就能作出高精度、高比特的AD、DA轉(zhuǎn)換器。這種方法和原有電阻分割等的AD轉(zhuǎn)換器相比，其特點是需要高速進行復(fù)雜運算的數(shù)字處理，但對于模擬電路參數(shù)的參差不齊和經(jīng)時變化的容許度比較高。

LSI進程的微細化使得我們能方便、低價地實現(xiàn)這樣復(fù)雜、高速的系統(tǒng)。

△∑調(diào)制如名字所示是進行微分、積分運算的比特壓縮/伸展技術(shù)，就是通過在輸入端以高頻將1比特出現(xiàn)的大

量量子化誤差反復(fù)進行負反饋，從而縮小其輸出平均誤差的方法。

（1）基于△調(diào)制的信號生成原理（△調(diào)制符號化方式）如圖所示。

（2）基于△∑調(diào)制的信號生成原理

△調(diào)制得到的比特信號顯示了輸入波形的微分值，因此如果事先將模擬輸入信號進行積分的話就能生成原信號的“對應(yīng)振幅的符號列”。

1次△調(diào)制信號波形

1次△∑調(diào)制的方框圖

█ 電源用IC

電源用IC是針對輸入電壓的變動，輸出負荷電流的變動，始終供給一定電壓輸出的單芯片IC。有線性電源（串聯(lián)穩(wěn)壓器、并聯(lián)穩(wěn)壓器）和開關(guān)電源、充電泵型電源3種。

線性電源

串聯(lián)穩(wěn)壓器

由基準(zhǔn)電壓源、負反饋電壓放大器、輸出段、反饋電阻等構(gòu)成。在輸入電源和負荷之間插入的功率晶體管作為可變電阻器使用，通過負反饋動作，控制輸出電壓保持在一定值。

LDO（低飽和型蝐聯(lián)穩(wěn)壓器）的輸出晶體管使用PNP電源晶體管甚至PMOSFET，是降低了輸入輸出間電壓的串聯(lián)穩(wěn)壓器。

可以降低耗電量

并聯(lián)穩(wěn)壓器

和串聯(lián)穩(wěn)壓器不同，1次電源和負荷之間使用外部的固定電阻，將并列插入負荷的功率器件作為可變電阻器使用，通過負反饋動作將輸出電壓控制在一定值。主要用做AC-DC電源系統(tǒng)的一部分。

開關(guān)電源

調(diào)整功率晶體管的開關(guān)周期，從輸入電壓源將電能積蓄在電感器中，提供給輸出電容器。通過負反饋動作將輸出電壓控制在一定值。通過開關(guān)和電容器和二極管的組合，基本上可以分為3種開關(guān)穩(wěn)壓器（降壓型、升壓型、升降壓型）。

POL（Point Of Local）：

是一種為了對應(yīng)MPUL等LSI的低壓化、大電流化，靠近各LSI配置大電流輸出、高速應(yīng)答的DC-DC轉(zhuǎn)換器，不通過輸出電容器，可以DC-DC轉(zhuǎn)換器本身的高速應(yīng)答特性來對應(yīng)負載變化的DC轉(zhuǎn)換器。這種用途的DC-DC轉(zhuǎn)換器就叫做POL。多同步整流、相位/交錯方式是主流。開關(guān)穩(wěn)壓器和線性穩(wěn)壓器不同，特點是電力損失少，但缺點是開關(guān)噪聲易進入，外部電路比較復(fù)雜。此外，串聯(lián)穩(wěn)壓器的效率比較低，但輸出比較平滑。

充電泵型DC-DC轉(zhuǎn)換器

MOSFET和多個電容器構(gòu)成的充電泵型DC-DC轉(zhuǎn)換器不使用電感線圏，因此外部電路比較簡單，可以實現(xiàn)小型化。此外還能減少移動無線設(shè)備中容易出現(xiàn)的EMI（電磁輻射干擾）。

主要用于電流相對較小的行業(yè)、輸出電流5-500mA的行業(yè)。

線性電流的基本結(jié)構(gòu)

低飽和型穩(wěn)壓壓器（LDO）的方框圖

開關(guān)穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)

多同步整流、位向/交錯DC-DC轉(zhuǎn)換器

同步整流降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器

晶體管陣列

晶體管陣列是指一般情況下1個封裝內(nèi)搭載多個相同的晶體管的情況。

使用目的

通過使用1個封裝內(nèi)搭載多個相同器件的晶體管陣列，可以將機器內(nèi)的搭載空間最小化，實現(xiàn)小型化。驅(qū)動7段LED等情況時，又很多相同電路，必須有多個控制晶體管。像這樣時，可以采用晶體管陣列，減少零部件個數(shù)。

種 類

晶體管陣列中根據(jù)搭載的器件數(shù)和連接方式不同，可以分為以下幾種。

1）? 搭載器件數(shù)

3個器件、4個器件、6個器件

2）? 連接方式

全器件分離型

集電極共通連接型

發(fā)射極共通連接型

2個器件、3個器件連接型

用 途

晶體管陣列作為螺線管驅(qū)動器，用于點陣式打印機或自動售貨機等繼電器驅(qū)動的驅(qū)動器電路、LED驅(qū)動器電路、步進馬達驅(qū)動器電路等。

晶體管陳列的種類

馬達驅(qū)動器IC

用于民生機器、工業(yè)機器、OA機器等的小型馬達驅(qū)動使用馬達驅(qū)動器IC。用于馬達的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)、制動以及速度控制。

馬達的分類/特征

小型馬達主要分為以下幾類，各自有專用的馬達驅(qū)動器IC正在開發(fā)中。小型馬達中有DC馬達（帶有電刷的馬達）、霍汞馬達（無DC電刷馬達）、步進馬達等，各自專用的驅(qū)動器IC、控制用IC正在開發(fā)中。

和為驅(qū)動用IC，大多采用輸入馬達正轉(zhuǎn)、反旋轉(zhuǎn)以及制動動作的邏輯信號進行控制的方式，還有通過驅(qū)動電源電壓控制旋轉(zhuǎn)速度（DC馬達）、通過輸入的時鐘信號的頻率進行控制（步進馬達）等方法。

目前還在開發(fā)PLL（Phase Locked Loop）用IC，作為高精度旋轉(zhuǎn)控制用。

馬達驅(qū)動器IC的外觀

步進馬達驅(qū)動電器

高頻用BiCMOS IC

指在一塊硅結(jié)晶基板上集成了高頻動作、低噪音的雙極集成電路和適合于低耗電量的CMOS集成電路的一種IC。主要和于移支體通信設(shè)備等高頻部分。

特 征

BiCMOS IC中搭載著構(gòu)成模擬電路的雙極晶體管、電容器、電阻和邏輯電路的CMOS。為了在同一硅基板上做成雙極電路和CMOS電路，制造法是比較復(fù)雜的，但可以將雙極晶體管高速性的模擬電路和低耗電量的控制邏輯電路集成在一塊芯片上。

IC照片

芯片照片

BiCMOS IC的結(jié)構(gòu)圖

顯示器用驅(qū)動器IC

在平面顯示器中分為非發(fā)光型有LCD（液晶顯示器）、發(fā)光型有LED（發(fā)光二極管顯示器）、PDP（等離子顯示器）等，采用各自適合的專用驅(qū)動器。

非發(fā)光型中有低溫多硅型LCD、發(fā)光型中有有機EL面板型

平面顯示器驅(qū)動器IC的分類

LCD面板的驅(qū)動方式

何謂TFT（Thin Film Transister）

液晶顯示器方式的一中，采用薄膜狀的晶體管。在玻璃基板上通過非晶硅等構(gòu)筑的晶體管驅(qū)動液晶。

TFT驅(qū)動器IC

由源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器構(gòu)成，適合大畫面、高畫質(zhì)、動畫顯示的TFT面板驅(qū)動IC。

TFT面板的方框圖

TCP封裝的LCD驅(qū)動器IC

何謂STN（Super Twisted Nematic）

液晶顯示器方式的一種。由于使用單純矩陣方式，因此制造成本較便宜，但顯示質(zhì)量沒有TFT好。

STN驅(qū)動器IC

驅(qū)動STN面板的IC，由段驅(qū)動器和共通驅(qū)動器構(gòu)成，特點是低價、低耗電。

恒定電流輸出（共陰極）型LED驅(qū)動器

1）8-16位的移位寄存器結(jié)構(gòu)

由閂鎖、控制部分、輸出部分構(gòu)成，主要使用BiCMOS制程。

2）? 恒定電流輸出型的特征

現(xiàn)在的主流為恒定電流輸出型。可以用1個外置電阻設(shè)定所有輸出電流，因此可以削減零部件個數(shù)。因為是恒定輸出電流，因此難以受到電源電壓的影響，可抑制亮度的不均。

3）? 恒定電壓輸出型的特征

恒定電壓輸出型用于想在每次輸出時改變輸出電流時，或在輸出端外加高電壓時。

PDP驅(qū)動器和特征

何謂PDP（Plasma Display Panel）

2指在2塊玻璃之間封入氦、氖等高壓氣體，通過外加一百幾十V的電壓使其發(fā)光的顯示裝置。

PDP驅(qū)動器IC

PDP為了向面板內(nèi)像素里的氣體放電，從而使熒光體發(fā)光，由用于發(fā)光顯示的高壓脈沖驅(qū)動驅(qū)動器及用于顯示數(shù)據(jù)控制的數(shù)據(jù)驅(qū)動器、掃描驅(qū)動器等構(gòu)成，有時也被模塊化。

特 征

和其他方式比較，特點是對比度高，視角廣。因為其容易大型化，因此一般用于掛壁式電視機等用途。

PDP的結(jié)構(gòu)

PDP驅(qū)動的方框圖

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?? 全新原裝東芝光耦：TLP126、TLP124、TLP250 、TLP521、TLP160G、TLP560G、TLP421、TLP181、

?? TLP161、TLP3063、TLP260、TLP113、TLP114A、TLP120、TLP620、TLP621、TLP627。

?? 全新原裝仙童光耦：?MOC3009、MOC3010、MOC3011、MOC3012、MOC3020、MOC3021、

?? MOC3022 、MOC3023、MOC3031、MOC3032、MOC3033、MOC3041、MOC3042、MOC3061、

?? MOC3062??、MOC3063、MOC3081、MOC3082、MOC3083、4N38、4N25